• Title/Summary/Keyword: 양자소자

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백금 기반 2종 나노입자에 대한 원자단위 시뮬레이션

  • Nam, Ho-Seok;Yun, Ga-Yeong;Kim, Gi-Beom;Jo, A-Yeong;Lee, Seung-Cheol;O, Jeong-Su;Choe, Jeong-Hye
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.9.1-9.1
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    • 2011
  • 나노입자는 벌크에 비해 월등히 큰 비표면적(surface-to-volume ratio)과 작은 사이즈에서 오는 양자효과로 인해 촉매나 나노 전자 소자 등 여러 분야에서 응용되고 있다. 특히 백금 나노입자는 수소나 메탄올의 산화, 산소환원 반응의 독보적인 촉매로서 연료전지의 산화극과 환원극의 촉매로 널리 활용되고 있다. 본 연구에서는 높은 가격의 백금의 사용량을 줄일 수 있는 합금 나노입자 촉매에 대한 연구의 일환으로 Pd, Au, Cu, Ag 등의 원소를 활용한 합금 나노입자에 대한 구조 및 열역학적 안정성에 대한 연구를 수행하였다. 다양한 합금에 대한 원자간 포텐셜을 개발하였고, 이를 기반으로 몬테카를로 및 분자동력학 시뮬레이션을 수행하여 Pd-Pt, Cu-Pt, Ag-Pt, Au-Pt 이원계 합금 나노입자의 다양한 원자 구조 및 형상에 따른 결합에너지와 열역학적 특성에 대하여 분석하였다.

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Improvement of efficiency ot Nd-type microchip laser by dissipative heat reduction (소모적 열감소에 따른 Nd형 마이크로칩 레이저의 효율 증가)

  • Jang, Won-Kweon;Yu, Young-Moon
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2003.07b
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    • pp.1011-1013
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    • 2003
  • 대개의 Nd형 레이저 광소자는 $^4F_{5/2}$의 준위로 펌핑하여 양자효율이 떨어지며, 소모적 열의 발생으로 마이크로칩 레이저의 높은 펌핑 밀도에 의한 열발생을 유도한다. 그러나 $^4F_{5/2}$ 준위로의 직접 펌핑은 소모적 열발생을 획기적으로 줄일 뿐 아니라 이로 인한 레이저 발진 효율의 증가를 가능하게 하였다. Nd:LSB 마이크로칩 레이저의 경우 공진기 구성에 따라 6-11%의 기울기 효율이 상승하였다.

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InGaN/GaN 양자우물층을 관통한 광결정 청색발광소자의 전기발광 특성

  • Choi, Jae-Ho;Lee, Jung-Tack;Kim, Keun-Joo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2010.06a
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    • pp.42-42
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    • 2010
  • Deep-trenched photonic crystals passing through InGaN/GaN quantum well structural layer have been fabricated on the surface of GaN-based light emitting diode(LED) using by electron beam nanolithography. The lattice constant and hole diameter of the photonic crystals are 230nm and 140nm, respectively. The structural and electro-optical properties have been investigated by scanning electron microscope(SEM) and power-current-voltage(L-I-V). Electroluminescence from GaN-based LED with deep-trenched photonic crystal shows the higher intensity than that without photonic crystal.

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휘도 향상용 ZnS 나노 렌즈 제작 및 OLED 소자의 전기·광학적 특성 연구

  • Yun, Dang-Mo;Kim, Il-Gu;Jo, Song-Jin;Kim, Mi-Yeong;Lee, Seung-Hyeon;Lee, Beom-Ju;Lee, Su-Hyeong;Lee, Chung-Hun;Sin, Jin-Guk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.391.1-391.1
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    • 2014
  • 광물질로 인광물질을 사용한 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)는 재결합에 의해 형성된 여기자를 발광에 모두 이용할 수 있기 때문에 내부 양자효율이 100%로 알려져 있다. 하지만 유기층에서 발생된 빛이 소비자에게 전달되기까지의 경로에서 발생되는 wave guiding effect로 인해, 발생된 빛의 20%만이 전달된다. 특히 bottom emission type의 OLED에서 glass와 air사이의 굴절률이 달라 발생되는 전반사에 의해 손실되는 빛의 양은 35%에 달한다. 따라서 본 연구에서는 glass와 air사이의 전반사를 줄이고 광추출을 위해 습식 방법으로 hemisphere type의 ZnS를 제작하였다. 제작된 ZnS는 직경 200nm까지 성장하였으며, 이렇게 제작된 ZnS nano lens가 적용된 OLED device에서 휘도가 20% 이상 향상되는 것을 확인하였다.

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A Circuit Design of 4:1 Parallel ADC Using Source Coupled FET Logic (Source Coupled FET Logic을 이용한 4:1 병렬 ADC 설계)

  • 윤몽한;임명호;이상원;이형재
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.15 no.6
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    • pp.467-474
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    • 1990
  • In this paper, the circuit that has characteristics of high speed and low dissipation is described. A 4:1 parallel ADC is constructed by using the designed SCFL(Source Coupled FET Logic). The results of simulation shows that comparators is obtained integrated nonlinearity, $\pm$28mV, compared with limiting value, $\pm$68mV, at 66NHz input signal and 2Gs/s Niquist rates and this paper describes low power dissipation about 0.43W by reducing the elements in a ADC design.

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Optimization of Device Process Parameters for GaAs-AlGaAs Multiple Quantum Well Avalanche Photodiodes Using Genetic Algorithms (유전 알고리즘을 이용한 다중 양자 우물 구조의 갈륨비소 광수신소자 공정변수의 최적화)

  • 김의승;오창훈;이서구;이봉용;이상렬;명재민;윤일구
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.14 no.3
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    • pp.241-245
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    • 2001
  • In this paper, we present parameter optimization technique for GaAs/AlGaAs multiple quantum well avalanche photodiodes used for image capture mechanism in high-definition system. Even under flawless environment in semiconductor manufacturing process, random variation in process parameters can bring the fluctuation to device performance. The precise modeling for this variation is thus required for accurate prediction of device performance. The precise modeling for this variation is thus required for accurate prediction of device performance. This paper will first use experimental design and neural networks to model the nonlinear relationship between device process parameters and device performance parameters. The derived model was then put into genetic algorithms to acquire optimized device process parameters. From the optimized technique, we can predict device performance before high-volume manufacturign, and also increase production efficiency.

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Two wave mixing in porphyrin-doped hybrid type photorefractive material (폴피린이 첨가된 hybrid 형태의 광굴절 매질의 이광파 혼합)

  • 김기현;김태균;이상조;최병철;경천수;성기영;곽종훈
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2001.02a
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    • pp.204-205
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    • 2001
  • 광굴절 매질은 높은 감도와 실시간 정보의 재기록 특성 때문에 동적 홀로그램과 그밖에 다른 광 신호 처리 소자로써 널리 연구되어지고 있다. 동적 홀로그램 매질에는 다중 양자 우물 구조(multiple quantum well structures), 네마틱 액정(nematic liquid crystals), 광굴절 결정(photorefractive crystal)과 폴리머 등의 다양한 종류의 형태가 있다. 특히 광굴절 고분자(photorefractive polymer)는 다양한 종류와 크기로 제작이 가능하며, 빠른 처리속도, 높은 이득계수(gain coefficient) 등으로 인하여 기존의 무기물 광굴절 결정(inorganic photorefractive crystal)을 대체할 수 있는 장점을 가지고 있다. (중략)

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${\cdot}$병렬 회로의 백색 LED 조명램프 금속배선용 포토마스크 설계 및 제작

  • 송상옥;송민규;김태화;김영권;김근주
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2005.05a
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    • pp.84-88
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    • 2005
  • 본 연구에서는 백색광원용 조명램프에 필요한 고밀도로 집적된 LED 어레이를 제작하기 위하여 반도체제조 공정에 필요한 포토마스크를 AutoCAD 상에서 설계하였으며 레이저 리소그래피 장비를 이용하여 포토마스크를 제작하였다. 웨이퍼상에 LED칩을 개별적으로 제작한 후 이들을 직렬 및 병렬로 금속배선하여 연결하였다. 특히 AutoCAD로 각 공정의 포토마스크 패턴을 설계 작업한 후 DWG 파일을 DXF 파일로 변환하여 레이저빔으로 스캔닝하였다. 이를 소다라임 유리판 위에 크롬을 증착한 후 각 패턴에 맞추어 식각 함으로써 포토마스크를 제작하였다. 또한 2인치 InGaN/GaN 다중 양자우물구조의 광소자용 에피박막이 증착된 사파이어 웨이퍼에 포토마스크를 활용하여 반도체 제조공정을 수행하였으며, 금속배선된 백색LED램프를 제작하였다.

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White Light Emitting Diode with the Parallel Integration of InGaN-based Multi-quantum Well Structures (InGaN계 다중양자우물구조를 병렬 집적화한 백색광소자의 특성 연구)

  • 김근주;이기형
    • Journal of the Semiconductor & Display Technology
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    • v.3 no.4
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    • pp.39-43
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    • 2004
  • The parallel multi-quantum well structures of blue and amber lights were designed and grown in metal-organic chemical vapor deposition by utilizing integration process on epitaxial layers. Samples were deposited for 5 periods-InGaN multi-quantum well layers for blue light emission and partially etched in order to regrow the 3 periods-InGaN multi-quantum wells for amber light. The blue and amber photoluminescence spectra were observed at the peak wavelengths of 475 and 580 nm, respectively. The chromatic coordinates of the white emitting diode were 0.31 and 0.34.

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Development of a Superconducting Quantum Interference Device System for Biomagnetic Measurements (생체자기계측을 위한 초전도 양자간섭소자 시스템 개발)

  • Lee, Y.H.;Kwon, H.C.;Kim, J.M.;Park, Y.K.;Park, J.C.
    • Proceedings of the KOSOMBE Conference
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    • v.1996 no.11
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    • pp.11-14
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    • 1996
  • Biomagnetic measurements provide superior spatial and temporal resolutions compared with the present electric measurements. We developed a SQUID system for biomagnetic applications. A magnetic field from the spontaneous ${\tau}$-rhythm activity and an auditory evoked magnetic field have been measured. And a measurement of magnetocardiogram and its field mapping have been done.

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