• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.7 no.6
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• pp.426-431
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• 1998

This paper describes electrochemical etch-stop characteristics in THAH/IPA/pyrazine solution. I-V curves of n- and p-type Si in THAH/IPA/pyrazine solution were obtained. OCP(Open Circuit Potential) and PP (Passivation Potential) of p-type Si were -1.2 V and 0.1 V, and of n-type Si were -1.3 V and -0.2 V, respectively. Both n- and p-type Si, etching rates were abruptly decreased at potentials anodic to the PP. The etch-stop characteristics in THAH/IPA/pyrazine solution were observed. Since accurate etching stop occurs at pn junction, Si diaphragms having thickness of epi-layer were fabricated. Etching rate is highest at optimum etching condition, TMAH 25wt.%/IPA 17vol.%/pyrazine 0.1g/100ml. thus the elapsed time of etch-stop was reduced.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.188-188
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• 2007

ZnO 박막은 넓은 밴드갭과 가시광 영역에서의 높은 투과 및 제조조건에 따른 비저항의 범위가 크게 달라짐으로 태앙전지, 디스플레이등의 투명 전극등에 널리 응용되어지고 있다. 본 살험에서는 이러한 장점을 갖는 ZnO 박막을 먼저 r. f.-sputter 법으로 제조하여 습식으로 식각하였다. 식각된 ZnO 필름은 OLED 및 디스플레이의 적용에 필요한 식각율과 표면구조 전기적 특성을 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.73-73
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• 2009

트렌지스터의 채널 길이가 줄어듦에 따라 절연층으로 쓰이는 $SiO_2$의 두께는 얇아져야 한다. 이에 따라 얇아진 절연층에서 터널링이 발생하여 누설전류가 증가하게 되어 소자의 오동작을 유발한다. 절연층에서의 터널링을 줄여주기 위해서는 High-K와 같은 유전율이 높은 물질을 이용하여 절연층의 두께를 높여주어야 한다. 최근에 각광 받고 있는 High-K의 대표적인 물질은 $HfO_2$, $ZrO_2$와 $Al_2O_3$등이 있다. $HfO_2$, $ZrO_2$와 $Al_2O_3$는 $SiO_2$보다 유전상 수는 높지만 밴드갭 에너지, 열역학적 안정성, 재결정 온도와 같은 특성 면에서 $SiO_2$를 완전히 대체하기는 어려운 실정이다. 최근 연구에 따르면 기존의 High-K물질에 금속을 첨가한 금속산화물의 경우 밴드갭 에너지, 열역학적 안정성, 재결정 온도의 특성이 향상되었다는 결과가 있다. 이 금속 산화물 중 $HfAlO_3$가 대표적이다. $HfAlO_3$는 유전상수 18.2, 밴드캡 에너지 6.5 eV, 재결정 온도 $900\;^{\circ}C$이고 열역학적 안전성이 개선되었다. 게이트 절연층으로 사용될 수 있는 $HfAlO_3$는 전극과 기판사이에 적층구조를 이루고 있어, 이방성 식각인 건식 식각에 대한 연구가 필요하다. 본 연구는 $BCl_3$/Ar 유도결합 플라즈마를 이용하여 $HfAlO_3$ 박막의 식각 특성을 알아보았다. RF Power 700 W, DC-bias -150 V, 공정압력 15 mTorr, 기판온도 $40\;^{\circ}C$를 기본 조건으로 하여, $BCl_3$/Ar 가스비율, RF Power, DC-bias 전압, 공정압력에 의한 식각율 조건과 마스크물질과의 선택비를 알아보았다. 플라즈마 분석은 Optical 이용하여 진행하였고, 식각 후 표면의 화학적 구조는 X-ray Photoelectron Spectroscoopy(XPS) 분석을 통하여 알아보았다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.31 no.1
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• pp.31-36
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• 2020

We propose a band-switchable terahertz metamaterial based on an etched vanadium dioxide (VO₂) thin film. A line of etched VO₂ thin film was placed in the center gap of the split square-loop shape for the tunability of the metamaterial. The resonance frequency of the metamaterial can be switched from the 1.4 THz band to the 0.7 THz band, according to the insulator-metal phase transition in the VO₂ thin film. The absolute difference in the transmittance of the metamaterial was 78.5% and 65.8% at 0.7 THz and 1.4 THz respectively, according to the band switching. The differential phase shift was around 90°, and the transmittance was stably maintained between 40% and 60% in the middle band of the two switchable resonance-frequency bands.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.36D no.4
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• pp.56-62
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• 1999

In this study, (Ba, Sr)$TiO_3$ thin films were etched with $Cl_2$/Ar gas mixing ratio in an inductively coupled plasma (ICP) by varying the etching parameter such as rf power, dc bias voltage, and chamber pressure. The etch rate was 56 nm/min under $Cl_2$/($Cl_2$+Ar) gas mixing ratio of 0.2, rf power of 600 W, dc bias voltage of 250 V, and chamber pressure of 5 mTorr. At this time, the selectivity of BST to Pt, $SiO_2$ was respectively 0.52, 0.43. The surface reaction of the etched (Ba, Sr)$TiO_3$ thin films was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Ba is removed by chemical reaction between Sr and Cl to remove Sr. Ti is removed by chemical reaction such as $TiCl_4$ with ease. The results of secondary ion mass spectrometer (SIMS) analysis compared with the results of XPS analysis and the results were the same.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.11 no.6
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• pp.527-532
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• 2001

Dry etching of copper film using $O_2$ plasma and H(hfac) has been investigated. A one-step process consisting of copper film oxidation with an $O_2$ plasma and the removal of surface copper oxide by the reaction with H(hfac) to form volatile Cu(hfac)$_2$ and $H_2O$ was carried but. The etching rate of Cu in the range from 50 to 700 /min was obtained depending on the substrate temperature, the H(hfac)/O$_2$ flow rate ratio, and the plasma power. The copper film etch rate increased with increasing RF power at the temperatures higher than 215$^{\circ}C$. The optimum H(hfac)/O$_2$ flow rate ratio was 1:1, suggesting that the oxidation process and the reaction with H(hfac) should be in balance. Cu patterning using a Ti mask was performed at a flow rate ratio of 1:1 on 25$0^{\circ}C$\ulcorner and an isotropic etching profile with a taper slope of 30$^{\circ}$was obtained. Cu dry patterning with a tapered angle which is necessary for the advanced high resolution large area thin film transistor liquid-crystal displays was thus successfully obtained from one step process by manipulating the substrate temperature, RF power, and flow rate ratio.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.403.1-403.1
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• 2016

일반적으로 실리콘 태양전지의 표면 텍스쳐링 공정방식은 습식 텍스쳐링 방식과 건식 텍스쳐링 방식 2가지로 나뉘어진다. 하지만 현재 습식 텍스쳐링 방식의 경우 Solution을 사용하기 때문에 폐용액으로 인한 환경오염 및 Wafer 오염과 같은 단점을 가지고 있다. 또한 건식 텍스쳐링 방식의 경우는 진공 상태에서 진행되므로 높은 유지 비용이 가장 큰 단점으로 대두 되고 있다. 그러므로 기존의 방식과 다르게 진공을 사용하지 않는 대기압 플라즈마 소스를 텍스쳐링 공정에 적용하였다. 본 연구에서는 대기압 플라즈마 소스로 식각한 Wafer의 반사율을 가스 종류와 유량별 측정하여 분석하였다. 측정된 반사율을 통해 대기압 플라즈마 소스가 텍스쳐링 공정에 적용할 수 있는지 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.242-242
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• 2008

반도체 공정에서 일정한 패턴을 만들기 위하여 Photoresist (PR)를 이용한 식각 공정을 사용하게 된다. 이러한 식각 공정은 반도체 직접도가 증가되면서 더욱 많은 단계의 공정을 요구하게 되었다. 그러나 식각 공정의 증가는 반도체 소자 생산을 위한 더 많은 시간과 비용을 요구하게 된다. 이를 해결하기 위하여 Photoresist를 사용하지 않은 공정으로 공정 단계를 간소화하기 위한 연구를 진행하고 있지만 아직 명확한 대한은 없다. 본 연구에서 는 PR의 strip 시간을 최대한 단축시키고 PR strip 잔여물의 빠른 제거를 위하여 기존 공정에서 사용 중인 strip 약 액을 플라즈마에 의하여 활성화하는 방법으로 PR strip 시간을 최대한 줄이는 방법에 대한 연구를 진행하였으며, 활성화된 strip용액이 더욱 빠른 strip율을 나타내는 것을 확인하였다. 또한 약액 활성화 방법으로 활성화된 strip 용액으로 PR을 일부 제거한 후 PR 표면의 물리적 특성 변화를 분석하여 약액 활성화된 strip 용액으로 인한 PR의 특성을 물리적 방법으로 접근하여 연구를 진행하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.6
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• pp.774-779
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• 1995

Process optimization experiments based on the Taguchi method were performed in order to set up the optimal process conditions for the contact oxide etching process module which was built in order to be attached to the cluster system of multi-processing purpose. In order to compare with Taguchi method, the contact oxide etching process carried out with different process parameters(CHF$_{3}$/CF$_{4}$ gas flow rate, chamber pressure, RF power and magnetic field intensity). Optimal etching characteristics were evaluated in terms of etch rate, selectivity, uniformity and etched profile. In this paper, as a final analysis of experimental results the optimal etching characteristics were obtained at the process conditions of CHF3/CF4 gas flow rate = 72/8 sccm, chamber pressure = 50 mTorr, RF power = 500 watts, and magnetic field intensity = 90 gauss.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2011.05a
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• pp.135-136
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• 2011

본 연구에서는 실리콘 기판위의 형성된 AAO (Anodic Aluminum Oxide)의 barrier layer를 $Cl_2/BCl_3$ gas mixture에서 Neutral Beam Etching (NBE)과 Ion Beam Etching (IBE)로 각각 식각한 후 그 결과를 비교하였다. 이온빔의 경우 나노사이즈의 AAO pore의 charging에 의해 pore 아래쪽의 위치한 barrier layer를 어떤 식각조건에서도 제거하지 못하였다. 하지만, charging effect가 없고, 높은 중성화율을 나타내는 low angle forward reflected 방식의 neutral beam etching (NBE)에서는 $BCl_3$-rich $Cl_2/BCl_3$ gas mixture인 식각조건에서 AAO pore에 휘발성 $BO_xCl_y$를 형성하면서 barrier layer를 제거할 수 있었다.