• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2006.05a
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• pp.177-181
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• 2006

반도체를 만드는데 있어서 여러가지 박막을 형성하는 공정이 있다. 이때 가장 많이 쓰이는 방법이 CVD(Chemical Vapor Deposition)방법이나 PVD(Physical Vapor Deposition)방법이다. 이들 방법으로 막을 형성하게 되면, 웨이퍼 이면에도 막이 형성되게 된다. 웨이퍼 후면에 증착된 막은 공정 특성상 두께분포가 균일하지 못하고 다음 공정 중에 웨이퍼 전면을 오염시킬 수 있다. 후면의 박막이 있는 상태로 웨이퍼가 batch 방식의 습식공정이 진행되면, 후면의 박막이 떨어져 나와서 웨이퍼 전면을 오염시키게 된다. 또한 공정에 따라서 기판전면은 식각 시키지 않고 후면만 식각 시키는 경우가 발생하는데, 이때 웨이퍼 아래에 설치된 노즐을 사용하여 웨이퍼 후면의 박막을 식각할 수 있다. 본 연구는 노즐에서 약액이 분사되는 방향과 위치를 조절하여 매엽식 장비에서 웨이퍼 후면의 막을 균일하게 식각 시킬 수 있는 노즐을 제작하고 웨이퍼 후면의 $Si_{3}N_{4}$막을 분당 $1000{\AA}$이상 식각 하였으며 균일도를 5% 이하로 하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.330-332
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• 2013

소 분위기에서 플라즈마 표면 처리의 경우 기판 표면에 존재하는 수소와 탄소 유기물들이 산소와 반응하여 $H_2O$와 $CO_2$ 등으로 제거되며 표면에 오존 결합을 유도하여 표면 에너지를 증가시키는 것으로 알려져 있다. ZnO 나노구조물을 성장시키는 방법으로는 MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposited), PLD (Pulsed Laser Deposition), VLS (Vapor-Liquid-Solid), Sputtering, 습식화학합성법(Wet Chemical Method) 방법 등이 있다. 그중에서도 습식화학합성법은 쉽게 구성요소를 제어할 수 있고, 저비용 공정과 낮은 온도에서 성장 가능하며 플렉서블 소자에도 적용이 가능하다. 그러므로 본 연구에서는 플라즈마 표면처리에 따라 표면에너지를 변화하여 습식화학합성법으로 성장시킨 ZnO nanorods의 밀도를 제어하고 photolithography 공정 없이 패터닝 가능성을 유 무를 판단하는 연구를 진행하였다. 기판은 Si wafer (100)를 사용하였으며 세척 후 표면에너지 증가를 위한 플라즈마 표면처리를 실시하였다. 분위기 가스는 Ar/$O_2$를 사용하였으며 입력전압 400 W에서 0, 5, 10, 15, 60초 동안 각각 실시하였다. ZnO nanorods의 seed layer를 도포하기 위하여 Zinc acetate dehydrate [Zn $(CH_3COO)_2{\cdot}2H_2O$, 0.03 M]를 ethanol 50 ml에 용해시킨 후 스핀코팅기를 이용하여 850 RPM, 15초로 5회 실시하였으며 $80^{\circ}C$에서 5분간 건조하였다. ZnO rods의 성장은 Zinc nitrate hexahydrate [$Zn(NO_3)_2{\cdot}6H_2O$, 0.025M], HMT [$C6H_{12}N_4$, 0.025M]를 deionized water 250 ml에 용해시켜 hotplate에 올리고 $300^{\circ}C$에서 녹인 후 $200^{\circ}C$에서 3시간 성장시켰다. ZnO nanorods의 성장 공정은(Fig. 1)과 같다. 먼저 플라즈마 처리한 시편의 표면에너지 측정을 위해 접촉각 측정 장치[KRUSS, DSA100]를 이용하였다. 그 결과 0, 5, 10, 15, 60 초로 플라즈마 표면 처리했던 시편이 각각 Fig. l, 2와 같이 $79^{\circ}$, $43^{\circ}$, $11^{\circ}$, $6^{\circ}$, $7.8^{\circ}$로 측정되었으며 이것을 각각 습식화학합성법으로 ZnO nanorods를 성장 시켰을 때 Fig. 3과 같이 밀도 차이를 확인할 수 있었다. 이러한 결과를 바탕으로 기판의 표면에너지를 제어하여 Fig. 4와 같이 나타나며 photolithography 공정없이 ZnO nanorods를 패터닝을 할 수 있었다. 본 연구에서는 플라즈마 표면 처리를 통하여 표면에너지의 변화를 제어함으로써 ZnO nanorods 성장의 밀도 차이를 나타냈었다. 이러한 저비용, 저온 공정으로 $O_2$, CO, $H_2$, $H_2O$와 같은 다양한 화학종에 반응하는 ZnO를 이용한 플렉시블 화학센서에 응용 및 사용될 수 있고, 플렉시블 디스플레이 및 3D 디스플레이 소자에 활용 가능하다.

• Resources Recycling
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• v.23 no.3
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• pp.30-36
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• 2014

A large amount of waste copper slag containing about 35 ~ 45% iron has been generated and discarded every year from pyrometallurgical processes for producing copper from copper concentrate. Thus, recovery of iron from the waste copper slag is of great interest for comprehensive use of mineral resource and reduction of environment problems. In this study, a physico-chemical separation process for upgrading iron from the waste copper slag discharged as an industrial waste has been developed. The process first crushes the waste copper slag below 1 mm (first crushing step), followed by carbon reduction at $1225^{\circ}C$ for 90 min (carbon reduction step). And then, resulting material is again crushed to $-104{\mu}m$ (second crushing step), followed by wet magnetic separation (wet magnetic separation step). Using the developed process, a magnetic product containing more than 66 wt.% iron was obtained from the magnetic separation under a magnetic field strength of 0.2 T for the waste copper slag treated by the reduction reaction. At the same conditions, the percentage recovery of iron was over 72%. The iron rich magnetic product obtained should be used as a iron resource for making pig iron.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.18 no.5
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• pp.337-345
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• 2009

When the drill hole diameter for the package substrate is under $100{\mu}m$, the smear in the drill hole cannot be eliminated by wet desmear process only. We intended to change the substrate's hydrophobic characteristics to hydrophilic characteristics by adapting the atmospheric pressure plasma prior to the wet desmear process. Atmospheric pressure plasma process was made as the inline type equipment which is adequate for the package substrate's manufacturing process and remote DBD type electrodes were used for the equipment. As the result of atmospheric pressure plasma processing, the contact angle of the substrate was enhanced from 71 degree to 30 degree. Dielectric film thickness, drill hole diameter and surface roughness were measured to evaluated the characteristics of the wet desmear process in case of plasma processing and in case of none. By the measurement, it was analyzed that the process uniformity within the whole panel was largely enhanced. Also, it was verified that the smear in the drill hole was eliminated efficiently which was analyzed by the SEM image of the drill hole.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.18 no.4
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• pp.310-317
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• 2009

Vertical wet equipment for the BGA develop process was newly developed substituted for conventional horizontal wet equipment. The benefits of vertical equipment are that the pattern damages generated by the collision between the patterns and transferring rollers can be eliminated because the direct contact between the equipment's transferring units and the soft dry film patterns does not occurs. Taguchi experiment was conducted to optimize the process characteristics for the vertical equipment. The experiment was organized as the smaller the better problem which includes adequate uncontrollable factor and controllable factors. The uncontrollable factors are the 4 sides of two panels which are loaded to the equipment at the same time. By the analysis of the experiment, temperature of the develop chemicals and develop spraying time are analyzed as the main controllable factors. Finally, line pattern's minimum width which is not damaged for the develop process was improved from $13.8{\mu}m$ for the horizontal equipment to $10.4{\mu}m$ for the vertical equipment. And dot pattern's minimum width is improved from $22.1{\mu}m$ to $16.3{\mu}m$.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.05a
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• pp.165-168
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• 2002

본 연구에서는 칩인덕터 코어 소재로 사용되는 (NiCuZn)-ferrite를 습식합성법을 이용하여 나노크기의 초미세 분말을 합성하였으며, 합성된 (ZiCuZn)-ferrite 의 제조공정 및 전파기적 특성에 관하여 고찰하였다. 조성은 (N $i_{0.4-x}$C $u_{x}$Z $n_{0.6}$)$_{1+w}$ (F $e_2$ $O_4$)$_{1-w}$에서 x의 값을 0.05~0.25 범위로 변화시켰으며, w 값은 0.03으로 고정하였다. 소결은 8$50^{\circ}C$에서 9$50^{\circ}C$의 범위에서 진행하였다. 나노크기의(NiCuZn)-ferrite를 사용함으로서 시약급 원료로 제조된 것보다 소결온도를 낮출 수 있었고, 밀도가 높은 페라이트 소결체를 얻을 수 있었다. 또한 초투자율, 품질계수 등 전자기적 특성이 우수하게 나타났다. 그 밖에 습식합성법으로 합성한 (NiCuZn)-ferrite 의 결정성, 미세구조 등을 XRD, SEM 을 이용하여 고찰하였다.하였다.다.

• Cement
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• s.76
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• pp.37-44
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• 1979

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 2004.10a
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• pp.1051-1052
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• 2004

• Journal of the Korean Applied Science and Technology
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• v.35 no.1
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• pp.214-222
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• 2018

Alane(aluminum trihydride, $AlH_3$) is a candidate material involving high energetic capacity for solid propellant or explosives. In this study aluminum trihydride-etherate ($AlH_3{\cdot}(C_2H_5)_2O$) was synthesized through a wet process, and solid alane was extracted by controlled crystallization. Alane crystals were grown during the crystallization step with phase conversion of aluminum trihydride-etherate to alane using an anti-solvent. Stable crystal forms were found by a 2 hour crystallization process at $85^{\circ}C$. Finally the extracted solid aluminium trihydride consisted mainly of ${\gamma}-type$ with $50-100{\mu}m$ in size.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1998.04a
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• pp.190-196
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• 1998

섬유공정은 대부분 섬유물이 연속적으로 이동하는 가운데 기계적인 처리 또는 건식/습식가공이 행하여진다. 이러한 공정에서는 원료의 공급속도 (feeding speed)와 생산되는 섬유제품의 방출속도(delivery speed)사이에 정확한 속도비를 유지하는 것이 필요하다. 공급속도와 방출속도와의 차이는 공정처리를 받고 있는 섬유물에 이동방향으로 긴장, 느슨함 또는 중첩을 일으킨다.(중략)