• Title/Summary/Keyword: 식각률

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Si 함유 DLC 필름의 탄성특성 평가

  • 정진원;조성진;이광렬;고대흥
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.136-136
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    • 1999
  • 박막의 탄성특성을 평가하는 방법으로 nano-indentation, Brillouin light scattering measurement, ultrasonic surface wave measurement, bulge test, vibration membrane method 등 여러 가지가 제시되어 왔다. 최근에는 탄성특성을 평가할 수 있는 간단한 방법으로 기판 식각 기법을 이용한 freehang, bridge 방법이 제시되었다. 이중에서 bridge 방법은 간단한 식각 기법을 이용하여 얇은 박막에서도 탄성 특성을 평가할 수 있는 방법으로 제시되었다. 그러나 식각 과정에서 발생하는 patch 부분의 under-cut으로 인해 정확한 bridge의 길이를 측정할 수 없게 되어 오차가 발생하고 있다. 본 연구에서는 bridge 방법에서 발생하는 오차를 줄이기 위한 방법으로, patch 부분에 etch-stop을 제작해 줌으로서 식각 과정에서 발생하는 under-cut을 효과적으로 제거시켰다. Etch-stop은 2장의 mask를 align key를 이용하여 제작하였다. 먼저 산화막이 형성되어 있는 Si 기판위에 mask 1을 이용하여 patch 부분을 lithography 작업하고, 습식 식각 공정을 한 뒤 DLC 필름을 증착시킨다. 다음으로 mask 2를 이용하여 bridge pattern을 제작하고, DLC 필름을 증착시킨 후 lift-off 기술과 산화막 등방식각 공정을 통해 bridge를 제작하였다. 이렇게 제작된 bridge를 통해 필름이 기판에 부착되기 위해 필요한 변형률을 측정하고, 독립적으로 측정된 필름의 잔류응력과 함께 박막의 응력-변형률 관계식에 적용시켜 biaxial elastic modulus, E/(1-v)를 구할 수 있었다. Sidl 첨가된 DLC 필름은 rf-PACVD 장비를 이용하여 증착하였다. 이때 전극과 플라즈마 사이의 바이어스 음전압은 -400V로 합성압력은 10mTorr로 고정하였다. 사용한 반응가스는 벤젠(C6H6)과 희석된 실렌(SiH4:2H=10:90)이며, 희석된 실렌의 첨가량을 조절하여 필름 내에 함유된 Si의 양을 조절하였다. 각각의 조건에서 증착시간을 조절하여 필름의 두께를 조절하였다. 필름의 잔류응력은 압축잔류 응력에 의해 발생한 필름/기판 복합체의 곡률을 laser 반사법을 이용하여 측정하고, 이 결과를 Brenner 등에 의해 유도된 식을 대입하여 계산하였다.

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Inductively coupled Plasma Reactive ion etching of Ge doped silica glass using $C_2F_6$ and $NF_3$ ($C_2F_6$$NF_3$ 유도결합플라즈마를 이용한 $SiO_2$:Ge 식각에관한 연구)

  • 이석룡;문종하;김원효;이병택
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.11a
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    • pp.225-225
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    • 2003
  • 실리카글라스를 기초로 하는 PLC소자는 가격, 광 손실 성질과 광섬유와의 결합효율이 좋아 광통신에 응용되어지고 있으며 Ge 도핑된 실리카 글라스는 PLC소자의 코어물질로 널리 사용되고 있다. 소작제작을 위해서는 높은 식각률과 깨끗하고 적은 표면손상을 얻어야 하므로 유도결합플라즈마를 이용한 건식식각공정개발이 이루어 져야 한다. 본 연구에서는 Ge 도핑된 실리카글라스의 식각특성을 연구하기 위해 $C_2$F/6 와 NF$_3$가스를 사용하였고 ICP power, bias power, 압력, 플라즈마와 샘플간의 거리를 변화시키면서 식각속도, 표면거칠기, 메사수직도, 마스크선택도등 기본공정 조건을 연구하고 첨가가스(CH$_4$, $O_2$), 마스크 물질(Ni, Cr, PR) 도핑농도(0.3, 0.45, 0.7%)등을 변화시키면서 식각특성을 연구하였다. 그 결과 300nm/min, 정도의 식각속도를 가지고 수직한 메사각도(~89$^{\circ}$)와 미려한 표면(표면거 칠기 1.5nm 이하)를 갖는 결과를 얻었다.

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유도결합플라즈마 식각 장비에서 안테나와 웨이퍼간 거리 차에 따른 플라즈마 변화 연구

  • Jo, Tae-Hun;Yun, Myeong-Su;Son, Chan-Hui;Gang, Jeong-Uk;Kim, Dong-Jin;Choe, Jang-Hun;Nam, Chang-Gil;Jeon, Bu-Il;Jo, Gwang-Seop;Gwon, Gi-Cheong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.290-290
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    • 2011
  • 유도결합플라즈마 장비의 공정에서 안테나의 역할은 매우 중요하다. 유도결합플라즈마의 식각 공정에서도 충분한 식각과 균등한 식각 결과를 얻기 위해 안테나의 역할은 중요한 요인 중 하나이다. 안테나와 공정 웨이퍼간의 거리에 따라 발생하는 플라즈마 밀도나 전자 온도 등이 변화하고 그에 따른 식각정도나 균등성도 달라진다. 본 연구에서는 플라즈마 특성 변화를 관찰하기 위해 기존 유도결합플라즈마 식각 장비의 안테나와 웨이퍼간 거리와 내부 안테나를 웨이퍼와 가깝게 하였을 때의 플라즈마 밀도, 안테나의 전류와 식각률 등을 측정하였다.

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저진공 펄스 직류 전원 BCl3 플라즈마의 전기적 특성과 GaAs의 식각 특성 분석

  • Lee, Je-Won;Park, Dong-Gyun;No, Gang-Hyeon;Sin, Ju-Yong;Jo, Gwan-Sik;Son, Geun-Yong;Song, Han-Jeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.137-137
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    • 2011
  • 펄스 직류 $BCl_3$ 플라즈마의 전기적 특성과 GaAs의 건식식각을 연구하였다. 공정변수는 펄스 직류 전압 (350~550 V), 펄스 직류 주파수 (100~250 kHz), 리버스 시간 (0.4~1.2 ${\mu}s$)이었다. 전기적 특성은 오실로스코프를 이용하여 분석하였다. 펄스 직류 전원의 경우 평균 전압이 일정하더라도 주파수가 커지거나 리버스 시간이 커지면 peak-to-peak 전압이 증가한다는 사실을 이해하였다. GaAs 식각 실험 후 샘플의 식각률, 식각 선택비, 표면 형상을 비교, 분석하였다. GaAs의 식각 결과는 식각 속도, 식각 선택비, 표면 형상, 잔류 물질 분석을 실시하엿다. 본 실험에서는 1대의 기계적 펌프만을 상ㅇ하여 진공 압력을 유지하였다. GaAs의 식각 속도는 10 sccm $BCl_3$를 사용한 경우 최대 0.4 ${\mu}m$까지 얻을 수 있었다. 감광제에 대한 최대 식각 선택비는 약 2.5 : 1이었다. BCl3 플라즈마의 경우 75 mTorr의 저진공 조건에서는 500 V, 250 kHz, 0.7 ${\mu}s$의 실험에서 가장 좋은 식각 특성을 얻을 수 있엇다. X-레이 광전 분석기 데이터에 의하면, 식각된 GaAs의 표면을 깨끗하였으며, 염소와 관련된 잔류 물질은 거의 발견되지 않았다.

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Direct Etching of Polymethyl methacrylate (PMMA) for Microchannels (Polymethyl methacrylate (PMMA)의 마이크로 채널 형성을 위한 레이저의 직접식각)

  • Shin, Sung-Kwon;Choi, Yong-Jin;Lee, Cheon
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2007.07a
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    • pp.286-287
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    • 2007
  • 본 논문에서는 최근 유체소자 재료로써 많이 사용되고 있는 polymethyl methacrylate (PMMA)의 레이저 직접식각에 관한 특성을 나타내었다. 식각을 위한 레이저 원으로 기본파가 1064 nm, 반복율이 10 Hz인 Nd:YAG 레이저의 4고조파 성분 ($\lambda$=266 nm)을 사용하였다. X-Y-Z 축으로 이동 가능한 스테이지의 수평 이동속도를 변화시키며, 표면으로 조사되는 펄스 수를 제어하였다. 식각 후 광학현미경으로 식각 단면을 조사하여 식각 깊이와 폭을 측정하였다. 측정된 식각 깊이로부터 식각률을 계산하고, 그 값과 레이저 빔 밀도와의 관계를 알아보았다. 그 결과 시료 표면에 조사되는 레이저 빔 밀도의 로그값과 선형적인 관계를 갖는 것을 확인할 수 있었다. 또한 주사전자현미경을 이용하여 채널 형상 및 채널 내벽을 관찰하였다. 마이크로 채널 내벽에 식각 과정에서 발생한 생성물의 제거를 위해, 레이저 식각과 함께 질소가스 블로잉을 해주었다. 질소 블로잉 압력 1500 torr에서 식각 잔유물이 제거된 내벽을 볼 수 있었다. 실험결과, Nd:YAG 4고조파를 이용하여 PMMA 기판상에 유체 이동을 위한 마이크로 채널을 형성시킬 수 있었다.

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Development of Closed Drift Type Linear Ion Source for Surface Modifications

  • Lee, Seung-Hun;Kim, Jong-Guk;Kim, Chang-Su;Kim, Do-Geun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.208-208
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    • 2011
  • 최근 유연기판 기술을 기반으로 대면적 roll to roll 공정기술 개발이 활발히 연구됨에 따라 이에 적용 가능한 대면적 플라즈마 소스의 중요성이 대두되고 있다. 대면적 플라즈마 처리 공정에 적용 가능한 소스 중 closed drift 타입의 선형 이온 소스는 제작 및 대면적화가 용이함에 따라 다양한 산업 분야에서 사용되고 있다. 선형 이온 소스를 다양한 표면처리 공정에 효과적으로 적용하기 위해서는 방전 특성에 대한 이해를 바탕으로 각 공정에 맞는 이온빔 전류 밀도, 방전 전압 등의 방전 인자 조절이 필수적이다. 본 연구에서는 표면 개질, 식각 및 박막 증착 등의 다양한 분야에 활용 가능한 선형 이온 소스를 개발하였으며, 선형 이온 소스를 통한 표면 식각 공정을 집중적으로 연구하였다. 전극 및 자기장 구조에 따른 선형 이온 소스 내 플라즈마 방전거동 분석을 위해 object oriented particle in cell(OOPIC) 전산모사를 수행하였으며, 이를 통해 식각 또는 증착 공정에 적합한 이온 소스의 구조 및 공정 조건을 예측하였다. 또한 OOPIC 전산모사를 통해 예측된 이온빔 인출 경향을 Faraday cup을 이용한 이온빔 전류 밀도 측정을 통해 확인하였다. 실리콘 기판 식각 공정의 경우, 이온 전류밀도 및 에너지에 따른 식각 거동 분석, 이온빔 입사각 변화에 따른 식각 특성 분석을 통해 최적 식각 공정 조건을 도출하였다. 특히, 이온빔 입사각 변화에 따른 식각률 변화는 일반적으로 알려진 입사각에 따른 스퍼터링율과 유사한 경향을 보였다. 이온빔 에너지 3 kV, Ar 압력 1.3 mTorr 조건에서 기판 정지 상태시 약 8.5 nm/s의 식각 속도를 얻었다.

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Etch damage evaluation of $(Bi_{4-x}La_x)Ti_{3}O_{12}$ thin films using inductively coupled plasma sources (유도결합 플라즈마를 이용한 $(Bi_{4-x}La_x)Ti_{3}O_{12}$ 박막의 식각 손상)

  • Kim, Jong-Gyu;Kim, Gwan-Ha;Kim, Chang-Il
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.07c
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    • pp.1374-1375
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    • 2006
  • Ar/$Cl_2$ 유도결합 플라즈마 (ICP)의 가스 혼합비에 따른 $(Bi_{4-x}La_x)Ti_{3}O_{12}$ 박막의 식각 메커니즘과 식각면에서의 플라즈마 손상을 조사하였다. BLT 박막의 최대식각률은 Ar/$Cl_2$ 플라즈마에서의 Ar 가스 혼합비가 80%일 때 50.8 nm의 값을 보였다. 정전 탐침을 통해 Ar 가스의 혼합비에 따른 전자온도와 전자밀도를 관측하였다. 박막 표면의 X-ray photoemission spectroscopy 분석과 박막의 이력곡선을 통해 BLT 박막의 식각 손상은 Cl 원자와의 반응에 의한 화학적 식각 손상이 BLT 박막 표면에서의 Ar 이온충돌에 의한 물리적 손상보다 더 크다는 것을 확인 할 수 있었다.

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Etch characteristics of high-k dielectrics thin film by using inductively coupled plasma (유도결합 플라즈마를 이용한 고유전율 박막의 식각특성)

  • Kim, Gwan-Ha;Woo, Jong-Chang;Kim, Kyoung-Tae;Kim, Dong-Pyo;Lee, Cheol-In;Kim, Chang-Il
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.140-141
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    • 2007
  • 반도체 소자의 공정에 있어서 device scaling으로 인한 고유전 게이트 산화막 (high-k dielectics thin film)의 공정 개발 확보 방안이 필요하다. 본 논문에서는 유도결합 플라즈마를 이용하여 고유전율 박막을 식각하였다. CF4, SF6 등의 가스에서 금속-F, 금속-S 결합의 낮은 휘발성으로 인하여 시료 표면에 잔류하여 낮은 식각률을 보이며 측벽 잔류물을 형성하였으며, HBr, Cl 기반 플라즈마에서 금속-Br, 금속-Cl 결합은 시료 표면으로부터 탈착이 용이하여 효과적인 식각이 이루어짐을 확인할 수 있었다.

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A New HF/$NH_4F$/Glycerine Aqueous Solution for Protection of Al Layers During Sacrificial Etching of PSG Films (PSG 희생층 식각시 Al층을 보호하기 위한 새로운 HF/$NH_4F$/Glycerine 혼합 식각액)

  • Kim, Sung-Un;Paik, Seung-Joon;Kim, Im-Jung;Lee, Seung-Ki;Cho, Dong-Il
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.8 no.5
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    • pp.414-420
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    • 1999
  • The oxide sacrificial layer technology is one of the key technologies in surface micromachining. However, the commonly used aqueous HF solutions, including the $NH_4F$ buffered HF solutions (BHF), are known to attack the Al metal layers during the oxide sacrificial etch. A mixed $NH_4F$/HF/glycerine aqueous solution of 4:1:2 ratio is known to have the best etch selectivity between oxide and AI, but even this sacrificial etchant has a significant etch rate for AI. This paper reports an extensive experimental study on various concentration ratios for HF, $NH_4F$ and glycerine, and develops the optimal mixture ratio for sacrificial etching. At the $NH_4F$/HF/glycerine ratio of 2:1:4, the etch selectivity between PSG and Al improves by approximately 6 times over the previously known best selectivity, to a value of 7,700. At this condition, the measured etch rate of PSG film is approximately $2.1\;{\mu}m/min$, which is sufficiently fast. The developed sacrificial etchant allows the addition of a Al metal layer in surface micromachining, without the worry of Al layer erosion during sacrificial etch.

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