• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.11a
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• pp.120-120
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• 2006

탄소나노튜브는 nm급의 크기에 높은 전기전도도, 열전도 효율, 감한 기계적 강도 등의 장점을 가지며, FED(Field Emission Display), 극미세 전자 스위칭 소자, SET(Single Electron Transistor), AFM(Atomic Force Microscope) tip등 여러 분야로의 응용을 연구하고 있다. 본 연구에서는 탄소나노튜브를 Si 웨이퍼 위에 Ni/Ti 금속층을 촉매층으로 사용하고, 암모니아($NH_3$)가스와 아세틸렌 ($C_2H_2$)가스를 각각 희석가스와 성장원으로 사용하여 합성하였다. 탄소나노튜브의 성장은 Hot filament 화학기상증측(HFPECVD) 방식을 사용하였으며, 이 방법은 다량의 합성, 높은 균일성, 좋은 정렬 특성등의 장점을 가진다. 성장 온도는 탄소나노튜브의 성장 특성을 변화시키는 중요한 요소이다. 성장 온도에 따라 수직적 성장, 성장 밀도등의 특성 변화를 관찰하였다. 성장된 탄소나노튜브층 성분 분석은 에너지 분산형 X-선 측정기(EDS)를 통해 관찰하였고, 끝단에 촉매층이 존재하는 30~50 nm 폭을 가진 다중벽 탄소나노튜브를 고배율 투과전자현미경(HRTEM) 분석을 통해 관찰하였다. 전계방사 주사전자현미경(FESEM) 분석을 동해 1~3${\mu}m$의 길이를 가진 탄소나노튜브가 높은 밀도로 성장된 것을 확인하였다.

• The Journal of the Petrological Society of Korea
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• v.19 no.4
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• pp.283-292
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• 2010

The Suljeongri east three-story stone pagoda in Changnyeong (National Treasure No. 34) has been damaged mainly by lots of cracks. The stones used for this pagoda are medium-granied equigranular pinkish biotite granite. Measured magnetic susceptibility values are of from 2 to 9 (${\times}10^{-3}$ SI unit). From the ${\gamma}$-ray spectrometer mesurement K, eU, and eTh contents of the stones are 3 to 7%, 8 to 19 ppm, and 11 to 35 ppm, respectively. Comparing the petrographical and chemical characteristics between the stones of the pagoda and the country rocks near Suljeongri, it is suggested that the most similar rock could be equigranular biotite granite in the western slope of the Mt. Hwawangsan. Vertical, horizontal and diagonal cracks are intensely developed at the lower part of the stone pagoda. Biotite granite has intrinsic microcracks defined as rift and grain rock cleavages. Both rock cleavages are assumed to have led to the crack growth and consequent mechanical damage of the pagoda. It seems that vertical cracks have been grown parallel to the principal compressional stress, and that horizontal cracks to the reacting tensional stress. Diagonal cracks seems likely to have been resulted from conjugate rift and grain rock cleavages.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.27 no.4
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• pp.119-125
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• 2020

Transition metal dichalcogenides (TMDCs), two-dimensional atomic layered materials with direct bandgap in the range of 1.1-2.1 eV, have attracted a lot of research interest due to their high response to light and capability to build new types of artificial heterostructures. However, the large-area synthesis of high-quality and uniform TMDC films with vertical-stacked heterostructure still remains challenge. In this study, we have developed a metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) system for TMDCs and conducted a systematic study on the growth of single-layer TMDCs and their heterostructures. In particular, using a bubbler-type organometallic compound sources, the concentration and flow rate of each source can be precisely controlled to obtain uniformly single-layered MoS2 and WS2 films over the centimeter scale. In addition, the MoS2/WS2 vertical heterostructure was achieved by growing WS2 film directly on the MoS2 film, as confirmed by electron microscopy, UV-visible spectrophotometer, Raman spectroscopy, and photoluminescence spectroscopy.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.346-346
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• 2011

실리콘 나노와이어는 높은 표면적으로 인해 뛰어난 감지 능력을 가지는 재료 중 하나로 다양한 센서 응용 분야에 사용되고 있다. 이를 제작하는 방법에는 Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) 공정을 이용한 Top-down 방식과 Vapor-Liquid-Solid (VLS) 공정을 이용한 Bottom-up 방식이 널리 사용되고 있다. 특히 Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)와 Au 촉매를 이용한 Bottom-up 방식은 수십 나노미터 이하의 실리콘 나노와이어를 간단한 변수 조절을 통해 성장시킬 수 있다. 또한 Au/Si의 공융점인 363$^{\circ}C$보다 낮은 온도에서 $SiH_4$를 분해시킬 수 있어 열적 효과로 인한 손실을 줄일 수 있는 장점을 지니고 있다. 하지만 PECVD를 이용한 실리콘 나노와이어 성장은 VLS 공정을 통해 표면으로부터 수직으로 성장하게 되는데 이는 센서 응용을 위한 전극 사이의 수평 연결 어려움을 지니고 있다. 따라서 이를 피하기 위한 표면 성장된 실리콘 나노와이어가 요구된다. 본 연구에서는 PECVD VLS 공정을 이용하여 $HAuCl_4$를 촉매로 이용한 표면 성장된 Tree-like 실리콘 나노와이어를 성장시켰다. 공정가스로는 $SiH_4$와 이를 분해시키기 위해 Ar 플라즈마를 사용 하였고 웨이퍼 표면에 HAuCl4를 분사하고 고진공 상태에서 챔버 기판을 370$^{\circ}C$까지 가열한 후 플라즈마 파워(W) 및 공정 압력(mTorr)을 변수로 두어 실험을 진행하였다. 기존의 보고된 연구와 달리 환원된 금 입자 대신 $HAuCl_4$용액을 그대로 사용하였는데 이는 표면 조도(Surface roughness)를 가지는 Au 박막 상태로 존재하게 된다. 이 중 마루(Asperite) 부분에 PECVD로부터 발생된 실리콘 나노 입자가 상대적으로 높은 확률로 흡착하게 되어 실리콘 나노와이어의 표면성장을 유도하게 된다. 성장된 실리콘 나노와이어는 SEM과 EDS를 이용하여 직경, 길이 및 화학적 성분을 측정하였다. 직경은 약 100 nm, 길이는 약 10 ${\mu}m$ 정도로 나타났으며 Tree-like 실리콘 나노와이어가 성장되었다. 향후 전극이 형성된 기판위에 이를 직접 성장시킴으로써 이 물질의 I-V 특성을 파악 할 것이며 이는 센서 응용 분야에 도움이 될 것으로 기대된다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.2
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• pp.239-246
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• 1994

Cd1-xCoxIn2Se4($\chi$=0.000, 0.001, 0.005, 0.10, 0.50) 단결정을 수직 Bridgman 방법으로 성장시키고 성장된 단결정의 조성 및 결정구조를 조사하고 광학적 특성을 연구하였다. 성장된 단결정은 pesudocubic 구조이고 격자상수는 조성$\chi$가 증가함에 따라 약간씩 감소하였다. 기초 흡수단 영역에서의 광흡수 spectra 측정에서 이 단결정들은 간접전이 및 직접전이 및 직접전이 energy gap을 갖고 있으며 이들 energy gap의 조성의존성은 조성이 $\chi$=0.00에서 $\chi$=0.016까지는 기울기가 같고 $\chi$=0.016에서 기울 기가 변화되어서 $\chi$=0.016에서 $\chi$=0.50까지는 같은 기울기를 갖고 있다. 이러한 현상은 $\chi$=0.016에서부터 CdIn2Se4 내에 cobalt를 포함한 새로운 물질이 형성되고 이 물질과 a-CdIn2Se4 사이에 고체고용체를 형 성하기 때문이다.

• Proceedings of the Korean Society For Composite Materials Conference
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• 2003.10a
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• pp.37-41
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• 2003

열화학 기상합성법을 이용한 탄소나노튜브의 성장에서 촉매 금속 층의 형성 공정은 탄소나노튜브의 직경 및 길이를 제어해주는 가장 중요한 요소이다. 탄소나노튜브의 대량합성을 위해 자성유체를 이용한 촉매 금속 층의 손쉬운 형성공정을 개발하였다. 수용성 폴리비닐알코올과 마그네타이트 나노 입자들이 혼합된 자성유체를 다양한 기판에 스핀 코팅하여 촉매 금속 층을 간편하게 형성할 수 있었다. 자성유체 제조 시 혼합된 수용성 폴리비닐알코올은 자성유체용액의 점성을 증가 시켜 주었으며, 이러한 점성의 증가는 스핀 코팅 시 용액과 기판간의 접착력을 증대시켜 주었다. 또한 건조 과정 이후에도 잔류되어 탄소나노튜브 합성 공정 중에 촉매금속이 응집되는 현상을 방지 차여 균일한 입자 크기를 유지하도록 하였다. 이는 고밀도의 수직 배열된 탄소나노튜브의 성장의 직접적인 원인으로 생각된다. 또한 탄소나노 튜브의 대량 합성을 위해서 Si 기판 치에 알루미나와 금속 기판에서도 탄소나노튜브의 성장을 시도하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.3
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• pp.355-359
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• 1994

Cd1-xCoxIn2Se4(X=0.50) 결정을 수직 Bridgman 방법으로 성장시키고 성장된 결정의 결정구조 및 XPS 특성을 연구하였다. 성장된 결정은 pseudocubic 구조이고 격자상수는 a=5.778$\AA$으로 주어졌다. Cd1-xCoxIn2Se4 결정의 각 성분원소인 cadmium cobalt indium 그리고 selenium에 대한 XPS spectrum으 로부터 결합에너지와 결합상태를 조사하였다. Cd1-xCoxIn2Se4결정과 결합하지 안는 각 성분원소인 cadium cobalt imdium 그리고 selenium에 대한 core level의 XPS spectrum과 비교하면 각 성분원소상 이의 결합에 의한 chemical shift 현상 때문에 core level의 결합에너지가 0.10~4.87 eV 차이가 있다. Cd1-xCoxIn2Se4 결정에서 Co 2P3/2 core level의 주 peak와 statellite peak와의 결합에너지 차이로부터 cadmium과 치화된 cobalt는 Co2+ ion으로 Td symmetry 점에 위치함을 알 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.475-475
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• 2011

현재 수열합성법으로 이용하여 1차원으로 수직 성장한 ZnO 나노와이어는 밴드 갭이 3.37ev로 큰 밴드 갭을 갖는 물질이며 밀도 조절이 매우 어려운 것으로 알려져 있다. ZnO 나노와이어는 기존의 리소그래피 기반을 둔 Top-Down 방식과 달리 자발적인 형성과정으로 높은 결정성을 가지게 되는데, 이는 ZnO 나노와이어가 큰 종횡비 와 전자친화도를 가지고 있어 높은 전계방출 효과를 기대하게 되는 부분이다. 본 연구에서는 실버를 열처리하여 형성된 실버 나노파티클을 마스킹층으로 사용하여 ZnO 나노와어의 밀도 조절을 하고자 하였다. 실버막을 AZO seed layer 기판 위에 증착한뒤 $200{\sim}600^{\circ}C$ 까지 열처리 후 수열합성법을 이용하여 ZnO nanowire를 성장하였다. 또한 전구체인 ZN(NO3)2${\cdot}$6H2O 와 HMT 에 각각 Ammonium chloride와 PEI를 첨가하였고, PEI 의 몰농도를 변화하여 성장된 ZnO 나노와이어의 구조적, 광학적 특성을 평가함으로서 전자소자 적용 가능성을 확인하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.6 no.1
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• pp.32-43
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• 1996

A $CdIn_{2}Te_{4}$ single crystal was grown by modified veritical bridgman method. The $CdIn_{2}Te_{4}$ single crystal was evaluated to be tetragonal by the powder method. The $CdIn_{2}Te_{4}$ single crystal was confirmed to be grown with its c axis along the lengthe of the boule by the Laue reflection method. Hall effect of $CdIn_{2}Te_{4}$ single crystal was estimated by van der pauw method from 293 K to 30 K. Hall data of the sample perpendicular to c axis was $n=8.75{\times}10^{23}electrons/m^{3},\;R_{H}=7.14{\times}10^{-5}m^{3}/C,\;{\sigma}=176.40{\omega}^{-1}m^{-1},\;{$\mu}=3.41{\times}10^{-2}m^{2}/V.s$ and the sample parallel to c axis was $n=8.61{\times}10^{23}electrons/m^{3},\;R_{H}=7.26{\times}10^{-5}m^{3}/C,\;{\sigma}=333.38{\omega}^{-1}m^{-1}\;and\;{$\mu}=2.42{\times}10^{-2}m^{2}/V.s$ for room temperature. The value of Hall coefficient on sample perpendicular or parallel to c axis were positive. There $CdIn_{2}Te_{4}$ single crystal was p-type semiconductor.

• Korean Aquaculture
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• v.14 no.2
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• pp.52-65
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• 2002

비단가리비의 인공 종묘 생산을 목적으로 전라남도 신안군 대흑산도 주변에 서식하는 비단가리비를 대상으로 인공 종묘 생산을 위한 산란 유발, 수정란의 발생 과정, 유생 사육, 채묘 및 중간 육성 등 양식 생물학적 연구를 실시하였다. 어미의 각종 산란 유발 자극에 대한 반응은 Serotonin 주사, 온도 자극, 혼합 자극에서 반응율이 가장 높았으며, 자외선 조사 해수 자극은 수컷만 반응을 하였고 간출 자극은 반응이 없어 실효성이 없는 것으로 나타났다. 수정란의 크기는 $69.5{\mu}m$이었고, 수정 후 약 2시간에 2 세포기, 8시간 후에 8 세포기, 20시간 후에는 담륜자 유생으로 부화하였으며 40시간 후에는 D상 유생으로 되었다. 수온별 비단가리비 유생의 성장은 수온 $20^{\circ}C$에서 각장 $178.9{\mu}m$로 가장 좋았으며, 이 때의 생존율은 15.5%이었다. 그러나 수온 $15^{\circ}C$에서는 낮은 성장을 보여 각장 $135.9{\mu}m$로 성장하였으며, 생존율도 9.8%로 저조하였다. 수용 밀도별 사육 시험에서 $1m{\ell}$당 1개체와 5개체에서 성장 및 생존율이 양호하여 성장 및 생존율을 볼 때 적정 사육 밀도는 $1m{\ell}$당 5개체 이하로 나타났다. 먹이 생물 종류에 따른 유생의 성장을 알기 위하여 I, gal-baba, C, calcitrans, N, oculata를 단독 또는 혼합으로 공급하였을 때 실험 종료후 각장의 성장은 I, galbana+C. calcitrans+N. oculata구가 $194.2{\mu}$로 가장 좋았고 N. oculata구는 $162.2{\mu}m$로 가장 낮은 성장을 보였다. 생존율에서는 I. galbana+C. calcitransoculata구는 9.4%로 가장 낮은 생존율을 보였다. 채묘기별 유생의 부착률은 염화비닐판을 수평으로 놓은 것과 패각이 각각 3.43%와 3.17%로 가장 양호하였으나, 양파망과 염화비닐판을 수직으로 놓은 것은 각각 1.52%와 1.61%로 비교적 저조하였다. 수정 후 40일째부터 90일째까지 측정한 부착치패의 경과 일수에 따른 각장의 성장은 $SL=184.44e^{0.0335X}(r^2=0.9861)$의 회귀직선식으로서 나타났다. 중간육성 시험에서 수심별 성장을 분석한 결과, 비단가리비 치패는 저층보다 표층이 각장 5.92mm, 전중량 6.07g 정도 더 빨리 성장하였다.