• Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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• 2013.06a
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• pp.193-195
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• 2013

오디오 핑거프린트는 콘텐츠의 오디오 신호의 특색을 요약한 서명(signature)으로 2nd 스크린 서비스의 기반 기술로 주목 받고 있다. 이를 이용한 오디오 핑거프린트 시스템은 콘텐츠의 오디오를 인식하고 해당 콘텐츠와 연관된 메타 데이터를 2nd 디바이스와 웹을 통해 연결시키는 기능을 제공한다. 스마트링크 TV 는 이러한 오디오 핑거프린트를 이용한 KBS 의 콘텐츠 장면(scene) 기반 2nd 스크린 서비스 플랫폼이다. 본 논문에서는 한국의 방송환경에 적용된 스마트링크 TV 의 전반적인 플랫폼 구조와 활용방법에 대해 살펴본다.

• 프린팅코리아
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• v.14 no.8
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• pp.90-90
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• 2015

(주)스크린HD코리아(대표이사 전익성)가 지난 4월 중국에서 개최된 '프린트차이나 2015'에서 주목 받았던 디지털 레이저 크리징&커팅 장비인 'Highcon Euclid II 시리즈'를 본격 출시하며, 디지털 후가공 분야에 대한 공격적인 행보를 이어가고 있다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.37 no.10
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• pp.1001-1007
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• 2000

스크린 프린트법으로 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)용 YIG 후막을 제조하였고, YIG의 조성과 프린트 조건의 변화가 다결정 $Y_{3-x}$C $a_{x}$ F $e_{5-x}$Z $r_{x}$ $O_{12}$ (x=0~0.3) 후막의 미세구조 및 자기적 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. $Ca^{2+}$와 Z $r^{4+}$ 의 치환 첨가량이 0.2인 $Y_{2.8}$ C $a_{0.2}$F $e_{4.8}$ Z $r_{0.2}$ $O_{12}$ 조성의 paste로 제조된 YIG 후막의 경우, 포화 자화값이 최대를 나타내었으며, 강자성 공명 흡수선 폭은 최소를 나타내었다. 또한, YIG 후막의 두께 및 소결 유지시간 등의 제조조건을 제어함에 따라 치밀화 및 자기 특성이 향상됨을 확인할 수 있었다.다.다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2000.05a
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• pp.72-73
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• 2000

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2002.02a
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• pp.126-126
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• 2002

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.52 no.5
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• pp.558-563
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• 2014

To study the effects of fabrication methods on the performance and durability of polymer electrolyte membrane fuel cells (PEMFCs), membrane-electrode assemblies (MEAs) were fabricated using a Dr blade method, a spray method, screen print method and screen print + spray method. The performance of single cells assembled with the prepared MEAs were initially measured and compared. Electrode accelerated stress testing (AST) involving a potentiostatic step-wave with 10 s at 0.6 V followed by 30 s at 0.9 V was applied to test durability of MEAs. Before and after 6,000cycles of the AST, I-V curves, impedance spectra, cyclic voltammograms, linear sweep voltammetry (LSV) and transmission electron microscope (TEM) were measured. Under the operating conditions, the Dr Blde MEA exhibited the highest initial performance. After electrode accelerated stress testing, screen print + spray MEA showed lowest degradation rate.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2008.02a
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• pp.246-246
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• 2008

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.112-112
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• 2003

은분말은 전자 산업에 있어 후막 도체 페이스트의 제조를 위해 사용되어지고 있다. 후막 페이스트는, 기재상에 스크린 프린트되고, 전도성의 회로 패턴을 형성한다. 이러한 회로는, 다음에 건조, 소성되고 액체 유기 비이클을 휘발 시키고, 그리고 은 입자를 소결시킨다. 프린트 회로 기술은 점점 고밀도이면서 더욱 정밀한 전자 회로를 요구하고 있다. 이러한 요건에 적합하기 위하여 도선은 폭이 점점 좁아지고, 선의 사이의 거리가 점점 작아지고 있다. 고밀도가 조밀하게 꽉 찬 좁은 선을 위하여 은 분말은 가능한 크기가 단일하고 구형의 형태를 가져야 한다. 현재 금속 분말을 제조하는 방법으로는 화학적 환원법, 무화 또는 분쇄, 열분해법등의 물리적 과정 및 전기 화학적 과정 등이있다. 본 연구에서는 입도 분포가 좁은 구형의 은 분말을 제조하기 위하여 기상법의 하나인 분무열분해법을 도입하였다. 또한 싸이클론을 사용하므로 큰 액적들을 걸러 입도 분포를 줄였다. 은 분말의 프리커서로써는 AgNO$_3$를 사용하였고 반응기의 온도는 $700^{\circ}C$에서 100$0^{\circ}C$까지 변화시켰으며 운반기체로써는 5%H$_2$ 혼합가스로 20L/min에서 80L/min 변화시켜 은 분말을 제조하였다. 또한 용액의 농도는 0.2M에서 1.0M까지 변화시켰다. 용액의 농도가 0.2M이고 운반기체의 유랑이 40L/min일 경우 완전한 은 상이 관찰되었고, 입자의 크기는 약 600nm였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.04b
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• pp.81-84
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• 2004

본 논문은 스크린 프린트 방식을 이용하여 두께 $18{\mu}m$의 ZnS:(Cu,Al) 필름을 제조하여 미세구조와 결정성을 분석하고 형광체로써의 특성을 평가하였다. 영상획득에는 포항 가속기 연구소의 싱크로트론을 이용하였으며 CMOS 영상 센서를 사용하여 DR의 간접방식을 구현하였다. 특성 평가를 위해 SEM 측정, 발광 강도 측정을 하였고, 단색광(Beam size $5mm{\times}2mm$)을 사용하여 test phantom 영상과 물고기 영상을 획득하였다. 획득한 영상의 평가를 위해서 test phantom 영상의 MTF 측정을 하였다 제조된 ZnS:(Cu,Al) 필름의 표면은 육방정계 구조를 가졌으며, 5lp/mm는 73.8%, 10lp/mm는 38.9%, 15lp/mm는 15.4%, 20lp/mm는 12.2%의 MTF를 가졌다. 물고기 영상을 통하여 ZnS:(Cu,Al) 필름을 이용한 고해상도 미세구조영상 획득의 가능성을 확인하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.11a
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• pp.38.1-38.1
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• 2010

The trend to thinner crystalline silicon solar wafers in production of solar cells investigates re-evolution of back surface field (BSF) formation. We have studied mechanisms of back contact formation in Al evaporation and screen printed Al paste for Si solar cells by TEM analysis. We observed that Si diffuse into Al during heat up. The Si diffusion process made vacancies in Si wafer. The Al began to seep into the Si wafer (Al spike). During heat down, the Al spike were shrink which causes the doped region (BSF).