• Title/Summary/Keyword: 에너지 준위

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MBE로 성장한 CdTe 박막의 photoconductivity

  • 임재현;허유범;류영선;전희창;현재관;강철기;강태원
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1998.02a
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    • pp.113-113
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    • 1998

  • C CdTe와 HgCdTe는 광전소자나 태양전지,x 선 및 y 선 감지 소자 그리고 적외선 감지소 자로의 웅용둥으로 인하여 많은 연구가 진행되고 있다. 광전소자를 제작함에 있어서 깊은 준위나 얄은 준위에 있는 몇들은 운반자 수명에 매우 큰 영향을 미치고 있음에도 불구하고 광전도도 측정에 의한 운반자 수명 연구에 대하여는 보고된 것이 별로 없다. 이에 본 논문에서는 CdTe 시료의 광전도도를 측정하여 운반자 수명 및 깊은 준위의 위치를 알아보았다 M MBE방법을 이용하여 CdTe 기판위에 In을 도핑한 CdTe를 성장하였다. 광전도 붕괴(PCD) 측정은 300 K에서부터 400 K까지 온도를 변화시켜주면서 측정을 하였고 광원으로서 G GaP- LED를 사용하였으며 전압 신호를 읽기 위하여 Tektronix 2430A 오실로스코프를 이용하 였다 .. Fig. 1. 에서 보인바와 같이 광전도 붕괴곡선은 접선으로 나타낸 하나의 지수 함수적 붕 괴(a2exp( -t/ r 2))보다는 설선으로 나타낸 두 개의 지수함수적 붕괴(alexp( νr 1)+a2exp( -νr 2)) 가 더욱 잘 실험결과와 일치함을 알 수 있었다. 이러한 것은 과잉 전하에 대한 깊은준위를 가 지고 있는 반도체물질에서 일반적으로 관찰되는 것으로 시료가 n 형이기 때문에 소수 운반자 인 정공의 벚에 의한 것으로 생각된다 .. Fig. 2. 에서는 운반자 수명의 온도에 대한 변화를 나타 낸 것이다. 온도가 증가함에 따라 운반자 수명이 감소하는 경항올 보이고 있으며 이것올 이용 하여 딪익 활성화 에너지를 계산 하여 본 결과 0.35 eV 와 0.43 eV염을 알수 있었다.

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The Impact of N-Ion Implantation on Deep-Level Defects and Carrier Lifetime in 4H-SiC SBDs (N-이온주입이 4H-SiC SBDs의 깊은 준위 결함 및 소수 캐리어 수명에 미치는 영향)

  • Myeong-cheol Shin;Geon-Hee Lee;Ye-Hwan Kang;Jong-Min Oh;Weon Ho Shin;San-Mo Koo
    • Journal of IKEEE
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    • v.27 no.4
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    • pp.556-560
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    • 2023

  • In this study, the impact of Nitrogen implantation process on deep-level defects and lifetime in 4H-SiC Epi surfaces was comparatively analyzed. Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) and Time Resolved Photoluminescence (TR-PL) were employed to measure deep-level defects and carrier lifetime. As-grown Schottky Barrier Diodes (SBDs) exhibited energy levels at 0.16 eV, 0.67 eV, and 1.54 eV, while for implantation SBD, defects at 0.15 eV were observed. This indicates a reduction in defects associated with energy levels Z1/2 and EH6/7, known as lifetime killers, as impurities from nitrogen implantation replace titanium and carbon vacancies.

  • https://doi.org/10.7471/ikeee.2023.27.4.556 인용 PDF

Energy Transfer and Cross-Relaxation in $Tb^{3+}$-doped Borosilicate Glasses ($Tb^{3+}$를 첨가한 Borosilicate 유리속에서 일어나는 에너지 전달과 Cross-Relaxation)

  • 김중환;문병기;오학태;김학수;윤수인;서효진;설정식
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.1 no.2
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    • pp.149-154
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    • 1990

  • Energy transfer in $Tb^{3+}$-doped borosilicate glasses has been studied by the analysis of fluorescence intensities and lifetimes of $^5D_3$ and $^5D_4$ states as a function of Tb3+ concentration. It is shown that as the $Tb^{3+}$ concentration is increased the cross-relaxation produces high population of the $^5D_4$ state at the expense of $^5D_3$. It is also found that this interaction is predominantly dipole-dipole transition with critical distance of 13 A. The critical distance for energy transfer $^5D_4$$^5D_4$ which is responsible for the quenching of 5D4 emission at high concentratron of Tb3+ ions is 4.5 A.

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