• 대한전자공학회논문지
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• 제16권6호
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• pp.22-30
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• 1979

새로운 구조의 양전자 전산 단층 촬영기(Positron Computerized Tomography)를 제안하고 그 시스템의 성능을 컴퓨터로 예측하였다. 이 새로운 구조의 시스템은 sampling 간격을 임의로 할 수 있기 때문에 기존의 시스템에 비해서 보다 높은 분해능의 단층 영상을 얻을 수 있다. 컴퓨터 시뮬레이션으로 이 시스템에 어떠한 artifact가 생기나 살펴 보았고 Poisson noiserk 더해졌을 때의 영상을 비교함으로써 이 시스템이 기존의 시스템보다 나은 영상을 얻을 수 있음을 확인하였다.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제2권2호
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• pp.55-58
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• 1988

관벽온도에 따른 형광램프 양광주 내의 전자이동도 변화를 계산하였다. 전자분포 함수는 2 Electron Group Model을 사용하였다. 또한 이를 검증하기 위하여, 38mm 20W 형광램프 양광주 내의 전자이동도를 관벽온도를 변화시키면서 측정하였다. 측정방법으로는 양광주 내의 전계를 구하기 위하여 양극 및 음극 강하전압의 합을 15V로 가정하였으며 2중 슬릿을 사용하여 양광주의 길이를 측정하였다. 관벽온도를 $10-18^{\circ}C$로 변화시키며 계산하고 측정한 결과를 표시하였다.

• 한국진공학회지
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• 제17권4호
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• pp.311-316
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• 2008

저에너지(수 eV) 양전자 빔을 이용하여 도체나 반도체의 표면/계면의 물리화학적 특성 분석에 독특한 유용성이 보고 되고 있다. 기존의 표면 분석법에 비해 표면의 선택도가 향상되어 반도체 소자의 박막 두께가 얇아지는 최신기술에 적합한 분석법으로 주목을 받고 있다. 물질표면에 조사된 저에너지 양전자는 표면 근처의 image potential에 포획이 되어 표면에 있는 전자들과 쌍소멸하며 Auger 전자를 방출한다. 표면으로부터 방출된 Auger 전자의 에너지를 측정함으로 원자의 화학적 구별이 가능하므로 검출기의 에너지 분해도가 중요하다. 기존의 ExB 형태의 에너지 측정기는 분해도가 $6{\sim}10\;eV$ 정도이고 특정한 에너지 영역만을 일정시간 스캔하여 스펙트럼을 측정하므로 측정시간이 길어진다는 단점이 있다. 반면에 Time-Of-Flight(TOF) 시스템은 방출되는 전자들의 에너지를 동시에 검출하므로 측정시간이 단축되어 측정 효율이 향상된다. 에너지 분해도를 높이기 위해서는 측정하고자 하는 전자의 진행거리를 길게 할수록 좋으나, 공간적 제약을 고려한 reflected TOF 시스템과 retarding tube을 이용한 linear TOF 시스템의 에너지 분해도를 이론적으로 시뮬레이션하였다.

• 한국정보기술응용학회:학술대회논문집
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• 한국정보기술응용학회 2001년도 춘계학술대회 E-Business 활성화를 위한 첨단 정보기술
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• pp.71-72
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• 2001

인터넷에서의 전자메일 서비스는 상호 정보 교환과 최신 정보를 얻는 수단으로 이용되고 있으며 인터넷 사용자의 증가와 함께 수신되는 메일의 양도 증가한다. 수신되는 메일의 양이 증가할수록 사용자가 원하는 정보를 찾고, 관리하는 시간도 메일의 양에 따라 증가한다. 본 논문에서는 수신된 방대한 양의 메일을, 중요도나 주제에 따라 분류, 저장, 삭제하는 등을 관리 할 수 있는 전자메일 에이전트를 설계하고자 한다. 이 에이전트는 다른 에이전트들과의 상호협력을 통하여 긴급한 개인 메일을 사용자에게 즉시 전달할 수 있으며, 퍼지추론을 사용하여, 사용자가 원하는 정보만을 필터링 하여 방대한 메일링리스트의 메일들을 스스로 관리할 수 있게한다.

• 한국진공학회지
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• 제20권5호
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• pp.367-373
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• 2011

동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 p형과 n형 실리콘 시료에 0, 4.0 MeV 에너지의 1.0, $2.0{\times}10^{13}$ protons/$cm^2$ 양성자 빔 조사에 의한 결함을 측정하여 실리콘 구조 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수와 W-변수를 사용하여, 시료의 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수는 시료에 조사된 양성자의 빔 에너지에 따라 변하지 않고 거의 일정한 값을 보인 반면, 양성자 조사량의 변화에 따라 결함이 증가하였으며, 그 이유는 양성자 조사 에너지에 따른 Bragg 피크 때문에 에너지는 시료의 특정 깊이에 주로 결함을 형성하여 시료전체에는 결함으로 잘 나타나지 않기 때문으로 판단된다. 그리고 빔의 조사량에 따른 결함의 영향이 큰 것으로 나타났다.

• 전자진흥
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• 제5권7호
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• pp.102-113
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• 1985

• 전자진흥
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• 제15권6호
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• pp.20-26
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• 1995

• 전자진흥
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• 제16권7호
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• pp.82-84
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• 1996

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• 제19권4호
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• pp.243-254
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• 2002

Sondrestrom 비간섭 산란 레이더로부터 구한 전자밀도분포를 이용하여, 전리층의 전기전도도를 추정할때 야기되는 불확실성들을 검토하였다. 첫째, 실제로 관측된 전자밀도와 전자와 양이온의 온도차이 및 Debye length효과를 보정한 전자밀도를 사용했을 경우에 야기되는 전리층 전기전도도의 차이점을 비교하였다. 보정한 전자밀도로부터 추정된 전기전도도는 실측 전자밀도를 사용했을 때 보다 큰 값을 나타내었다. 둘째, 전기전도도 추정에 이용되는 전자-중성대기 및 양이 온-중성대기의 충돌빈도모델에 따른 차이점도 비교해 보았다. 약 110km 이하의 고도에서는 전기전도도가 충돌빈도모델에 크게 의존하지 않았지만, 약 110km 이상의 고도에서는 이용된 모델에 따라 전기전도도의 값이 달랐다. 셋째, 전자 및 양이온의 부정확한 온도측정이 전기전도도의 추정에 미치는 영향을 알아보았다. 전자 및 양이온의 온도측정에 약 10% 이내의 오차가 포함된 경우가 전기전도도의 계산에는 큰 영향을 미치지 않았다. 마지막으로, 고도 적분된 전기전도도의 추정시 적용되는 적분 구간에 대해서도 검토해 본 결과, Hall 및 Pedersen 전기전도도의 값이 각각 하부 및 상부 적분 고도의 선택에 매우 민감하다는 것이 밝혀졌다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1996년도 재료학회 추계학술발표회
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• pp.146-146
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• 1996