• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.3
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• pp.273-278
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• 2000

We studied aluminum cluster deposition using molecular dynamics simulation. We investigated the variations of the substrate temperature and disordered atom number during cluster impact, and found that the correlated collisions between aluminum atoms in the cluster play a very important role in the impact on aluminum substrate surface. The correlated collisions effect is proportional to the cluster size.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.305-305
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• 2015

알루미늄 방열판 위에 MPCVD(Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치를 이용하여 DC 바이어스 전압을 기판에 인가하면서 $Ar+CH_4$ 가스 분위기에서 증착한 나노결정질 다이아몬드(Nanocrystalline Diamond; NCD) 박막의 방열 특성을 평가하였다. XRD와 Raman spectroscopy를 이용하여 증착된 박막이 NCD인지를 확인하였으며 FE-SEM 및 FIB로 박막의 표면 및 단면의 형상을 관찰하였다. 다이아몬드가 증착된 방열판에 LED를 부착하여 발열시키고 열유동측정기의 하나인 T3-ster를 사용하여 방열 특성을 분석하였다. 기존 알루미늄(Al) 기판(5.55 K/W)보다 다이아몬드 증착(Dia-Al) 기판(3.88 K/W)의 열저항 값이 현저히 작았다, 또한 LED 접합온도는 Dia-Al 기판이 Al 기판보다 약 $3.5^{\circ}C$만큼 낮았다. 적외선 열화상 카메라로 발열 중인 시편의 전면과 후면을 촬영한 결과, LED가 부착된 전면부에서는 최고 발열 부위(hot spot)의 면적이 Al 기판의 경우가 Dia-Al 기판보다 높았고, 후면부에서는 그 반대의 경향을 보였다. 이들 데이터로부터 다이아몬드 증착 방열판이 기존의 방열판보다 방열특성이 우수한 것으로 해석할 수 있으며, 다이아몬드 박막을 방열판으로 사용하면 LED의 사용 수명과 효율이 높아질 것으로 기대된다.

• Analytical Science and Technology
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• v.6 no.2
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• pp.167-180
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• 1993

The effects of coating variables on the formation of aluminide coating layer with good oxidation resistance on the strongest hot-forged superalloy in the world, KM 1557 developed at KIST by pack cementation process were studied. Pack aluminizing were performed by high-activity process with pure aluminium powders and by low-activity process with codep powders. For high-activity process, Al deposition rate, growth rate of coating layer, and cross-sectional microstructures were influenced by the species and additive amounts of activators and the additive amounts of pure aluminium powders. For low-activity process, Al deposition rate, growth rate of coating layer, and the cross-sectional microstructures were not influenced by the species but additive amounts of activators. Surface structures of coating layer were influenced by the species of activators. Regardless of aluminium activity, Al deposition rate was proportional to the square root of time and parabolic rate constants were different with the species of activators. The activation energy for deposition of aluminium was different with the species of activators for high-activity process. Regardless of the species of activators, the activation energy for deposition of aluminium was 12~14 Kcal/mole for low-activity process.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.4
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• pp.414-419
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• 1994

Surface of Pt/$Al_2O_3$ model catalyst was produced on an aluminum foil with surface area of 1 $cm^2$ The aluminum surface was oxidized under $10 ^5Torr$Torr oxygen and platinum was deposited on top of the oxide layer using a plasma evaporation source. Conversion of I-butene was performed on the model catalyst surface. Isomerization was the major reaction in I-butene conversion on the aluminum oxide layer. Addition of Pt on the aluminum oxide layer induces hydrogenation of I-butene. Selectivity for the hydrogenation increases as the amount of Pt on alumina increases.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.23.2-23.2
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• 2009

기존에 사용되었던 알루미늄 배선 공정은 공정의 배선 크기가 줄어들면서 한계에 다다르고 있다. 따라서 이를 대체하기 위해 여러 가지 새로운 방법들이 고안되고 있으며, 그중 알루미늄을 비저항이 낮고 EM(electro-migration) 저항성이 뛰어난 구리로 대체하려는 연구가 진행되고 있다. 구리 배선은 이미 electroplating 공정을 이용해 산업에 적용되고 있으며, seed layer로는 sputtering 법을 이용하고 있다. 하지만 sputtering 을 포함한 PVD 법은 대부분 종횡비나 단차 피복도가 좋지 않기 때문에 이를 CVD로 교체한다면 많은 장점을 가질 수 있다. 하지만 CVD 공정을 진행하기 위해서는 많은 문제점들이 있는데, 이중 전구체에 대한 문제도 빼놓을 수 없는 이슈이다. Cu(dmamb)2 는 기존에 사용하던 $\beta$-diketonate 계열의 전구체보다 화학적으로 많은 장점을 가지고 있어, CVD 공정에 적합하다. 이에 따라 구리 박막 증착의 공정 조건을 설계하고, 고품질의 박막을 증착하기 위한 다양한 처리법을 고안하여 증착 실험을 진행하였다. 기본적으로 구리는 확산력이 좋아 실리콘계열의 기판에서 확산력이 매우 좋아 기판 내로 확산되기 때문에 이를 방지하기 위하여 Ta, Ti 계열의 박막을 사용하여 확산을 방지하고 있다. 따라서 전이 금속 박막의 표면과 증착 분위기 등을 고려하여 구리를 증착하였으며, 표면의 미세구조 및 성분을 FESEM 등을 통해 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.129-129
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• 2012

알루미늄 박막은 알루미늄이 가지는 제반 특성으로 인해 다양한 분야에서 응용되고 있다. 전통적인 광학용 박막을 비롯하여 전자 및 자동차 부품, 그리고 내식성 강판에도 사용되고 있다. 알루미늄 박막은 주로 진공증착 방법으로 제조되며 강판의 내식성 향상을 위해서는 용융도금이 이용되고 있다. 본 논문에서는 알루미늄 박막의 다양한 제조방법을 설명하고 응용분야별 요구 특성에 대해 고찰하고자 하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1993.11a
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• pp.91-92
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• 1993

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1997.05a
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• pp.23-23
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• 1997

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.176-176
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• 2012

본 연구는 GaN 기반의 전자소자의 표면 패시베이션 방법으로 열산화 공정을 이용한 알루미늄산화막 패시베이션 공정에 대하여 연구하였다. 결정질의 알루미늄산화물은 경도가 크고 화학적으로 안정적이기 때문에 외부 오염에 대한 소자 표면을 효과적으로 보호할 수 있으며, 열적안정성이 뛰어나 공정중 또는 공정 후의 고온 환경에서의 열 손상이 적은 장점을 가진다. 결정질 알루미늄산화막($Al_2O_3$)을 소자 표면에 형성하기 위해서 일반적으로 TMA (trimethlyaluminium)와 오존($O_3$)가스를 이용한 ALD 공정법이 사용되고 있으나 공정 비용이 비싸고 열산화막에 비해 전자 trapping이 많이 발생하여 전자이동도가 저하되는 단점이 있어, 본 연구에서는 열산화 공정을 이용하여 소자의 전기적 특성 저하를 발생시키지 않는 알루미늄산화막 패시베이션을 수행하였다. 실험에 사용된 기판은 AlGaN/GaN 이종접합 구조가 증착된 HEMT 제작용 기판을 사용하였으며 TLM 구조를 제작하여 소자의 채널 면저항 및 절연영역간 누설전류 특성을 확인하였다. TLM 구조가 제작된 샘플 위에 알루미늄을 100 ${\AA}$ 두께로 소자위에 증착하고 $O_2$ 분위기에서 약 $525{\sim}675^{\circ}C$ 온도로 3분간 열처리하여 알루미늄 산화막을 형성한 후 $950^{\circ}C$ 온도로 $N_2$ 분위기에서 30초간 안정화열처리 하여 안정한 알루미늄 산화막 패시베이션을 형성하였다. 알루미늄산화막 패시베이션 후 소자의 절연영역 사이의 누설전류는 패시베이션 전과 비슷한 크기를 나타냈고 패시베이션 후 채널의 면저항이 패시베이션 전에 비해 약 20% 감소한 것을 확인하였다. 또한 패시베이션된 소자와 패시베이션되지않은 소자에 대해 $900^{\circ}C$ 온도로 30초간 열처리한 결과 패시베이션 되지 않은 소자는 74%만큼 채널 면저항이 증가하였으며, 절연영역 누설전류가 다섯오더 크기로 증가한 반면 알루미늄산화막 패시베이션한 소자는 단지 13%의 채널 면저항의 증가를 나타내었고 절연영역 누설전류는 100배 감소한 값을 보여 알루미늄산화막 패시베이션이 소자의 열적 안정성을 향상시키는 것을 확인하였다.

• The monthly packaging world
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• s.12
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• pp.42-51
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• 1994