• KIPE Magazine
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• v.25 no.3
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• pp.45-49
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• 2020

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.19 no.2
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• pp.50-56
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• 2016

Spherical lithium manganese oxide spinel, $Li_{1.10}Mn_{1.86}Al_{0.02}Mg_{0.02}O_4$ was prepared by wet-milling, spray-drying, and sintering process. In the spray-drying process, solid content in slurry was varied from 20 to 30 wt%. In the sintering process, the precursors have been sintered under air or $O_2$ atmosphere. While the as-prepared samples exhibit excellent electrochemical properties at room temperature, the discharge voltage profiles at 5.0C are very different one from another. The origin for the difference especially at initial state of discharge is oxygen defect. The sample prepared in air has larger capacity related to the plateau at 3.3 V (vs. $Li/Li^+$) which is caused by the oxygen defects than the one prepared in $O_2$. The difference of discharge voltage profiles especially at the final state of discharge comes from different diffusion rate of $Li^+$ ions. The sample prepared from 30 wt% solid content of slurry shows twice higher diffusion rate than the samples prepared from 20 wt% solid content, which is attributed to better compactness between primary particles for the sample prepared from 30wt % solid content than the one prepared by 20 wt%.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.449-449
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• 2008

전기 흡수 방법과 변조 광전류 분광학을 이용하는 방법으로 내장 전압을 측정할 수 있다. 이 논문에서는 변조 광전류 분광학을 사용하였다. 소자에 인가 전압이 영일 때 양극과 음극의 일 함수 차이 때문에 내장 전압이 존재하며, 그로 인해 내장 전기장이 생긴다. 유기 발광 소자의 광전도도는 엑시톤이 자유 전자와 정공으로 분리될 때 발생한다. 이 때 발생되는 광전류의 크기와 광전류의 위상 변화를 측정하여 내장 전압을 추정한다. 소자의 구조는 두 전극 사이에 단층으로 하여 만들었으며 모든 소자에서 발광층인 $Alq_3$ 두께는 150nm로 하였고, 양극으로는 ITO를 사용하였으며, 음극으로는 Al과 LiAl을 100nm 두께와 150nm두께로 하였다. ITO/$Alq_3$/Al 소자 구조에서 Al 100nm 와 150nm 로 두께 변화를 주었으나 내장 전압은 1.0eV로 변화가 없었다. ITO/$Alq_3$/LiAl 소자 구조에서 LiAl이 100nm 와 150nm 두께 변화에서도 내장 전압은 1. 8eV로 같은 크기를 보였다. 이로 부터 전극의 두께와는 상관없이 일정한 내장 전압이 측정됨을 알 수 있었다. LiAl을 사용한 소자의 경우 Al을 음극으로 사용한 소자에 비해 내장 전압이 0.8eV 증가되었다. 이는 LiAl의 일함수가 Al보다 낮은 값을 갖는 것과 일치하는 결과이다. 이런 결과가 나온 까닭은 LiAl을 음극으로 사용한 경우에는 자유로운 $Li^+$이 발생하여 유기물에 더 좋은 전자 주입이 되도록 하여 소자의 전자 장벽을 낮추었기 때문에 전자의 주입이 활발하여 광전류의 이동이 용이했음을 알 수 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.401-401
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• 2007

내장 전압의 측정은 전기흡수 방법과 변조 광전류 분광학을 이용하는 방법이 있으며, 우리는 이 논문에서 변조 광전류 분광학을 사용하여 내장 전압을 측정하였다. 소자에 인가 전압이 영일 때 양극과 음극의 일 함수 차이 때문에 내장 전압이 존재하며, 그로 인해 내장 전기장이 생긴다. 유기 발광 소자의 광전도도는 엑시톤이 자유전자와 정공으로 분리들 때 발생한다. 이 때 발생되는 광전류와 광전류의 위상 변화를 측정하여 내장 전압을 추정한다. 소자의 구조는 두 전극 사이에 단층으로 하여 만들었으며 모든 소자의 $Alq_3$ 두께는 150nm로 하고, 양극은 ITO를 사용하였고 음극은 Al과 LiAl을 100nm 두께로 하였다. 내장 전압의 측정 결과 ITO/$Alq_3$/LiAl의 내장 전압은 0.9eV로 측정된 데 반해 ITO/$Alq_3$/LiAl은 1.6eV로 측정되었다. 따라서, LiAl을 사용한 소자의 경우 Al을 사용한 소자에 비해 내장 전압이 0.7eV 증가되었다. 이는 LiAl의 일함수가 Al보다 낮은 값을 갖는 것과 일치하는 결과이다. 이런 결과가 나온 까닭은 LiAl을 음극으로 사용한 경우에는 자유로운 $Li^+$이 발생하여 유기물에 더 좋은 전자주입이 되도록 하여 소자의 전자 장벽을 낮추었기 때문에 전자의 주입이 활발하여 광전류의 이동이 용이했음을 알 수 있다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.19 no.12
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• pp.2892-2898
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• 2015

We propose a new Double-Independent-Gate Ambipolar Silicon-Nanowire Field Effect Transistor(DIG Ambi-SiNWFET). The proposed transistor has two types of gate such as polarity gate and control gate. The polarity gate determines the operation that the gate bias controls NMOSFET or PMOSFET. The voltage of control gate controls the current characteristic of the transistor. We investigated systematically work functions of the two gates and source/drain to operate ambipolar current-voltage characteristics using 2D device simulator. When the work functions of polarity gate, control gate and source/drain are 4.75eV, 4.5eV, and 4.8eV, respectively, it showed the obvious ambipolar characteristics.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2018.06a
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• pp.66.1-66.1
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• 2018

최근 자동차 배기가스 규제 및 전기자동차, 무인항공기 개발 등의 경량 소재에 대한 필요성이 지속적으로 증가하고 있다. 마그네슘 및 마그네슘 합금은 구조용 금속 소재 중 가장 밀도가 낮은 금속으로서 자동차, 항공, 기계 부품류 및 주방용품이나 전자제품 케이스류 등 다양한 산업분야에서 활용성이 크게 증가하고 있다. 하지만 마그네슘 합금은 화학적 반응성이 매우 크고 표면에 존재하는 피막의 치밀성과 화학적 안정성이 낮아서 쉽게 부식되는 단점이 있다. 따라서 내식성 향상을 위한 표면처리 기술 개발에 대한 필요성이 증대되고 있다. 양극 산화법은 금속표면에 양극 전류를 인가하여 산화피막을 인위적으로 형성시켜줌으로써 내식성을 향상시켜 주는 방법으로서 산업적으로 널리 사용되고 있는 표면처리 방법 중의 하나이다. 본 연구에서는 주석산나트륨의 농도에 따른 AZ31 마그네슘 합금의 양극 산화 피막 형성 거동을 연구하였다. DC 전류를 인가하여 양극산화 피막을 형성하였으며, 피막형성 전압 및 형성된 피막의 두께, 표면 거칠기 및 피막의 구조 등을 분석하여 주석산나트륨 농도에 따른 양극산화 피막의 형성 특성에 대하여 자세하게 고찰하였다.

• Journal of the Korean Society of Fisheries and Ocean Technology
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• v.19 no.1
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• pp.57-62
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• 1983

The galvanic anodes have three kinds of Zn alloy anode, Al alloy anode and Mg alloy anode, which are widely used in cathodic protection for all metal structures in water or under ground. This paper to be used for designing of the grounding cell has reached the following conclusion as the results of an experimental study on the characteristics of such galvanic anodes for corrosion protection of pipings: 1) Zn alloy anode was the best when the specific resistance of the environment was bellow 1000 $\Omega$.cm, and when above 1000 $\Omega$.cm, Mg alloy anode to be used for designing of the grounding cell was the best. 2) Al alloy anode was better than Mg alloy anode for grounding cell when the specific resistance was bellow 500 $\Omega$.cm, but the Al alloy anode in all the environments reduced the characteristics of galvanic anode to the lower grade than those of Zn alloy anode. 3) Each impressed voltage (E) of the anodes at which drainage current density ($\rho$) begins rapidly increasing is quantitatively presented as follows: \circled1 E sub(Zn)=log (4.9465/$\rho$super(0.0639))+11$\times$10 super(-6)$\rho$super(0.8923i) \circled2 E sub(Al)=log (4.9306/$\rho$super(0.0525))+13$\times$10 super(-6)$\rho$super(0.9314i) \circled3 E sub(Mg)= log (3.7086/$\rho$super(0.0988))+181$\times$10 super(-6)$\rho$super(0.5406i) 4) The empirical equations between the drainage current density (i) and impressed environment are modeled as the following type. logi=g+root(n.E+r)(g,n,r; constants)

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.5 no.3
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• pp.111-116
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• 2002

Electrochemical scanning tunneling microscopy was employed to study the evolution of surface morphology during electrochemical preparation of Si(111)-H from Si(111) oxide. Anodic dark current of cyclic voltammogram in 0.2M $NH_4F$ solution (pH 4.7) decreased as the number of cycles increased and remained nearly constant after the second cycle. Then, the Si(111) oxide was entirely stripped, which was followed by H termination on the Si(111) surface. Hydrides at kink and step sites were etched more rapidly than on the terrace, which remained triangle pits with [112] oriented steps where existed stable monohydride. Then, triangle pits deepened. During chronomamperometry at 0.4V anodic dark current shoulder appeared and decreased slowly, indicated the stripping of Si(111) oxide and the formation of stable (112) oriented steps with monohydride. Additionally, the etching mechanism of Si(111)-H in 0.2M $NH_4F(pH 4.7)$ solution at +0.4V was discussed.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2017.05a
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• pp.133-133
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• 2017

[서론] Pure Ti 및 Ti합금의 양극산화법에 의해 만들 수 있는 자기조직화된 나노튜브피막은 광촉매, 태양전지 등 다양한 분야에서 많은 연구가 되고 있다. 양극산화법에 의해 생성되는 산화피막층의 성장거동에 대해서 지금까지 용액의 pH, 온도 및 인가전압 등 양극산화조건의 영향에 대해 많은 연구가 보고 되었다. 하지만, 양극산화에 사용되는 기판의 특성에 대해서는 많은 연구가 이루어지지 않고 있다. 본 연구에서는 pure Ti 및 Ti-Ni합금에 양극산화법에 의해 생성하는 나노튜브 피막층의 성장거동에 대해 기판의 특성(Ni농도 변화 및 phase변화)이 피막층의 형태 및 성장거동에 미치는 영향에 대해서 조사 하였다. [실험방법] Sample은 pure Ti 및 Ti-xNi(x=49.0, 51.1, 52.2, 52.5 at.%)를 이용하였다. Ti-Ni합금은 아크용해로 제작 후 $1000^{\circ}C$ 에서 24시간 균질화 처리 후 20% 냉간압연을 하였다. 합금의 조성 및 결정구조 분석은 EPMA 및 XRD를 통해 조사 하였고, 양극산화는 미량의 물 및 불화암모늄을 포함한 에틸렌글리콜 용액에서 20, 35, 50V 20분간 실시하였다. 양극산화법에 의해 형성한 산화피막층은 FE-SEM 및 TEM을 통해 관찰 하였다. [결론] Pure Ti의 경우 모든 조건에서 나노튜브형태의 산화막이 형성되는 것을 알 수 있었다. 하지만, Ti-Ni 합금의 경우 20V, 35V에서는 sponge 형태의 산화막이 형성되고, 50V에서만 나노튜브형태의 산화막이 형성 되었다. 또한, 모든 시편에서 양극산화 시간이 증가함에 따라 나노튜브형태의 산화막은 sponge 형태로 구조적 변화가 일어나는 것을 알 수 있었다. 그리고, 기판 Ni농도가 증가 함에 따라 형성되는 산화막의 형태 변화는 가속화 되는 것을 알 수 있었다. 이러한 결과는 양극산화 초기 Ti의 우선적 산화에 의해 Ti과잉의 나노튜브층이 생성되고, 동시에 산화막과 합금계면에 Ni과잉층이 형성되는 것을 알 수 있었다. 산화막과 합금계면에 생성된 Ni과잉층에 의해 양극산화 시간이 증가함에 따라 sponge형태의 산화막이 생성되는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1940-1941
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• 2007

양질의 전력을 요구하는 경향으로 인해 과도현상이 높은 관심의 대상이 되고 있다. 스위치를 개방 후 반 사이클 후에는 스위치 양극간 전압은 발전기 전압 첨두치의 2배가 된다. 본 논문에서는 EMTP에서 제공하는 선로모델 중 비연가 선로와 연가선로를 이용하여 개폐서지와 선로모델과의 관계를 모델링 하였다. 송전단 측에서는 스위치 개폐 후 두 선로모델 사이의 전압 파형에는 큰 차이가 없었으나 수전단 측에서는 두 선로모델 간에 현저한 차이를 보여주었다.