• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1236-1238
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• 1997

유전체 PLT(28) ($Pb_{0.72}La_{0.28}Ti_{0.93}O_3$) 박막을 레이저 어블레이션 기법으로 Pt/Ti/$SiO_3$/Si기판을 $500^{\circ}C{\sim}700^{\circ}C$까지 가열한 상태에서 $O_2$분위기에서 증착시켰다. 증착된 박막은 SEM, XRD 등의 구조적 분석을 통하여 $600^{\circ}C$이상에서 증착된 경우, (111)방향으로 우세하게 성장한, 결정성이 양호한 박막임을 확인하였다. 박막의 전기적 특성은, 증착 온도가 $650^{\circ}C$일 때 약 1400정도의 높은 비유전율을 얻었으며, 전하저장밀도는 100[KV/cm]에서 약 9[${\mu}C/cm^2$]이었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.139-142
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• 1998

PLZT thin films were fabricated with different Zr/Ti ratios by pulsed laser deposition. PLZT films deposited on Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrate. This PLZT thin films of 5000${\AA}$. thickness were crystallized at 600$^{\circ}C$, 200 mTorr O$_2$ press. 2/55/45 PLZT thin film showed a maximum dielectric constant value of $\varepsilon$$\_$r/=1500, and dielectric loss was 0.O$_3$. At 2/70/30 PLZT thin film, Coercive field and remnant polarization was respectively 19[kV/cm], 8[${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$].

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.122-125
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• 1999

(Ba$_{0.6}$Sr$_{0.4}$)TiO$_3$(BST) thin films were fabricated with different deposition temperature and oxygen pressure by Pulsed Laser Deposition(PLD). Energy Dispersive Spectroscopy(EDS) proved that BST thin films prepared by PLD have almost the same stoichiometric composition as the BST target materials. This BST thin films were fully crystallized at $650^{\circ}C$, 300mTorr oxygen pressure and showed a maximum dielectric constant value of $\varepsilon$$_{t}$=684 and dielectric loss was 0.01 at 75$0^{\circ}C$, 300mTorr oxygen pressure.ssure.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.511-514
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• 2000

This work aimed to develop ITO (Indium Tin Oxide) thin films ablation with a KrF Eximer laser required for the application in flat panel display, especially patterning into small geometry on a large substrate area. The threshold fluence for ablating ITO on glass substrate is about 0.1 J/cm$^2$. And its value is much smaller than using third harmonic Nd:YAG laser. Through the optical microscope measurement the surface color of the damaged ITO is changed into dark brown and irradiated spot is completely isolated form the undamaged surroundings by laser light. The XPS analysis showed that the relative surface concentration of Sn and In were essentially unchanged (In :Sn=5:1) after irradiating Eximer laser. Using aluminium mask made by second harmonic Nd:YAG laser the ITO patterning is carried out.

• 한국기계가공학회지
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• 제12권6호
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• pp.23-29
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• 2013

In this paper, pure $I_{ph}$ and hybrid carbon nanotube reinforced $I_{ph}$ were sintered using the SPS(spark plasma sintering) method for high densification. A nanosecond laser (${\lambda}=1063nm$, ${\tau}P=10ns$) and a femtosecond laser (${\lambda}=1027nm$, ${\tau}P=380fs$) were installed on an optical system for the micromachining test. The ablation characteristics of the pure $I_{ph}$ and CNT/$I_{ph}$ composites, such as thermal effect and ablation depth, were investigated using FE-SEM and a confocal microscope device. Laser machining results for the two mating materials showed improved performances: CNT/$I_{ph}$ composites showed good surface morphology of hole drilling without a melting zone due to the composites' high thermal properties; also, the ablated depth of CNT/$I_{ph}$ was higher than that of pure $I_{ph}$.

• 대한화학회지
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• 제50권6호
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• pp.440-446
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• 2006

액체상태에 분산된 ZnO 분말을 레이저 ablation 시켜 ZnO 나노입자를 생성하였고, 계면활성제에 따른 생성된 나노입자의 특성을 비교하였다. 생성된 나노 입자는 UV-VIS 흡광 스펙트럼과 X-ray 회절 스펙트럼으로 순수한 ZnO 결정 상태를 나타냄을 확인하였으며, 전자투과 현미경 사진으로 나노입자의 크기, 크기 분포 및 모양을 관찰하였다. 순수한 물에서 얻어진 ZnO 나노입자의 밴드 갭 에너지는 3.35 eV로 bulk ZnO와 비슷한 값을 나타내었으며, 평균 크기는 27 nm로 막대모양의 입자들이 주로 생성되었다. SDS 용액에서 얻어진 ZnO 나노입자는 입자 크기가 평균 28 nm인 주로 구형에 가까운 형태를 가졌으며 CTAB 용액에서 나노입자는 막대 모양의 형태가 많으며 평균 크기가 40 nm 이었다. CTAB 용액에서 만들어진 ZnO 나노입자는 SDS 용액에서 만들어진 ZnO 나노입자 보다 더 안정하였다. 이러한 계면활성제에 따른 ZnO 나노입자의 크기 및 모양, 그리고 안정성의 차이는 ZnO와 계면활성제 사이의 전하 극성 차이로 인한 정정기적 인력과 용매화 차이로 설명할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권12호
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• pp.1001-1007
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• 2001

In this study, high dielectric materials, (Pb,La)Ti $O_3$ thin films were fabricated by PLD (Pulsed Laser Deposition) method and investigated in terms of structural and electrical characteristics in order to develope the dielectric materials for the use of new capacitor layers of Giga bit-level DRAM. The deposition conditions were examined in order to fabricate uniform thin films through systematic changes of oxygen pressures and substrate temperature. The uniform thickness and smooth morphology of (P $b_{0.72}$L $a_{0.28}$)Ti $O_3$ thin films were obtained at the conditions of substrate-target distance 5.5[cm], laser energy density 2.1[J/$\textrm{cm}^2$], oxygen pressure 200[mTorr] and substrate temperature 500[$^{\circ}C$]. After the (P $b_{0.72}$L $a_{0.28}$)Ti $O_3$ thin films were fabricated under the above conditions, they were post-annealed by RTA process in order to increase the dielectric constant. The film thickness of 1200 [$\AA$] had dielectric constant 821. Assuming that operating voltage is 2V, leakage current density of (P $b_{0.72}$L $a_{0.28}$)Ti $O_3$ thin films would result into 10$^{-7}$ [A/$\textrm{cm}^2$] and satisfied the specification of 256M DRAM planar capacitor, 4$\times$10$^{-7}$ [A/$\textrm{cm}^2$]m}^2$]

• 한국자기학회지
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• 제10권1호
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• pp.30-36
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• 2000

Q switch mode 혹은 Fixed Q mode Nd-YAG 레이저 어블레이션법으로 (100)Si 기판위에 SmCo 박막을 증착하였다. 증착시 Sm$_{100-x}$Co$_{x}$ (73$\leq$x$\leq$93) 조성의 타겟을 사용하였고, 기판온도는 600~$700^{\circ}C$ 변화시켰으며 각 mode 에너지를 조절하였다. Q switching mode로 증착된 박막의 4$\pi$Ms, $_{i}$H$_{c}$ 및 4$\pi$M$_{r}$/4$\pi$M$_{s}$는 각각 5.2~7.7 kG, 190~250 Oe, 0.4~O.74이었다. 반면, Fixed Q mode로 얻어진 박막의 $_{i}$H$_{c}$, 4$\pi$M$_{r}$/4$\pi$M$_{s}$는 각각 430~6290 Oe, 0.32~0.91로 훨씬 양호한 경자기 특성이 나타났다. 후자의 자기특성은 박막에 존재하는 입자(droplet)내 SmCo$_{5}$ 와 Sm$_2$Co$_{17}$상의 생성에 의한 것으로 판단된다. 입자의 존재로 인한 박막표면의 거칠기는 향후 연구에서 해결되어야 할 문제점으로 확인되었다.문제점으로 확인되었다.었다.

• 한국광학회지
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• 제14권3호
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• pp.312-320
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• 2003

본 연구에서는 355 nm의 파장을 갖는 Nd:YVO$_4$ 3고주파 DPSS 레이저를 이용하여 폴리머의 3차원 미세형상 가공기술을 개발하였다. UV레이저와 폴리머의 어블레이션에 관한 메커니즘을 설명하였으며 비교적 UV영역에서 파장이 긴 355 nm파장의 영역에서는 광열분해 반응으로 가공되고 이에 따른 폴리머의 광학적 특성을 살펴보았다. 광 흡수율 특성이 우수한 폴리머가 광가공 특성이 좋은 것으로 나타났으나 벤젠구조가 많이 포함되어 있는 폴리이미드의 경우는 광분해후 다시 새로운 화학적 결합이 이루어져 가공부 면이 좋지 않은 면을 보였다. 레이저의 다중 주사방식으로 가공하기위하여 표면의 오염이 적은 폴리카보네이트를 시편으로 사용하여 3차원 적으로 모델링한 직경 1 mm와 500 $\mu\textrm{m}$의 마이크로 팬을 가공하였다. 레이저 발진 효율이 높고 유지비가 적은 355 nm의 DPSSL을 이용한 3차원 가공기술의 개발로 향후 저비용으로 빠른 시간에 미세부품을 개발하는 기술에 기여할 것으로 예상된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제32권2호
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• pp.77-82
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• 2022

고효율의 수전해 촉매는 낮은 전압에서 빠른 속도로 산화반응이 가능하기에 반응 활성이 높은 촉매설계 및 제조 공정이 필요하다. 현재 귀금속 촉매가 산소 발생 반응 성능에 있어서 우수한 특성을 보여주고 있지만 높은 가격과 낮은 반응성에 의한 효율 한계성으로 인해 상용화에 큰 어려움을 겪고 있다. 최근 귀금속 촉매를 대체하기 위해 저비용/고효율 수전해 촉매 개발연구가 활발하게 진행되고 있는데, 본 연구에서는 가격적인 측면에서 부담이 적고 산소활성 반응이 뛰어난 니켈 금속과 전기전도성이 뛰어난 multi walled carbon nanotube(MWCNT)를 이용하고 pulsed laser ablation in Liquid(PLAL) 공정을 적용하여 MWCNT 구조내에 Ni 을 성공적으로 dopping하여 Ni-MWCNT 촉매를 제작하고자 하였다. High resolution-transmission electron microscopy(HR-TEM) 분석 및 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) 분석을 통하여 개발된 수전해 촉매의 구조 및 화학적 조성을 확인하였으며, 촉매 산소발생반응 평가는 선형 주사 전위법(Linear sweep voltammetry; LSV) 과전압 특성, 타펠 기울기(Tafel slope), 전기화학 임피던스 분광법(Electrochemical impedance spectroscopy; EIS), 순환 전압 전류법(Cyclic voltammetry; CV) 및 Chronoamperometry(CA) 측정법으로 진행하였다.