• 한국재료학회지
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• 제4권5호
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• pp.581-589
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• 1994

인가자장하에서 성장한 $Co_{83}Cr_{17}$ 박막의 자가적 특성 및 미세구조를 조사하였고, 인가자장을 가하지 않은 경우에 성장한 박막과 그 특성 및 미세구조를 비교 하였다. 인가자장은 박막의 포화자화와 수평방향 보자력에는 아무런 영향을 주지 못하였지만, 수직보자력과 유효수직이방성자계를 감소시켰다. 또한 천이층의 결정립경과 두께는 인가자장에 의해 영향을 받지 않았지만, C축배향성은 약간 악화되었다. 또한 TEM사진은 인가자장의 유무에 관계없이 박막의 두께가 두꺼워질수록 (002)방위의 결정립 등이 우선적으로 성장함을 보여주었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.22-22
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• 2009

최근 산화물 반도체와 나노소자 대한 관심이 날로 높아지고 있는 가운데 산화아연(ZnO) 나노구조를 이용한 나노소자 제작이 많이 연구되고 있다. 산화아연은 c축으로 우선 배향성을 가지는 우르짜이트 구조로써, 나노선 성장이 다른 산화물에 비해 용이하고 그 물리적, 화학적 특성이 안정 무수하다. 이러한 산화아연 나노선 제작법 가운데, 유기금속화학기상증착법은 다른 성장법에 비해 결정학적 광학적 특성이 우수하고 성장속도가 빨라 고품질 나노선 성장에 용이한 장비로 각광받고 있다. 하지만 bottom-up 공정을 기반으로 한 나노소자제작에서 몇 가지 문제점을 가지고 있다. 1) 수직형 대면적 성장, 2) 나노선 밀도 조절의 어려움, 3) 기판과의 계면층에 자발적으로 생성되는 계면층의 제거, 4) 고온성장시 precursor의 증발 문제 등이 그것이다. 본인은 이러한 문제점을 해결하기 위해 산화아연 나노구조 성장 시, 마그네슘(Mg)을 도입하여, 각 원소의 함량 분포 정도에 따라 기판 표면에 30nm 두께 미만의 상분리층(단결정+비정질층)을 자발적으로 형성시켰다. 성장이 진행됨에 따라, 아연이 rich한 단결정 층에서는 나노선이 선택적으로 성장하게 하였고, 마그네슘이 rich한 비정질 층에서는 성장이 이루어지지 않게 하였다. 따라서 산화아연이 증발되는 온도영역에서 10nm 이하 직경을 가지는 나노선을 자발적으로 계면층 없이 수직 성장하였다. 또한, 표면의 단결정, 비정질의 사이즈를 Mg 함량으로 적절히 조절한 결과, 산화아연계 나노월 구조성장이 가능하였다.

• 폴리머
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• 제28권4호
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• pp.298-304
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• 2004

유전율 이방성이 음인 액정과 UV 경화용 단량체를 사용해 초기에 투명한 상태인 고분자 분산형 액정 (PDLC)셀을 제작하였고 그 셀의 전기 광학 특성을 연구하였다. 액정과 단량체의 비율이 70/30 wt%, 2$0^{\circ}C$의 노광 온도, 198㎽/$\textrm{cm}^2$ 의 노광 세기에서 만들어진 셀이 명암 대비율이 가장 우수하였다. 이 조건에서 만들어진 초기에 투명한 상태를 나타내는 고분자 분산형 액정 셀은 종래 PDLC 셀과 달리 액정들이 초기에 수직 배향막에 의해 기판에 수직으로 서게 되고 노광에 의해 중합된 고분자는 액정의 배열에 영향을 크게 미치지 않아 전압 인가 전에는 입사 된 빛이 통과하게 된다. 전압인가 시에는 전기장에 액정들이 기판에 수직 방향으로 누우면서 고분자와 액정의 굴절을 차이를 만들어내고 이는 입사된 빛을 산란시킨다. 또한 이러한 초기에 투명한 상태를 나타내는 PDLC 셀은 기존의 초기에 산란을 일으키는 PDLC 셀보다 우수한 시야각 특성을 보여주었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.187-187
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• 2009

The PVA(patterned vertical alignment) mode has a excellent dark state at normal direction. but they has a disclination area at divided domain region at voltage on state. so this disclination make a slow response time and decrease transmittance. To overcome this problem, we research about polymer stabilized vertical alignment (PS-VA) method which was using the UV curable reactive mesogen. According to our research, UV exposure condition which was UV dosage condition effected to rising time and decay time and also threshold voltage.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권7호
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• pp.695-699
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• 2006

Injection time of liquid crystal (LC) by capillary action in a vertically aligned (VA) nematic LC cell takes longer than that in a homogeneously aligned (HA) LC cell because Miesowicz viscosity in the former is bigger than that in the latter. To reduce liquid crystal injection time in the VA cell, we applied vertical electric field while injecting so that the orientation of LC molecules is changed from vertical alignment to homogeneous alignment. Consequently, the injection speed is improved by 25 % when compared with the cell without an applied field.

• 한국재료학회지
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• 제6권5호
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• pp.475-482
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• 1996

초음파분무를 이용한 MOCVD법으로 강유전 BaTiO3 박막을 제조하였다. 초음파 분무 MOCVD법은 비교적 저온에서도 후열처리없이 결정화된 박막의 제조가 가능하다. 증착한 박막은 기판온도가 증가할수록 (110) 우선 배향성을 가졌으며, 기판온도에 따라서 서로 다른 결정상을 나타내었다. 기판온도가 55$0^{\circ}C$인 경우에 증착한 박막은 결정화가 완전히 진행되지 않았으며, 결정립의 크기도 매우 작아 상온에서 입방정상의 특성을 보였다. $600^{\circ}C$에서 증착한 박막은 결정화가 진행되어 입자의 크기는 성장하였으나 의사 입방정상을유지하고 있었다. 반만 $650^{\circ}C$에서 증착한 박막은 결정화뿐만 아니라 주상으로 성장하여 수직 방향으로는 박막 두께의 크기를 가져 CV 특성에서 이력곡선을 보였으며, 정전용량의 온도 변화에 따른 특성에서도 상전이의 특성을 나타내었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.42-42
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• 2003

Ni/Si 기판상에 CH$_4$, H$_2$, $N_2$의 혼합기체를 사용하여 $700^{\circ}C$에서 5분 동안 MPECVD법으로 탄소나노튜브 성장시켰다. 이 과정에서 CH$_4$, H$_2$에 대한 $N_2$의 유량비를 여러 가지 값으로 변화시켜 그 성장 양상을 살펴보았다. 혼합기체 내 질소의 함량에 따라 나노튜브의 성장길이와 quality가 달라짐을 SEM과 Raman spectroscopy 측정을 통하여 확인하였다. 나노튜브의 성장 시 혼합기체 내 주입하는 질소량에 의해 나노튜브의 성장길이가 변화됨을 SEM을 통해 관찰할 수 있었고 혼합기체 내 질소의 비율이 커질수록 carbonaceous particle 등의 감소로 인한 나노 튜브의 quality가 향상됨을 Raman spectra를 통해 확인할 수 있었다. 또한 TEM과 SEM 관찰을 통해 성장된 탄소나노튜브가 대나무(bamboo) 구조를 가진 수직 배향된 다중벽 탄소나노튜브임을 확인하였다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2002년도 춘계학술발표논문집
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• pp.52-54
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• 2002

본 연구는 고특성 소결자석 제조용 strip-cast 합금을 개발하기 위한 기초단계 연구로서 파양한 조건을 통해 strip-cast 합금을 제조한 후, 제조조건이 합금의 미세조직 형성에 미치는 영향을 조사하였다. 조성이 Nd/sub 15/Fe/sub 77/B/sub 8/인 strip-cast 합금을 다양한 방법으로 제조한 결과, wheel speed 즉, 냉각속도가 5 m/s 이하에서 strip 표면에 수직한 방향으로 수지상정이 잘 발달한 것을 발견하였으나, 그 이상의 냉각속도에서는 수지상정이 붕괴되며 미세한 결정질로만 구성된 것으로 관찰되었다. 따라서 잘 발달된 수지상정을 얻기 위해서는 냉각속도를 5 m/s로 유지해야 함을 알 수 있었다 이 때 수지상정간 간격은 약 4-7㎛로써 고특성 소결자석의 기준에 잘 부합되었다. 한편 XRD 분석결과, 냉각속도 5 m/s이하에서는 <001> 방향으로 뚜렷하게 preferred orientation이 일어난 것을 확인하였으며, 이것은 strip 합금의 분쇄 및 소결시에 결정립 배향성에 유리하게 작용하여 최종 소결자석의 자기적 특성 향상에 기여할 것으로 예상된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.49-50
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• 2006

We have developed vertical alignment liquid crystal display (VA-LCD), of which the viewing angle can be controlled. The VA-LCD has the function of switching between the wide viewing mode and narrow viewing angle mode using one homogeneous aligned (HA) LC layer and one compensation film with a negative C-plate. The retardation of the HA layer at off axis can be controlled by applying an electric field while keeping the retardation value to be zero at normal direction. Consequently, the device exhibits a viewing mode over $170^{\circ}$ in terms of CR = 10 in wide viewing mode and about $60^{\circ}$ in terms of CR = 2 in narrow viewing angle mode m horizontal direction.

• 한국재료학회지
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• 제13권7호
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• pp.415-419
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• 2003

Carbon nanotubes were formed on silicon substrate using microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition method. The possibility of carbon nanotubes formation was related to the thickness of nickel catalyst. The growth behavior of carbon nanotubes under the identical thickness of nickel catalyst was strongly dependent on the magnitude of the applied bias voltage. High negative bias voltage (-400 V) gave the vertically well-aligned carbon nanotubes. The vertically well-aligned carbon nanotubes have the multi-walled structure with nickel catalyst at the end position of the nanotubes.