• Proceedings of the Korean Society of Tribologists and Lubrication Engineers Conference
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• 2003.11a
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• pp.402-402
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• 2003

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.202-202
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• 2004

화합물 반도체는 초고속, 초고주파 디바이스에 적합한 재료인 갈큠비소(GaAs), 인듐-인산듐(InP) 등 2 개 이상의 원소로 구성되어 있고, 실리콘에 비해 결정내의 빠른 전자이동속도와 발광성, 고속동작, 고주파특성, 내열특성을 지니고 있어 발광 소자 (LED)와 이동통신(RE)소자의 개발 등에 다양하게 이용되고 있다. 이와 같이 화합물 반도체는 고부가가치의 첨단산업 부품들로 적용되는 만큼 생산제조 공정에 해당하는 연마, 본딩, 디본딩에 관한 방법과 기술에 대한 연구가 꾸준히 진행되고 있다.(중략)

• 한국기계연구소 소보
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• s.19
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• pp.141-147
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• 1989

Using monochrome CCD camera with high speed electronic shutter. blade image is captured in the environment with vibration. The image is preprocessed using LoG filter and zero crossing. We used Hough transformation method to detect straight lines and obtained width between lines caused by grinders. This paper proposes automatic blade measuring method to automate the process control of blade grinding.

• Bulletin of the Korean Institute for Industrial Safety
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• v.1 no.1
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• pp.1-6
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• 2001

생활양식의 변화와 정밀산업의 발달로 고체 덩어리나 입자를 분쇄하여 분체의 형태로 사용, 취급, 저장하는 빈도가 증가하고 있으며, 이들 중 분체가 가연성인 경우에는 공기 또는 산소와의 접촉면적이 커서 비교적 쉽게 착화할 뿐 아니라 급격한 연소를 일으켜 화재·폭발의 위험성이 항상 존재하고 있다고 할 수 있다. 이와 같은 위험성을 가지는 가연성 분진에는 소맥분, 전분, 사탕 등의 식료품을 비롯하여 가축용 사료분진, 각종금속, 플라스틱 및 화학제품 등의 가공용 분진, 약품, 연료로 사용되는 석탄 뿐 아니라 섬유부스러기, 연마시의 분진 등을 들 수 있다. 특히 최근에는 신소재로서의 기능성 물질과 전자재료의 개발이 활발하게 진행되어 이 분야에서 분체를 취급하는 공정도 증가하고 있는 실정이다.(중략)

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2001.05a
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• pp.298-299
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• 2001

안경렌즈는 유리를 연마하여 제작하거나 단량체를 세라믹 금형에 넣어 캐스팅공법으로 플라스틱 렌즈를 만드는 것이 일반적인 방법이었다. 한편 사출성형에 의한 렌즈 및 안경의 제작은 광학적으로 우수한 재료 및 금형을 개발하지 못하여 국내에서는 시도조차 못하는 형편이다. 구미나 유럽의 일부 국가는 PMMA 및 PC를 이용하여 안경 및 안경렌즈를 개발하고 있으며, 이는 공정을 대폭 줄이기 때문에 대량 생산 및 원가 절감을 이룩할 수 있다. 본 연구에서는 PMMA 및 PC를 이용하여 그동안 성형할 때에 가장 문제가 되었던 오목 렌즈를 제작하기 위한 근본적인 금형 설계의 문제점 해결과 이를 이용한 일체형 안경과 고강도 렌즈의 제작을 고찰하였다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2011.06a
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• pp.243-244
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• 2011

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2003.05a
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• pp.116-119
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• 2003

본 연구에서는 LCD 공정에 사용되는 ball spacer를 전해 연마(Electro-Polishing, EP) 처리된 스테인리스(stainless)관 내부에서 마찰대전으로 하전시켜 하전량을 측정하는 하전 메커니즘과 하전 특성을 관찰하였다. Ball spacer의 농도를 일정하게 하고, 유입하는 공기의 유량을 201pm, 301pm으로 변화시키면서 실험하였다. 유입되는 공기의 유량은 일정하게 하여 ball spacer의 농도를 분진공급장치(dust feeder)를 통해 변화시키면서 하전수를 측정하였다. 이 때 측정결과는 EP 처리된 스테인리스관에 유입되는 공기의 유량이 증가했을 때, 하전이 더 많이 되는 것을 보여주었다. 또한 일정한 공기의 유량에서 주입되는 ball spacer의 농도가 증가했을 때 입자당 하전수가 증가하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.11 no.4
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• pp.235-239
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• 2002

A new method for deep trench isolation using selective growth of polycrystalline silicon is proposed. In this method, trench filling is performed by forming polysilicon-inner sidewalls within the trench, and then selectively growing them by reduced chemical vapor deposition using $SiH_2C1_2$gas at $1100^{\circ}C$. The surface profiles of filled trenches are determined mainly by the initial depth of inner sidewalls and the total thickness of selective growth. No chemical mechanical polishing(CMP) process is needed in this new method, which makes the process flow simpler and more reliable in comparison with the conventional method using CMP process.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.20 no.1
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• pp.1-6
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• 2017

This study investigated the effect of surface pretreatment, which removes native Cu oxides on Cu seed layer, on subsequent Cu electro-/electroless deposition in Cu interconnection. The native Cu oxides were removed by using citric acid-based solution frequently used in Cu chemical mechanical polishing process and the selective Cu oxide removal was successfully achieved by controlling the solution composition. The characterization of electro-/electrolessly deposited Cu films after the oxide removal was then performed in terms of film resistivity, surface roughness, etc. It was observed that the lowest film resistivity and surface roughness were obtained from the substrate whose native Cu oxides were selectively removed.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.43-43
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• 2010

반도체 및 디스플레이의 진공부품은 알루미늄 모제에 전해연마법(electrolytic polishing), 양극산화피막법(anodizing), 플라즈마 용사법(plasma spray) 등을 사용하여 $Al_2O_3$ 피막을 성장시켜 사용되고 있다. 반도체 제조공정 중 30~40% 이상의 비중을 차지하는 식각(etching) 및 증착(deposition) 공정의 대부분 은 플라즈마에 의해 화학적, 물리적 침식이 발생하여 피막에 손상을 일으켜 피막이 깨지거나 박리되면서 다량의 particle을 생성함으로써 생산수율에도 문제를 야기 시킨다. 본 연구에서는 이러한 진공부품의 하나인 etcher용 상부전극을 양극산화피막법(Anodizing)으로 $Al_2O_3$ 피막을 성장시킨 샘플을 제작하여 플라즈마 처리에 따른 내전압, 식각율, 표면 미세구조의 변화를 관찰하였고 이를 종합적으로 고려하여 etcher용 상부전극의 Life Time 평가 방법을 연구하였다. 이러한 실험을 통해 플라즈마 처리 후 피막에 크랙이 발생되는 것을 확인할 수 있었고 피막의 손상으로 전기적 특성이 감소되는 것을 확인할 수 있었다. 또한 플라즈마 처리 중 ISPM 장비를 이용하여 플라즈마 공정에서 발생하는 오염입자를 실시간으로 측정할 수 있는 방법을 연구하였다. 이러한 결과를 이용하여 진공공정에서 사용되는 코팅부품이 플라즈마에 의한 손상정도를 정량화 하고 etcher용 상부전극의 Life Time 평가 방법을 개발하여 부품 양산업체의 진공장비용 코팅부품의 개발 신뢰성 향상이 가능할 것으로 기대된다.