• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2010.07a
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• pp.440-441
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• 2010

본 논문은 동기 전동기 속도 및 토크 제어를 위해 필요한 전류 센싱 방식들의 특징을 비교분석한다. 동기 전동기 전류 검출 방법 중 가장 많이 사용되는 홀 CT (Current Transducer)를 이용한 방법과 3상 인버터 각 암에 3개의 Shunt Resistor를 통하여 전류를 검출하는 방법을 적용하여 동기 전동기를 벡터제어하고 각각의 장단점을 분석한다. 분석내용을 PSIM을 이용한 컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 검증한다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.22 no.6
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• pp.327-334
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• 2013

Long-wave infrared detectors using the type-II InAs/GaSb strained superlattice (T2SL) material system with the nBn structure were designed and fabricated. The band gap energy of the T2SL material was calculated as a function of the thickness of the InAs and GaSb layers by the Kronig-Penney model. Growth of the barrier material ($Al_{0.2}Ga_{0.8}Sb$) incorporated Te doping to reduce the dark current. The full width at half maximum (FWHM) of the $1^{st}$ satellite superlattice peak from the X-ray diffraction was around 45 arcsec. The cutoff wavelength of the fabricated device was ${\sim}10.2{\mu}m$ (0.12 eV) at 80 K while under an applied bias of -1.4 V. The measured activation energy of the device was ~0.128 eV. The dark current density was shown to be $1.0{\times}10^{-2}A/cm^2$ at 80 K and with a bias -1.5 V. The responsivity was 0.58 A/W at $7.5{\mu}m$ at 80 K and with a bias of -1.5 V.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.11a
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• pp.181-182
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• 2015

QZSI(Quasi Z-Source Inverter)를 이용한 유도전동기 제어시스템은 암단락 상태를 제어에 이용할 수 있어서 추가 컨버터 없이도 단일 구조로 가변 배터리 전압을 일정하게 승압할 수있다. 암단락을 이용한 승압은 직류단 전압제어가 보장되어야 하며 전압 제어기 성능이 인버터 출력 전류 제어에 상당한 영향을 미친다. 본 논문은 QZSI에서 직류 전압을 승압시키기 위한 암단락 시간을 효율적으로 제어하기 위한 변형 공간벡터방식을 이용하여 유도 전동기를 제어하고 시뮬레이션과 실험을 통해 이를 검증한다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.14 no.1
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• pp.49-57
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• 2005

The characteristics of current and voltage in a basic discharge experiment are investigated for a cold cathode fluorescent lamp with ballast capacitors attached at both ends of lamp and for a capacitive coupled external electrode fluorescent lamp. In the current-voltage characteristics for a cold cathode fluorescent lamp except ballast capacitors, it is shown that the typical glow discharge with the cathode fall follows after the dark current and Townsend firing discharge. However, in the characteristics for a cold cathode fluorescent lamp including ballast capacitors, the current increases as the voltage increases in the glow discharge region without representing a cathode fall since the most voltage is loaded at two capacitors. The characteristics for the external electrode fluorescent lamp shows the same as that of the cold cathode fluorescent lamp in the respect of glow discharge characters, and the external electrode itself roles the ballast capacitor.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.4
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• pp.426-433
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• 1995

Effect of boron in GaAs have been investigated by photo induced current transient spectroscopy(PICTS). The starting material was undoped liquid encapsulated Czochralski(LEC) semi insulating GaAs and boron ion implantation at 150keV energy was conducted with dose of 10$\^$12/ and 10$\^$13/ions/cm$\^$2/. In ion implanted samples, the peaks related arsenic vacancy(V$\_$As/) were decreased but complex lattice defect was increased with annealing temperature. U band was observed at ion implanted(10$\^$13/ ions/cm$\^$2/) and thermally treated(550.deg. C) sample. More negative peak was detected after annealing at temperature between 600 and 700.deg. C. The measurement of dark current showed that the formation of B$\_$GA/-V$\_$As/, complex defect and complex lattice defect by ion implantation were a reasonable explanation for the decrease in dark current.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.3
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• pp.217-223
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• 2010

We grew multi-stacked InAs/$In_{0.1}Ga_{0.9}As$ DWELL (dot-in-a-well) structure by metal organic chemical vapor deposition and investigated optical properties by photoluminescence and I-V characteristics by dark current measurement. When stacking InAs quantum dots (QDs) with same growth parameter, the size and density of QDs were changed, resulting in the bimodal emission peak. By decreasing the flow rate of TMIn, we achieved the uniform multi-stacked QD structure which had the single emission peak and high PL intensity. As the growth temperature of n-type GaAs top contact layer (TCL) is above $600^{\circ}C$, the PL intensity severely decreased and dark current level increased. At bias of 0.5 V, the activation energy for temperature dependence of dark current decreased from 106 meV to 48 meV with increasing the growth temperature of n-type GaAs TCL from 580 to $650^{\circ}C$. This suggest that the thermal escape of bounded electrons and non-radiative transition become dominant due to the thermal inter-diffusion at the interface between InAs QDs and $In_{0.1}Ga_{0.9}As$ well layer.

• Journal of Biomedical Engineering Research
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• v.24 no.4
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• pp.319-328
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• 2003

The purpose of this paper is to develop a medical laser system using the semiconductor diode laser in order to photodynamic cancel therapy as a light source. The ideal light source for photodynamic therapy would be a homogeneous nondiverging light with variable spot size and specific wavelength with stability. After due consideration in this point, in this paper, we used a diode laser resonator of 635nm wavelength. The development laser system have a statistical laser out beam with accuracy control using the constant current control of method and clinic-friendly with compact. In order to protect the diode resonator from the over-current, the rush-current and electrical fault, we specially designed. The most importance therapeutic factor are the radiation mode for cancer therapy. So we developed the radiation mode of CW(Continuous Wave), long pulse, short pulse, and burst pulse and can adjust the exposure time from several milli-second to several minute. The experimental result shows that laser beam power was increased linear from 10mW to 300mW according to the increasing input current and the increasing exposure time. The developed new compact diode laser system have a stability of output power and specific wavelength with easy control and transportable for many applications of PDT.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.263.1-263.1
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• 2013

탄소나노튜브(CNT)를 이용한 초소형 X선 튜브는 근접 암치료, 비파괴 X선 영상 장치, 휴대용 X선 분광계 등에서 X선 발생소스로 많이 연구되고 있다. 2극형 CNT 에미터의 경우 구조가 단순하여 초소형 X선 튜브에 쉽게 장착할 수 있지만 아노드의 전압과 전류가 연동되기 때문에 튜브의 조작성이 제한적이다. 3극형은 상대적으로 복잡한 구조이고, CNT에서 방출된 전자가 게이트 전극으로 흐르는 누설 전류 그리고 절연체와 충돌하여 차징을 발생시킬 수 있기 때문에 직경이 좁은 초소형 X선 튜브에 구현하기가 쉽지 않다. 하지만 초소형 X선 튜브를 다양한 X선 장치에 응용하기 위해서는 아노드 전압과 전류의 독립된 조작이 가능한 3극형 CNT 에미터가 반드시 구현되어야 한다. 본 발표에서는 전자빔의 아노드 집속을 강화하고 절연체에서의 차징을 줄이는 포커싱 기능의 게이트(FFG) 구조를 제안하였고. 이를 적용하여 초소형 X선 튜브들을 제작하고, 분석하였다. FFG 구조가 성공적으로 적용된 초소형 X선 튜브는 게이트 누설 전류 없이 뛰어난 전류 및 X선 방출 특성을 보였다. 이와는 달리, 몇몇 초소형 X선 튜브들에서는 게이트 누설 전류가 나타났고, 아노드 전압에 의한 게이트 전압 상승이 발생하여 불안정한 구동 특성을 보였다. 초소형 X선 튜브를 밀봉하지 않고 진공 챔버에서 실험한 결과, 유도된 게이트 전압은 상당한 시간이 흐르거나 진공챔버에 공기를 주입하고 다시 진공상태로 만들면 유도전압이 제거되는 것을 볼 수 있었다. 결론적으로 CNT에서 방출된 전자빔이 정상궤도를 벗어나 게이트 누설전류와 차징에 의한 게이트 유도전압을 발생시키면 초소형 X선 튜브가 불안정한 구동을 하고, 결국 튜브의 심각한 결함으로 나타나게 된다. 즉, 게이트 누설 전류와 유도된 게이트 전압은 3극형 CNT 에미터가 장착된 초소형 X선 튜브의 디자인과 제작에 있어서 성공 기준이 될 수 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.460-463
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• 2004

본 논문은 고에너지 방사선 검출을 위한 흔합형 구조의 방사선 센서를 제작, 반응 특성을 평가하였다. 먼저, 스크린 인쇄법을 이용하여 형광체 필름을 제작하였으며, 발광스펙트럼(PL, Photoluminescence) 및 잔광 시간(decay time) 측정을 통하여 형광체의 발광 특성을 조사하였다. 제작된 혼합구조의 방사선 센서는 $2{\mu}m$ 두께의 $HgI_2$와 $150{\mu}m$ 두께의 형광체 필름으로 제작되었으며, 면적은 $2\;cm\;{\times}\;2\;cm$이다. 방사선에 대한 전기적 검출 신호의 특성을 조사하기 위해 인가전압에 따른 암전류 및 방사선민감도, 선량에 따른 검출신호를 측정하였다. 측정결과, 제작된 $HgI_2$ 필름은 방사선에 의해 형광체에서 방출된 가시광 파장을 잘 흡수하였으며, 진단영역의 저에너지 방사선에 의해 직접 전기적 신호를 발생시켜 높은 방사선 민감도를 보였다. 뿐만 아니라, 인가전압에 대해 $10\;pA/mm^2$이하의 낮은 암전류를 가졌으며, 넓은 조사선량에서 우수한 선형성을 보였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.10 no.1
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• pp.111-116
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• 2006

In this paper, the image sensor using the a-Si:H TFT is proposed. The optimum amorphous silicon thin film is deposited using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). TFT and photodiode both with the thin film are fabricated and form image sensor. The photodiode shows that Idark is $10^{-12}A$, Iphoto is $10^{-9}A$ and Iphoto/Idark is $10^3$, respectively. In the case of a-Si:H TFT, it indicates that Ion/Ioff is $10^6$, the drain current is a few ${\mu}A$ and Vth is $2\~4$ volts. For the analysis on the fabricated image sensor, the reverse bias of -5 voltage in ITO of photodiode and $70{\mu}sec$ pulse in the gate of TFT are applied. The image sensor with good property was conformed through the measured photo/dark current.