• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.10 no.3
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• pp.361-367
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• 2001

Recently, Chemical Mechanical Polishing(CMP) has become a leading planarization technique as a method for silicon wafer planarization that can meet the more stringent lithographic requirement of planarity for the future submicron device manufacturing. The SOI(Silicon On Insulator) wafer has received considerable attention as bulk-alternative wafer to improve the performance of semiconductor devices. In this paper, the objective of study is to investigate Material Removal Rate(MRR) and surface micro-roughness effects of slurry and pad in the CMP process. When particle size of slurry is increased, Material Removal rate increase. Surface micro-roughness is greater influenced by pad than by particle size of slurry. As a result of AM measurement, surface micro-roughness was improved from 27 $\AA$ Rms to 0.64 $\AA$Rms.

• Tribology and Lubricants
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• v.28 no.6
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• pp.272-277
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• 2012

Finite element analysis was carried out using wafer-scale and particle-scale models to understand the mechanism of the fast removal rate(edge effect) at wafer edges in the chemical-mechanical polishing process. This is the first to report that a particle-scale model can explain the edge effect well in terms of stress distribution and magnitude. The results also revealed that the mechanism could not be fully understood by using the wafer-scale model, which has been used in many previous studies. The wafer-scale model neither gives the stress magnitude that is sufficient to remove material nor indicates the coincidence between the stress distribution and the removal rate along a wafer surface.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.303-304
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• 2012

공업적으로 널리 사용되는 내식강의 전해연마는 주로 고농도의 인산염 전해액 기반에 황산과 질산 첨가된 용액에서 $70^{\circ}C$ 이상의 고온에서 행해지다 보니 폐액 처리와 작업 환경이 좋지 않아 기피 기술로 인식 되어 있다. 본 연구에서는 환경 친화적인 상온 공정을 개발 하고자 에틸렌 글리콜 용액에 여러 가지 첨가제를 첨가하여 그 효과를 살펴보고 최적 조성과 공정 조건을 확립 하고자 하였다. 틸렌 글리콜에 물과 질산 암모니움을 첨가하여 점도와 pH, 전류 전압 특성을 구하고 여기에 첨가제인 설파메이트와 암모니움 클로라이드 첨가량을 정하고 각각의 효과를 확인 하였다. 이러한 결과를 바탕으로 SUS 316 재질에 대한 최적 연마조건을 설정하기 위해 조도 변화, 광택도 및 표면 조직 변화와 전해연마기구를 비교 검토하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07b
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• pp.1292-1295
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• 2004

본 연구는 Cu CMP공정 중 알루미나 연마입자의 wafer 표면에서의 점착과 오염을 AFM (Atomic Force Microscopy)을 사용하여 슬러리내에서 점착력 측정과 실제 연마 후 wafer 표면의 오염을 실험적으로 비교 평가하였다. 연마입자의 adhesionn force 측정에 있어서도 역시 wafer들의 zetapotential 결과와 잘 일치하였으며, 모든 wafer 종류에 관계없이, 산성 영역에서 염기성영역의 슬러리가 적용됨에 따라 adhesion force가 작아짐을 확인할 수 있었다. 특히 FSG wafer의 zetapotential 결과는 비록 산성 분위기에서는 양성 전하값을 나타내었으나, 염기성 분위기의 pH에서는 급격하게 음성 전하값을 나타내었고, 이는 adhesionn force결과와 FESEM 결과와 잘 일치하였다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.144-144
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• 2004

마이크로프로세서가 점점 더 고집적화 되어감에 따라 가장 중요한 반도체 제조 기술 중 하나인 로광시 초점 심도를 맞추기 위해 웨이퍼의 광역 평탄화가 요구되어 왔다. 화학 기계적 연마기술(CMP： Chemical Mechanical Polishing)은 80년대 중반 IBM에 의해 제안된 이후 이러한 요구를 만족시키기 위해서 마이크로프로세서산업에 있어서 필수 기술로 자리매김 되고 있다. 화학 기계적 연마기술은 연마 결과에 영향을 미치는 인자가 많아 체계적인 기술로 발전되지 못하고 경험적인 기술에 머물러 있는 단계이다.(중략)

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2003.10a
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• pp.56-56
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• 2003

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.15 no.1
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• pp.45-50
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• 2008

The effects of electrolytes and additives on the electropolishing of 50 and $20{\mu}m$ diameter copper via were investigated to flatten 3D SiP through via. The termination time was determined with analysis of applied potential on anode and cathode to avoid excess electropolishing. Acetic acid played a role of accelerator and glycerol played a role of inhibitor in phosphoric acid electrolytes. The overplated copper on the through via was effectively electropolished in the phosphoric electrolytes with acetic acid and glycerol addition. The electropolishing was terminated at the point of abrupt change of applied potential to remove only overplated copper on the through via.

• Tribology and Lubricants
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• v.25 no.6
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• pp.404-408
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• 2009

In this paper, the relationship between the material removal rate and the interfacial mechanical properties at particle-surface contact situation, which can be seen in an abrasive machining process using micro/nano-sized particles, was discussed. Friction and stiffnesses were measured experimentally on an atomic force microscope (AFM) by using colloidal probes which have a silica colloid particle in place of tip to simulate a particle-flat surface contact in an abrasive machining process. From the experimental investigation and theoretical contact analysis, the interfacial contact properties such as lateral stiffness of contact, friction, the material removal rate were presented with respect to some of material surfaces and the relationship between the properties as well.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.166-166
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• 2007

ZnO는 육방정계(wurtzite) 결정구조를 지니며 상온에서 3.37eV의 wide band gap을 갖는다. ZnO의 엑시톤 결합 에너지는 GaN에 비해 2.5배 높은 60meV로서 고효율의 광소자 적용 가능성이 높다. 또한 고품위의 박막합성이 가능하다. 이러한 특성 때문에 display소자의 투명전극, 광전소자, 바리스터, 압전소자, 가스센서 등에 폭 넓게 응용되고 있다. ZnO박막의 제조는 스퍼터링, CVD, 진공증착법, 열분해법 등이 있다. 본 논문에서는 RF 마그네트론 스퍼터에 의해 제작된 ZnO 박막에 CMP공정을 수행하여 연마율과 비균일도 특성 및 광투과 특성을 연구하였다. ZnO박막은 $2{\times}2Cm$의 Corning glass위에 증착되었다. 로터리 펌프와 유확산 펌프를 이용하여 초기진공을 $2{\times}10^{-6}$ Torr까지 도달시킨 후 Ar과 $O_2$를 주입하였다. 증착은 상온에서 이루어졌으며 공정압력은 $6{\times}10^{-2}$Torr이였다. 초기의 불안정한 상태의 풀라즈마를 안정시키기 위해 셔터를 이용하여 pre-sputtering을 하였다. CMP 공정조건은 플레이튼 속도, 슬러리 유속, 압력은 칵각 60rpm, 90ml/min, $300g/cm^2$으로 일정하게 유지하였으며 헤드속도는 20rpm에서 100rpm까지 증가시키면서 연마특성을 조사하였다. 실리카슬러리의 적합성을 알아보기 위해 DIW와 병행하여 CMP공정을 수행하고 비교 분석하였다. CMP공정 결과 광투과도는 굉탄화된 표면의 확보로 인해 향상된 특성을 보였다. 실리카 슬러리를 사용하여 CMP를 할 경우는 헤드속도는 저속으로 하여야 양호한 연마특성을 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.02a
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• pp.98-99
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• 2000

코어 가까이 측면 연마한 광섬유를 이용하여 광 여파기, 편광기, 감쇠기등의 광통신 소자로 응용하고자 하는 연구가 많이 진행되고 있다.$^{[1]}$ 이 소자는 광섬유를 절단하지 않은 상태에서 코어 가까이 측면 연마하여 광학적 기능을 가진 소자를 제작함으로서 공정이 간단하고 삽입손실이 작은 특성을 가지며 기계적 신뢰성이 우수하다. 측면 연마된 광섬유를 이용한 광 증폭의 경우 광섬유의 소산장(evanescent field)과 펌핑광에 의해서 여기되는 활성 물질과의 상호작용에 의해서 광 이득을 얻는다. 소산장 결합에 의한 평면도파로에서의 광 증폭$^{[2]}$ 과 다중 모드 광섬유에서의 펄스 레이저 증폭, 단일 모드 광섬유에서 632.8nm He-Ne 레이저의 연속광원 증폭$^{[3]}$ 은 이미 보고되었다. 본 논문에서는 측면 연마된 다중 모드 광섬유의 연마된 부위에 색소가 첨가된 용액을 떨어뜨림으로서 발생하는 소산장 결합에 의해서 광섬유내를 진행하는 연속적인 He-Ne 레이저 광을 증폭시키는 방법을 제안하고자 한다. (중략)