• Title/Summary/Keyword: 압하

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New Zero Voltage Switched PWM Converter with Two Saturable Inductors (두 개의 가포화 인덕터를 갖는 새로운 영전압 스위칭 방식의 PWM 컨버터)

  • 정규범;노의철
    • The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.11 no.1
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    • pp.65-71
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    • 1997
  • 주 스위치가 항상 영전압에서 스위칭을 하는 새로운 영전압 스위칭 방식 (ZVS)의 PWM 컨버터를 제안하였다. 제안된 컨버터에서 두 개의 가포화(saturable)인덕터를 보조 스위치의 전도 손실을 줄이기 위하여 기존의 ZVS PWM 컨버터에서 사용한 한 개의 인덕테를 대체하였다. 컨버터의 주 스위치는 영전압 스위칭으로 인하여 스위칭의 전류를 줄이므로써 최소화하였다. 따라서, 제안된 컨버터는 고 전력밀도의 시스템 구현에 사용이 가능하다. 영전압 스위칭을 포함한 위의 특징을 실험을 통하여 증명되었다.

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과학리포트-초고압의 세계

  • Lee, Gwang-Yeong
    • The Science & Technology
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    • v.28 no.5 s.312
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    • pp.14-15
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    • 1995
  • 사람이 다이아몬드를 만든다는 것은 지금부터 30년전만 해도 하나의 꿈에 불과했다. 그러나 지금은 초고압이 만들어내는 요술의 힘을 빌어 인조 다이아몬드를 공장에서 쉽게 만들고 있다. 이 요술쟁이 초고압은 과연 어떤 것일까? 우리나라에서도 인조 다이아몬드 개발에 성공, 88년부터 상품화해 수출까지 하고 있는데 이러한 신비로운 초고압의 세계를 훑어본다.

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초고압 대전력 단락연구설비에 대하여

  • 심문식
    • 전기의세계
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    • v.32 no.2
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    • pp.86-92
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    • 1983
  • 우리 전기공업계의 숙원사업이던 초고압 및 대전력 연구설비가 1982.10.29일 준공식을 마치므로서 전기공업계의 활성화를 도모하게 되었다. 이중 고전압 시험설비에 대하여 기술하고자 한다. 고전압 시험연구동 건물과 부대설비는 1979.10.15 착공하여 1981.4.17 준공을 시키고 동년 9.25일 연구시험설비 설치공사를 완료 11.27일부터 12.22일까지 A.C내전압 시험설비에 대한 성능시험을 마치고, 연구업무를 개시하기 시작하였다.

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초고압 지중 송전선로(O.F케이블)의 개발현황 및 전망

  • 박중근;이응종
    • 전기의세계
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    • v.37 no.10
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    • pp.39-45
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    • 1988
  • 당사의 초고압 전력케이블은 1978년 국내 최초로 154KV O.F케이블을 실용화한 이래, 해외로부터의 기술 도입과 이를 계량발전시킴으로써 현재는 초고압 케이블의 전 분야에 걸쳐 세계적, 최선진 기술수준에 이르게 되었다. 본 내용에서는 초고압 전력케이블의 주류인 O.F 케이블에 대하여 당사의 개발현황 및 향후 O.F 케이블 관련기술전망에 대하여 기술하고자 한다.

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Effect of a Frontal Impermeable Layer on the Excess Slurry Pressure during the Shield Tunnelling (전방 차수층이 쉴드터널 초과 이수압에 미치는 영향)

  • Lee, Yong-Jun;Lee, Sang-Duk
    • Proceedings of the KSR Conference
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    • 2011.10a
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    • pp.1199-1213
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    • 2011
  • Slurry type shield would be very effective for the tunnelling in a sandy ground, but low slurry pressure could cause a tunnel face failure or a ground settlement in front of the tunnel face. Thus, the stability of tunnel face could be maintained by applying an excess slurry pressure that is larger than the active earth pressure. However, the slurry pressure should increase properly because an excessively high slurry pressure could cause the slurry flow out or the passive failure of the frontal ground. It is possible to apply the high slurry pressure without passive failure if a horizontal impermeable layer is located in the ground in front of the tunnel face, but its location, size, and effects are not clearly known yet. In this research, two-dimensional model tests were carried out in order to find out the effect of a horizontal impermeable layer for the slurry shield tunnelling in a saturated sandy ground. As results, larger slurry pressure could be applied to increase the stability of the tunnel face when the impermeable layer was located in the ground above the crown in front of the tunnel face. The most effective length of the impermeable grouting layer was 1.0~1.5D, and the location was 1.0D above the crown level. The safety factor could be suggested as the ratio of the maximum slurry pressure to the active earth pressure at the tunnel face. It could also be suggested that the slurry pressure in the magnitude of 3.5~4.0 times larger than the active earth pressure at the initial tunnel face could be applied if the impermeable layer was constructed at the optimal location.

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Evaluation of the backfill injection pressure and its effect on ground settlement for shield TBM using numerical analysis (쉴드 TBM 뒤채움압 산정 및 침하영향에 대한 수치해석적 연구)

  • Ahn, Chang-Kyun;Yu, Jeong-Seon;Lee, Seok-Won
    • Journal of Korean Tunnelling and Underground Space Association
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    • v.20 no.2
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    • pp.269-286
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    • 2018
  • Backfill injection pressure in shield TBM affects not only ground settlement but also adjacent underground structures. Therefore, it is essential to estimate a suitable backfill injection pressure in advance in design stage. In this paper, seven suggested equations worldwide to calculate the backfill injection pressure were reviewed and compared. By assuming 6 cases of virtual ground condition, backfill injection pressures were calculated and analyzed. it was confirmed that the backfill injection pressure increases as the depth of overburden increases, but the increasing ratio decreases. The numerical analysis was carried out by applying the calculated backfill injection pressure to investigate the influence of backfill injection pressure on the settlement of surface and crown of tunnel. It was confirmed that the final settlement at the surface and crown of tunnel on the both unsaturated and saturated condition are more influenced by the applied face pressure than the applied backfill injection pressure. In addition, the effect of backfill injection pressure decreases as the depth of overburden increases, and the effect of backfill injection pressure increases as the applied face pressure decreases.

Analysis of Oscillometric Model based on Shape of Arterial Pressure (동맥압 형태를 고려한 오실로메트릭 모델분석)

  • 임성수;이경중
    • Journal of Biomedical Engineering Research
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    • v.21 no.4
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    • pp.411-417
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    • 2000
  • This paper describes the analysis of the oscillometric method based on the shape of arterial pressure and proposal of a new algorithm for estimating the blood pressure by computer simulation. In the first step, the arterial pressure model which is able to control the shape of arterial pressure was designed and then we simulated the oscillometric model using both the existing exponential model showing the static arterial pressure-volume relation and the designed arterial pressure model. By analyzing the correlation of characteristic ratio based on the shape of arterial pressure, we could find that the characteristic ratio was not the only standard parameter for estimating systolic and diastolic pressure. We were able to estimate the shape of arterial pressure by computing the correlation of arterial pressure shape with oscillation shape. Finally, we proposed an algorithm which is able to estimate systolic and diastolic pressure according to pressure(Pp) table constructed from the relation of maximum amplitude of oscillation and arterial pressure shape. We tested 60 arterial pressure waveforms having various arterial pressure shape and pulse. As a results, the absolute deviation average values of the estimation of systolic, diastolic and mean pressure were 1.62%, 2.40% and 2.20%, respectively. In conclusions, the proposed algorithm showed the possibility of usefullness in estimating the blood pressure.

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Direct Measurement of Blast Pressure in Near Field with Lead Plate Blast Pressure Meter (Lead Plate Blast Pressure Meter를 이용한 근거리 기폭의 발파압 계측)

  • Ko, Young-Hun;Jang, Hyong-Doo;Yang, Hyung-Sik
    • Tunnel and Underground Space
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    • v.22 no.1
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    • pp.54-59
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    • 2012
  • Deformation of Lead plate blast pressure meter were measured after they were exposed to surface blasting. Blasting pressure was determined by comparing the data with calibration graph which was drawn from the laboratory experiments with gas gun of Hopkinson bar tester. The results were compared with calculated values from the equations of CONWEP (Conventional Weapons Effects Program) and DDESB (Department of Defence Explosives Safety Board). Measured values were lower than calculated values in near field. Gradual decaying tendency of the pressure was observed. It means that estimated blasting pressure of very near field with theoretical equations can be uncertain.

대기압 플라즈마를 이용한 a-Si 식각 기술

  • No, Tae-Hyeop;Seok, Dong-Chan;Yu, Seung-Yeol
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.142-142
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    • 2013
  • DBD (Dielectric Barrier Discharge) 대기압 플라즈마를 이용한 a-Si 식각기술에 대한 연구결과를 논하고자 한다. 기술개발의 목적은 대면적 TFT-LCD 혹은 Flexible Display 공정에 적용가능한 대기압 플라즈마 식각장치의 개발 및 검증이다. 실험에서 식각 가스로는 SF6, NF3 등을 사용하였으며, 질소를 기본 가스로 사용하였다. 검증용으로 개발된 대기압 플라즈마 식각 장치는 대기압 플라즈마 장치를 연속적으로 통과하는 in-line system 형식으로 개발되었다. 검증에 사용된 대기압 플라즈마 장치는 300 mm의 방전 폭으로 1세대 LCD기판의 처리가 가능하다. 대기압 플라즈마 식각 기술 개발에서 식각율에 영향을 미치는 변수들은 기판의 온도, 식각가스의 농도, 기판의 이송속도, 기판과 플라즈마 발생장치 사이의 간격 그리고 플라즈마의 인가 전력 등으로 크게 구분지어 생각할 수 있다. 개발된 식각 장치는 SF6를 사용하는 경우 최대 환산 식각율은 500 nm/min 정도이다. 식각 기술에서 중요한 식각 Uniformity와 그와 연관된 a-Si/SiNx 식각 선택비는 사용하는 가스의 Recipe 개발에 중점을 두고 연구를 진행하였다. 식각 Uniformity는 약 7% 이내의 균일도를 갖고 a-Si/ SiNx의 선택비는 10이상의 결과를 얻었다. 또한 식각 가스는 식각 profile에 영향을 줄 수 있는데 대기압 환경에서 형성되는 collisional sheath에도 불구하고 비 등방성 식각이 가능하였다.

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