Semiconductor devices have evolved from 2D planar FETs to 3D bulk FinFETs, with aggressive device scaling. Bulk FinFETs make it possible to suppress short-channel effects. In addition, the use of low-k dielectric materials as a vacuum gate spacer have been suggested to improve the AC characteristics of the bulk FinFET. However, although the vacuum gate spacer is effective, correlation between the vacuum gate spacer and the short-channel-effects have not yet been compared or discussed. Using a 3D TCAD simulator, this paper demonstrates how to optimize bulk FinFETs including a vacuum gate spacer and to suppress short-channel effects.
By introducing curing kinetics and chemo-rheology for the epoxy resin formulation for ultra-high voltage gas insulated switchgear (GIS) Insulating Spacers, a study was conducted to simulate the curing behavior, flow and warpage analysis for optimization of the molding process in automatic pressure gelation. The curing rate equation and chemo-rheology equation were set as fixed values for various factors and other physical property values, and the APG molding process conditions were entered into the Moldflow software to perform optimization numerical simulations of the three-phase insulating spacer. Changes in curing shrinkage according to pack pressure were observed under the optimized process conditions. As a result, it was confirmed that the residence time in the solid state was shortened due to the lowest curing reaction when the curing holding pressure was 3 bar, and the occurrence of deformation due to internal residual stress was minimized.
셀룰로오스 트리콜레스테릴옥시카보네이트(CCE0)와 셀룰로오스 트리(콜레스테릴옥시카보닐)알카노에이트들(CCEn, $n=2{\sim}8$,10, 스페이서중의 메틸렌 단위들의 수)의 열 및 광학 특성을 검토하였다. CCE0는 쌍방성 콜레스테릭 상을 형성하는 반면 모든 CCEn은 단방성 콜레스테릭 상들을 형성하였다. $n=3{\sim}8$인 CCEn은 온도상승에 의해 광학피치들(${\lambda}_m's$)이 감소하는 좌측방향의 나선구조를 지닌 콜레스테릭 상들을 형성하였다. 한편, CCE0 그리고 n=2 혹은 10인 CCEn은 콜레스테릭 상의 전 범위에서 반사색깔을 나타내지 않았다. 이러한 사실은 콜레스테릴 그룹에 의한 나선의 비틀림력은 콜레스테릴 그룹과 주사슬을 연결하는 스페이서의 길이에 민감하게 의존함을 시사한다. CCEn에서 관찰되는 액정 상의 열적 안정성과 질서도 그리고 ${\lambda}_m$의 온도의존성은 n에 민감하게 의존하였다. 이들의 결과를 주사슬의 가소화, 곁사슬 그룹의 배열 그리고 분자들의 입체형태의 차이들의 견지에서 검토하였다.
국내 154 kV 복도체 가공송전선로를 대상으로 전자력에 의한 소도체간 접촉현상을 실증적으로 재현하고 대처 방안을 제시하였다. 도체에 흐르는 전류의 크기가 클수록, 스페이서의 간격이 클수록 소도체간에 작용하는 전자력은 크게 측정되었다. 스페이서 간격이 68 m일 경우 전류 크기가 2,000 A 일 때부터 소도체는 불안정한 상태가 되어 소도체간 간격이 변화하는 횡방향 진동이 시작되었다. 스페이서 간격이 136 m일 경우 전류 크기가 증가할수록 소도체간 간격은 좁아지다가 2,250 A 일 때 두 소도체는 완전히 접촉하였다. 스페이서 간격에 따른 전자력의 크기를 도식화하고 안전한 스페이서 간격을 제시하였다. 시험선로와 실선로 간에는 접촉현상이 발생하는 조건이 상이한 것으로 나타났으며, 이는 송전선로 가선 과정에서 도체에 가해진 여러 형태의 잔류 응력, 바람 조건 등의 차이 때문으로 판단되었다.
본 논문에서는 청색 인광 발광 물질인 bis(3,5-Difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl) iridium (III) (Flrpic)과 녹색 인광 발광 물질인 fac-tris(2-phenypyridine) irdium(III) ($Ir(ppy)_3$)와 적색 인광 발광 물질인 his(5-benzoyl-2-phenylpyridinato-C,N)iridium(III) (acetylacetonate) ($(Bzppy)_{2}Ir(acac)$)를 각각 적층하여 백색 유기 발광 다이오드를 제작하였고, 각각의 발광층 사이에 혼합된 스페이서인 4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl (CBP):4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen)을 적층하여 그 때의 영향에 대하여 연구하였다. 최적화된 구조에서의 전력 효율은 $0.014\;mA/cm^2$에서의 19.7 lm/w를 나타내었으며, $0.127\;mA/cm^2$에서의 11.5%의 외부 양자 효율을 나타내었고, 8 V에서 Commission Internationale do I'Eclairage ($CIE_{x,y}$) coordinates (x=0.36, y=0.44)의 색좌표를 나타내었다.
셀룰로오스 아밀로오스 키토산, 키틴, 알긴산, 풀루란 또는 아밀로펙틴을 6- [4- (4'- (니트로페닐아조)펜옥시)]펜타노일 클로라이드(NA6C)와 반응시켜 전치환 또는 거의 전치환 6- [4- (4'- (니트로페닐아조)펜옥시카보닐)] 펜타노화 다당류 유도체들을 합성함과 동시에 이들의 열방성 액정의 거동들을 검토하였다. NA6C의 경우와 같이, 모든 다당류 유도체들은 단방성 네마틱 상들을 형성하였다. 이러한 사실은 다당류 유도체들의 액정 구조는 다당류 골격에 의해 결정되는 것이 아니고 mesogenic 곁사슬 그룹들에 의해 결정됨을 시사한다. 이것이 셀룰로오스 유도체들을 제외한 다당류 유도체들이 열방성 네마틱 상을 형성한다고 하는 최초의 보고이다. 다당류 유도체들에 있어서 관찰되는 네마틱 상들의 열적 안정성과 질서도는 아조벤젠 그룹들을 유연한 스페이서를 통하여 유연한 혹은 강직한 골격들에 도입시켜 얻은 고분자들에 대해 보고된 결과들과 현저히 다르다. 이들의 결과를 주사슬과 곁사슬의 배열 그리고 주사슬의 유연성의 차이와 관련하에서 검토하였다.
본 논문에서는 새로운 추력기 성능 측정 방식을 제안한다. 광센서를 이용하여 추력기를 탑재한 것을 가정한 진자가 일정구간을 지나가는 시간을 측정하여 마이크로 추력기의 성능을 계산할 수 있도록 하였다. 마이크로 추력기의 추력을 측정하기 위해서 이미 몇 종류의 측정 장비가 개발되어있지만 본 논문에서는 최소 임펄스 비트(minimum impulse bit)를 직접적으로 측정할 수 있으면서 요구되는 보정과정을 최소화 할 수 있는 새로운 시스템에 대해 논술하였다. 이전에 사용되지 않은 시간 측정 방식을 응용하여 추력기에서 생성되는 임펄스를 계산할 수 있다. 이러한 측정 시스템의 바탕이 되는 이론에 대해 설명하였고 개발된 하드웨어를 통해 실제로 시험하였다. 검증을 위해서 추력이 부정확한 추력기가 아닌 위치변화를 주는 스페이서를 사용하여 하드웨어와 시뮬레이션 결과를 비교분석하였다. 개발된 하드웨어를 통해 개념인증 및 시스템 검증을 수행하였다.
1980년 이후로 치매, 파킨슨병, 운동신경질환 등 뇌질환 발생률이 급증하고 있으며 영국, 미국, 일본, 독일, 스페인의 발생률을 조사한 결과, 알츠하이머병을 포함한 치매 사망률이 남성경우 3배 이상 증가했고, 파킨슨병과 운동신경질환 등 뇌질환 사망률은 남녀가 약 50%씩 늘어난 것으로 나타났다. 유전적 이유로 보면 DNA변화로 추측되나 이에 대한 입증은 수백년이 걸리므로 실제 원인은 환경적 요인일 수 밖에 없다. 특히, 우려할 것은 급속히 증가하는 노인인구로 인한 노인성 질환 및 뇌질환의 대책이 무엇보다 요구되는 우리실정으로 발병하면 치료가 어렵고, 후유증이 심각하므로 무엇보다 예방이 중요하다. 위험인자와 발생위험을 조기에 알아낼 수 있도록 뇌혈관을 수시로 자가검사가 가능한 Cerebrovascular Ultrasonogram (뇌혈관 초음파)를 구현하여 특성 시험과 모델링화 하여 성능의 우수성을 입증하여 정리하였다. 차후 시스템을 보완하면 다른질병의 뇌질환 환자에도 적용이 될 것이고, 본 연구에서는 시제품을 직접 제작하여 비정형화 특성을 연구하고 접근해 보고자 노력하였다.
본 연구에서는 FDM(finite difference method)을 이용한 수치적 방법을 사용하여 MODFET (MO-dulation doped FET)의 전위 분포와 전자 밀도를 이차원적으로 해석하였다. 일차원적 해석 방법에서는 MODFET의 게이트 부분만을 계산하는 반면, 이차원적 해석 방법은 소오스와 드레인 부분도 계산해줌으로써 일차원적 해석 방법에서 무시되는 기생 효과(parasitic effect)를 고려하여 더 정확한 해석이 가능하였다. 결과로서 스페이스(spacer) 두께와 (n)AlGaAs층의 도핑 농도의 변화에 따른 채널내에서 2DEG(2dimensional electron gas)의 단위 면적에 대한 밀도와의 관계를 정량적으로 제시하였으며 스페이서의 두께가 작아지거나 (n)AlGaAs 층의 도핑 농도가 커질수록 MODFET 채널 내의 전자 밀도가 증가함을 확인하였다.
1770년대에 스페인의 선교사들이 캘리포니아에서 종교적 의식에 사용할 목적으로 포도를 재배하고 포도주를 생산하기 시작했고, 그로부터 100년이 지난 후 캘리포니아에서 상업적 목적의 포도주 생산이 시작되었다. 미국은 이제 프랑스, 이탈리아, 호주 다음 가는 포도주 생산국이 되었으며, 캘리포니아는 미국 포도주 생산의 95%를 차지하게 되었다. 또한 캘리포니아 포도재배 및 포도주 생산기술은 1970년대 초반부터 세계적인 수준에 이르렀음이 확인되었다. 이러한 캘리포니아 포도주 생산의 중심에는 나파와 소노마가 있다. 나파와 소노마에는 포도재배 및 포도주 생산, 그리고 와인투어 등, 1차, 2차, 3차 산업을 통합하는 의미 있는 와인산업 클러스터가 조성되어 있다. 본 연구는 지역혁신체제론에 입각한 분석틀에 기초하여 나파와 소노마의 와인산업 클러스터의 성장과정과 혁신주체, 그리고 그들이 형성하고 있는 거버넌스를 규명하고, 정책적 시사점을 도출한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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