The purpose of this study Is to investigate the effect of $V_2$O$_{5}$ addition on the microstructures and magnetic properties of 7.7${\times}$4.5${\times}$1.0 mm sized multi-layer chip inductors prepared by the screen printing method using 0∼0.5 wt% $V_2O_{5}$-doped NiCuZn ferrite pastes. With increasing the $V_2O_{5}$ content, the exaggerated grain growth of ferrite layers was developed due to the promotion of Ag diffusion and Cu segregation into the grain boundaries oi ferrites, which affected significantly the magnetic properties of the chip inductors. After sintering at $900^{\circ}C$, the inductance at 10 MHZ of the 0.5 wt% $V_2O_{5}$-doped chip inductor was 3.7 ${\mu}$H less than 4.2 ${\mu}$H of the 0.3 wt% $V_2O_{5}$-doped one, which was thought to be caused by the residual stress at the ferrite layers increased with the promotion of Ag diffusion and Cu segregation. The quality factor of the 0.5 wt% $V_2O_{5}$-doped chip inductor decreased with increasing the sintering temperature, which was considered to be caused by the electrical resistivity of the ferrite layer decreased with the promotion of Ag/cu segregation at the grain boundaries and the growth of the mean grain size of ferrite due to exaggerated grain growth of ferrite layers.
The ZnS:Cu,Cl thick film electroluminescent devices with the stacking type(separated with phosphors and insulator layers) and the composite type (mixed with phosphor and insulator materials) emission layers were fabricated on ITO/glass substrates by the screen printing methods. The opical and electrical properties were investigated as fundations of applied voltages and frequencies. In the stacking type, the luminance was about 58 cd/$\m^2$ at the applied voltage of 400Hz, 200V and increased to 420 cd/$\m^2$ with increasing the frequency to 30Hz. For the composite type devices, the threshold voltage was 45V and the maximum luminance was 670 cd/$\m^2$ at the driving condition of 200V, 30Hz. The value of luminance of the composite type device showed 1.5 times higher than that of stacking type device. The main emission peak was 512 nm of bluish-green color at 1Hz frequency below and shifted to 452 nm in the driving frequency over 5Hz showing the blue omission color. There were no distinct differences of the main emission peaks and color coordinate for both samples.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.28
no.12
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pp.1007-1010
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2017
In this paper, a frequency selective surface(FSS) with bandstop operation for radio-frequency spectrum management is presented. The proposed FSS is composed of patterns of fractal-based miniaturized unit cells for stable performance for angles of incidence and polarizations. For practical applications requiring high productivity and environmental compatibility, we fabricated a film-type FSS by screen-printing using Ag ink, rather than a conventional manufacturing method using a printed circuit board. To validate this study, we measured the transmission characteristics of the proposed FSS using the free-space measurement method, and observed the received strength of signal penetrating the FSS film applied to a wall.
Park, Seong-Dae;Kang, Na-Min;Lim, Jin-Kyu;Kim, Dong-Kook;Kang, Nam-Kee;Park, Jong-Chul
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.41
no.4
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pp.313-322
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2004
Thick film photolithography is a new technology in that the lithography process such as exposure and development is applied to the conventional thick film process including screen-printing. In this research, low-temperature cofireable silver paste, which enabled the formation of thick film fine-line using photolithographic technology, was developed. The optimum composition for fine-line forming was studied by adjusting the amounts of silver powder, polymer and monomer, and the additional amount of photoinitiator, and then the effect of processing parameter such as exposing dose on the formation of fine-line was also tested. As the result, it was found that the ratio of polymer to monomer, silver powder loading, and the amount of photoinitiator were the main factors affecting the resolution of fine-line. The developed photosensitive silver paste was printed on low-temperature cofireable green sheet, then dried, exposed, developed in aqueous process, laminated, and fired. Results showed that the thick film fine-line under 20$\mu\textrm{m}$ width could be obtained after cofiring.
눈부신 전자산업의 발달로 대부분의 전자제품이 다기능/경박단소화 되고 있어, 고밀도 실장 기술인 양면 표면실장과 고집적 패키징 기술인 패키지 적층 공정의 적용이 점차 확대되고 있다. 따라서 양면 표면실장 및 패키지 적층 공정에 사용되는 저온 접합용 무연 솔더 즉, $183^{\circ}C$(Sn-37Pb 공정 솔더 융점) 이하의 융점을 가지는 저온 무연 솔더에 대한 관심이 높아지고 있다. 한편, 미세피치 적용 분야에 있어 ACF/P를 이용한 COG 접속 분야 외에도 최근 저온 접합용 무연 솔더를 이용한 접속 분야가 각광을 받고 있다. 따라서, 접속피치 미세화에 대응하기 위해 스크린 인쇄성을 향상시킬 수 있는 저온 무연 솔더 paste 제조 및 공정 기술의 개발이 필요한 실정이다. 현재 대표적인 저온 무연 솔더 조성은 Sn-Bi계($138^{\circ}C$ 융점)와 Sn-In계($120^{\circ}C$ 융점)이다. 하지만, 이들 조성의 신뢰성 등에 있어 개선의 여지가 있으므로 이를 해결하기 위한 무연솔더 조성의 개발이 필요하다. 이와 같은 관점에서, 본 연구는 $137^{\circ}C$의 융점을 갖는 Sn-57.6Ag-0.4Ag 저온 무연 솔더 paste를 $217^{\circ}C$의 융점을 갖는 Sn-3.0Ag-0.5Cu 솔더 paste와 비교하여 인쇄성, reflow 특성, void inspection, 미세조직 관찰 및 underfill 적용 등의 실험을 실시하였다.
Park, Seong-Dae;Lee, Sang-Myoung;Kang, Nam-Kee;Oh, Jin-Woo;Kim, Dong-Kook
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.532-532
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2008
본 연구에서는 Embedded 기판용 폴리머 후막저항의 허용편차 개선을 위하여 새로운 후막 패터닝 기술을 도입하는 연구를 실시하였다. 기존의 Embedded 기판용 폴리머 후막저항은 스크린 인쇄에 의하여 형성됨에 따라 패턴의 정밀성이 떨어지고 기판 상 위치별 두께편차에 의하여 저항값의 허용편차(tolerance)가 ${\pm}$20~30% 정도로 큰 단점을 가지고 있다. 따라서 경화 후 laser trimming 공정을 필수적으로 동반하게 된다. 이를 개선하기 위하여 본 연구에서는 알칼리 수용액에 현상이 가능한 감광성 레진을 이용하여 폴리머 후막저항 페이스트를 제작하는 것과 함께 기판 전면에 균일한 두께로 인쇄하는 roll coating 방법을 도입하는 실험을 수행하였다. 알칼리 현상형의 감광성 레진 시스템은 노광 및 현상에 의해 정밀한 패턴을 구현할 수 있는 장점을 가지고 있으며, 본 연구에는 A사의 일액형 레진과 T사의 이액형 레진을 사용하였다. 여기에 전도성 필러로서 카본블랙을 첨가하였는데, 그 첨가량의 조절에 따른 후막저항의 시트저항값 변화와 현상 특성을 관찰하였다. 테스트 보드는 FR-4 기판 상에 전극 형상의 동박을 패터닝 후 Ni/Au 도금까지 실시하여 제작하였고, 이 테스트 보드 상에 별도로 제작된 저항 페이스트를 도포한 후 저항체 패턴이 입혀져 있는 Cr 마스크를 이용하여 노광하였다. 이후 현상 공정을 통하여 저항체를 패터닝하고, 이를 $200^{\circ}C$에서 1시간 열경화하는 것으로 후막 저항 테스트쿠폰을 제작하였다. 실험결과 roll coating에 의해 도포된 후막저항체들은 균일한 두께 범위를 나타내었고, 이에 따라 최종 경화 후 허용편차도 통상 ${\pm}$5~10% 이내로 제어될 수 있었다.
Kim, Seo Jin;Son, Seon Gyu;Yoon, Jo Hee;Choi, Bong Gill
Applied Chemistry for Engineering
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v.32
no.4
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pp.456-460
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2021
A potentiometric sodium-ion (Na+) sensor was prepared using a screen-printing process with carbon and silver inks. The two-electrode configuration of the sensor resulted in potential differences in Na+ solutions according to Nernstian equation. The obtained Na+-sensor exhibited an ideal Nernstian sensitivity, fast response time, and low limit of detection. The Nernstian response was stable when the sensor was tested for repeatability and long-term durability. The Na+-selective membrane coated onto the carbon electrode selectively passed sodium ions against interfering ions, indicating an excellent selectivity. The portable Na+-sensor was finally fabricated using a printed circuit system, demonstrating the successful measurements of Na+ concentrations in various real samples.
Kim, Hyunho;Park, Sungeun;Kim, Young Do;Song, Jooyong;Tark, Sung Ju;Park, Hyomin;Kim, Seongtak;Kim, Donghwan
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2010.11a
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pp.41.2-41.2
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2010
최근 태양전지 제조비용 절감을 위해 초박형 실리콘 태양전지 개발이 활발히 이루어지고 있다. 이에 따라 후면전계(Back Surface Field, BSF) 특성에 대한 관심이 높아지는 추세이다. 이에 본 연구에서는 후면의 결정방향 및 표면구조에 따라 형성되는 후면전계(BSF)의 특성에 대해 알아보고자 하였다. 후면이 절삭손상층 식각(Saw damage etching) 후 (100)면이 드러난 실리콘 기판과 텍스쳐링(Texturing) 후 (111)면이 드러난 실리콘 기판에 후면 전극을 스크린 인쇄 후 Ramp up rate을 달리 하여 소성 공정(RTP system)을 통해 후면전계(BSF)를 형성하여 비교하였다. 후면전계(BSF)의 형상과 특성만을 평가하기 위하여 염산을 이용하여 후면 전극층을 제거하였다. 후면 전극 제거 후 주사전자현미경(Scanning Electron Microscopy)과 3차원 미세형상측정기(Non-contacting optical profiler)로 후면전계(BSF)의 형상을 비교하였다. 또한 후면전계(BSF)의 특성을 평가하고자 Quasi-Steady-State Photo Conductance(QSSPC)를 사용하여 포화전류(Saturation current, $J_0$)을 측정하였고, 면저항 측정기(4-point probe)로 면저항을 측정하여 비교하였다. 후면 전계(BSF)는 (100)면과 (111)면에서 모두 Ramp up rate이 빠를수록 향상된 특성을 보였고, (111)면에서 더 큰 차이를 보였다.
We used an etching process to control the line-width of screen printed Ag paste patterns. Ag paste was printed on anodized Al substrate to produce a high power LED. In general, Ag paste spreads or diffuses on anodized Al substrate in the process of screen printing; therefore, the line-width of the printed Ag paste pattern increases in contrast with the ideal line-width of the pattern. Smudges of Ag paste on anodized Al substrate were removed by neutral etching process without surface damage of the anodized Al substrate. Accordingly, the line-width of the printed Ag paste pattern was controlled as close as possible to the ideal line-width. When the etched Ag paste pattern was used as a seed layer for electroless Ni plating, the line width of the plated Ni film was similar to the line-width of the etched Ag paste pattern. Finally, in pattern formation by Ag paste screen printing, we found that the accuracy of the line-width of the pattern can be effectively improved by using an etching process before electroless Ni plating.
태양전지의 전극소성 시 알루미늄 후면 전극이 실리콘으로 확산되어 후면전계(Back Surface Field)를 형성한다. 후면 패시베이션층은 후면반사율을 높여 내부광흡수경로를 늘리고 후면재결합속도를 감소시킨다. 본 논문은 후면 패시베이션층이 알루미늄 후면전계 형성에 미치는 영향 및 온도에 따른 변화를 관찰하였다. 절삭손상(Saw damage)이 제거된 실리콘 기판의 후면에 패시베이션층이 없는 것과 후면 패시베이션층으로 사용되는 실리콘 산화막을 형성시킨 시편을 제작하였다. 알루미늄 후면전극을 스크린 인쇄 후 소성온도를 달리하여 실리콘과 알루미늄과의 반응을 비교하였다. 주사전자현미경(SEM)을 사용하여 시편의 단면사진으로부터 소성온도에 따른 실리콘과 알루미늄간의 반응 여부를 관찰하였고, 열분석을 통해 반응 온도를 조사하였다. 패시베이션층이 없는 경우에는 약 $600^{\circ}C$부터 실리콘과 알루미늄간의 반응이 시작되었고, 패시베이션층이 있는 경우에는 약 $700^{\circ}C$부터 반응이 시작되는 결과를 얻었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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