• 제목/요약/키워드: 실리콘 비드

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UV 조사와 Alkoxy 가수분해 법을 이용한 구형 실리콘 마이크로 고분자 비드의 합성 (Synthesis of Microspheric Silicone Polymer Beads by UV Irradiation and Alkoxy Hydrolysis)

  • 박승욱;김정주;황의환;황택성
    • 폴리머
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    • 제32권4호
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    • pp.377-384
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    • 2008
  • 본 연구에서는 UV 조사와 alkoxy 가수분해 법을 이용하여 구형 마이크로 실리콘 고분자 비드를 합성하였다. 구형 실리콘 고분자 비드의 입자들의 coefficient of variation(CV)은 UV 조사량의 세기와 조사시간, 반응온도가 증가함에 따라 감소하였다. 합성된 비드의 평균 입경, 굴절률, pH는 각각 $4.1{\mu}m$, 1.43, 7.5이었으며 진비중, 겉보기 비중은 1.30, 0.40이었으며, 수분함량은 2%이하였다. Hexamethyldisilazane(HMDS) 농도가 0.1 wt%일 때 입자크기와 CV는 가장 작았고, 진원도는 $0.95{\sim}0.98{\mu}m$이었다. UV 조사량과 조사시간이 450 W, 90 min일 때 CV는 4.92%이었다. Methyltrimethoxysilane(MTMS)의 농도가 20 wt%일 때 수율은 총 충전량 대비 11.3%까지 증가하였으며 입자의 평균직경은 교반속도와 온도가 증가함에 따라 작아졌다.

바이오 응용을 위한 지능형 실리콘 비드 칩 설계 (Intelligent silicon bead chip design for bio-application)

  • 문형근;정인영
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제16권5호
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    • pp.999-1008
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    • 2012
  • ISB(Intelligent Silicon Bead)는 기존 CMOS 칩과 달리 CMOS SoC의 전원을 포함한 외부와의 인터페이스(interface)를 모두 빛을 이용하여 칩의 초소형화 및 단가를 낮추고 광통신, 메모리 기능을 탑재한 신개념 바이오 실험용 칩이다. 본 논문에서는 외부리더기로부터 비드칩에 인가된 하나의 광신호를 통해 전력과 신호를 동시에 전달하기 위한 저전력, 저면적특성의 광수신단 설계와 입력프로토콜에 대해서 소개하고 이를 시뮬레이션 및 측정을 통해 검증한다. 또한 칩의 ID를 기록/저장하기 위한 저전력 PROM을 설계하여 광신호 입력에 따른 출력 결과 값을 얻는데 성공한다. 본 연구를 통하여 기존 RFID에서 발생한 칩면적 소형화의 한계와 높은 단가 등의 문제점을 해결하여 새로운 유형의 바이오용 칩 개발을 기대할 수 있다.

생체 의학 정보 수집이 가능한 실리콘 비드용 가변적인 속도 클록 데이터 복원 회로 설계 (A Design of Variable Rate Clock and Data Recovery Circuit for Biomedical Silicon Bead)

  • 조성훈;이동수;박형구;이강윤
    • 한국산업정보학회논문지
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    • 제20권4호
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    • pp.39-45
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    • 2015
  • 이 논문은 블라인드 오버샘플링(Blind Oversampling) 기법을 이용한 가변적인 속도 클록 데이터 복원 회로 설계에 관한 내용을 제시하고 있다. 클록 데이터 복원 회로는 기본적으로 클록 복원과 데이터 복원 회로로 구성되어 있다. 클록 복원 회로는 넓은 범위를 가지는 전압 제어 발진기(Wide Range VCO)와 밴드 선택(Band Selection) 기법을 복합적으로 사용하여 구현하였고 데이터 복원 회로는 머저리티 보팅(Majority Voting) 방식을 이용하는 디지털 회로로 제안하여 저전력 및 작은 면적으로 구성하였다. 넓은 범위를 가지는 전압 제어 발진기와 데이터 복원회로를 디지털로 구현함으로써 저전력으로 가변적인 속도 클록 데이터 복원회로 구현이 가능하였다. 설계된 회로는 약 10bps에서 2Mbps 범위에서 동작한다. 전체 전력 소비는 1MHz 클록에서 약 4.4mW의 전력을 소비한다. 공급전압은 1.2V 이며 제작된 코어의 면적은 $120{\mu}m{\times}75{\mu}m$ 이고 $0.13{\mu}m$ CMOS 공정에서 제작되었다.