• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.450-450
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• 2013

플래시 메모리는 소형화가 용이하고, 낮은 구동 전압과 빠른 속도의 소자 장점을 가지기 때문에 휴대용 전자기기에 많이 사용되고 있다. 현재 사용되고 있는 플로팅 게이트를 이용한 플래시 메모리 소자는 비례축소에 의해 발생하는 단 채널 효과, 펀치스루 효과 및 소자 간 커플링 현상과 같은 문제로 소자의 크기를 줄이는데 한계가 있다. 이 문제를 해결하기 위해 FinFET, nanowire FET, 3차원 수직 구조와 같은 구조를 가진 플래시 메모리에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 비례축소의 용이함과 낮은 누설 전류의 장점을 가진 FinFET 구조를 가진 낸드 플래시 메모리의 전기적 특성에 대해 조사하였다. 메모리의 집적도를 높이기 위하여 비대칭 FinFET 구조를 가진 더블 게이트 낸드 플래시 메모리 소자를 제안하였다. 비대칭 FinFET 구조는 더블 게이트를 가진 낸드 플래시에서 각 게이트 간 간섭을 막기 위해 FinFET 구조의 도핑과 위치가 비대칭으로 구성되어 있다. 3차원 TCAD 시뮬레이션툴인 Sentaurus를 사용하여 이 소자의 동작특성을 시뮬레이션하였다. 낸드 플래시 메모리 소자의 게이트 절연 층으로는 high-k 절연 물질을 사용하였고 터널링 산화층의 두께는 두 게이트의 비대칭 구조를 위해 다르게 하였다. 두 게이트의 비대칭 구조를 위해 각 fin은 다른 농도로 인으로 도핑하였다. 각 게이트에 구동전압을 인가하여 멀티비트 소자를 구현하였고 각 구동마다 전류-전압 특성과 전하밀도, 전자의 이동도와 전기적 포텐셜을 계산하였다. 기존의 같은 게이트 크기를 가진 플로팅 게이트 플래시 메모리 소자에 비해 전류-전압곡선에서 subthreshold swing 값이 현저히 줄어들고 동작 상태 전류의 크기가 늘어나며 채널에서의 전자의 밀도와 이동도가 증가하여 소자의 성능이 향상됨을 확인하였다. 또한 양족 게이트의 구조를 비대칭으로 구성하여 멀티비트를 구현하면서 게이트 간 간섭을 최소화하여 각 구동 동작마다 성능차이가 크지 않음을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.564-564
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• 2013

홀 추력기는 플라즈마를 이용하는 전기추력기 중 하나로, 인공위성의 자세제어, 궤도수정, 궤도천이 뿐만아니라 행성간 임무수행을 위한 우주선의 엔진으로 사용된다. 홀 추력기 채널 내부에 발생된 Xe 이온들은 양극과 음극 사이에 존재하는 전기장에 의해 가속되어 추력을 발생시킨다. 이때 Xe 이온들은 자기장에 의해 감금된 전자와 중성 Xe 원자 사이의 충돌에 의해 발생하며, 실험적 및 이론적 연구를 통해 단일 전하를 띤 이온(Xe II)뿐만 아니라 다중 전하(Xe III 등)를 띤 이온도 생성되는 것으로 알려져 있다. 이온의 전하량 비율은 홀 추력기의 추력효율 및 연료효율에 영향을 미치며, 다중 전하를 띤 이온의 높은 에너지는 채널벽의 침식문제를 야기하는 등 홀 추력기 이온빔의 전하량 분석 연구는 물리적 연구측면 뿐만아니라 실용적인 측면에서도 매우 중요하다. 본 연구에서는 자기장과 그에 수직한 방향의 전기장에서 발생하는 로렌츠 힘을 이용하여 이온의 전하량을 분석할 수 있는 $E{\times}B$ 탐침을 설계 및 개발하였다. 개발된 $E{\times}B$ 탐침은 70 mm 길이의 집속기와 $148{\times}138{\times}90mm$의 본체, 40 mm길이의 콜렉터로 구성된다. $E{\times}B$ 탐침 설계에 가장 중요한 균일한 자기장 설계를 위해 전산모사를 통해 최적화 작업을 진행하였으며, 실험을 위한 진단계의 최적화와 초기 실험결과가 발표될 예정이다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권11호
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• pp.1-7
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• 2009

본 논문에서는 short-channel intrinsic-body SDG SOI MOSFET의 문턱전압 도출을 위한 간단한 해석적 모델을 제시하였다. Intrinsic silicon 채널 영역 및 gate oxide 내에서의 2차원 Laplace 방정식을 반복법(iteration method)으로 풀어 각 영역 내에서의 전위 분포를 채널에 수직한 방향의 좌표에 대해 4차 및 5차 다항식으로 표현하였으며 이로부터 표면전위를 도출하였다. 표면전위의 최소치가 0이 되는 게이트 전압을 문턱전압으로 제안하여 closed-form의 문턱전압 식을 도출하였다. 도출된 문턱전압 표현식을 모의 실험한 결과, 소자의 parameter와 가해진 bias 전압에 대한 정확한 의존성을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.126-126
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• 2011

삼차원 구조의 낸드 플래시 메모리 소자는 기존 이차원 구조의 메모리 소자를 비례 축소할 때 발생하는 단채널 효과와 간섭효과를 최소화 하면서 집적도를 높일 수 있는 장점 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 그러나, 삼차원 구조의 낸드 플래시 메모리 소자는 공정 과정이 복잡하고 주변 회로 연결이 어려울 뿐만 아니라 금속 접촉에 필요한 면적이 넓은 단점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 Vertical-Stacked-Array-Transistor (VSAT) 구조를 갖는 플래시 메모리 소자가 제안되었으나, VSAT 구조 역시 드레인 전류량이 적고 program과 erase 동작 시게이트 양쪽의 전하 트랩층에 전자와 정공을 비효율적으로 포획해야 하는 문제점을 가진다. 본 연구에서는 기존의 VSAT 구조의 문제점을 개선하면서 집적도를 증가한 삼차원 구조의 고집적낸드 플래시 메모리 소자를 제안하였다. 본 연구에서 제안한 플래시 메모리 소자의 구조는 기존 VSAT 구조에서 수직 방향의 두 string 사이에 존재하는 polysilicon을 제거하고 두 string 사이에 절연막을 증착하였다. 삼차원 시뮬레이션 툴인 Sentaurus를 사용하여 이 소자의 동작특성을 시뮬레이션 하였다. 소스와 드레인 사이의 유효 채널 길이가 감소하였기 때문에 기존의 VSAT 구조를 갖는 메모리 소자에 비해 turn-on 상태의 드레인 전류가 증가하였다. 제안한 플래시 메모리 소자의 subthreshold swing (SS)가 기존의 VSAT 구조를 갖는 메모리 소자의 SS 에 비해 낮아, 소자의 스위칭 특성이 향상하였다. 프로그램 전후의 문턱전압의 변화량이 기존의 VSAT 구조를 갖는 메모리 소자에 비해 크기 때문에 멀티 레벨 동작이 가능하다는 것을 확인하였다.

• 한국산업정보학회:학술대회논문집
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• 한국산업정보학회 2002년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.76-79
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• 2002

고스트제거기는 수직공백구간 내에 삽입된 고스트제거기준신호 라인을 포획하여 송출된신호가 채널을 경유하면서 겪은 왜곡을 정확히 추정 하여야한다. 그런데 고스트가 심해지면 동기분리가 제대로 되지 않기 때문에 채널추정을 위한 데이터를 포획할 수 없게 된다. 본 논문에서는 이와 같은 문제점을 해결하고자 고스트제거기준신호의 상관특성을 활용해 프리 런(free run)하는 클록신호로 효과적으로 데이터를 획득하는 방법을 제안하고 컴퓨터 시뮬레이션을 동하여 검증하고자 한다. 고스트제거기준신호는 컬러 버스트를 제거하고 신호대잡음비를 개선하고자 4 필드에 걸쳐 그 각성이 반전되기 때문에 데이터 획득과정에서 수반되는 타이밍 지터 문제를 해결하는 방안도 제안한다. 시뮬레이션 결과 타이밍 지터 문제를 샘플간격의 약 4% 이하가지 고스트제거기준신호를 제대로 포획할 수 있음을 알 수 있었다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제32권5호
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• pp.335-341
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• 2008

Thermal transport from vertical heated surface to falling liquid film in a channel has been investigated experimentally. Air-flow is introduced into channel to make a counter flow against falling liquid film. This problem is of particular interest in the design of direct contact heat exchange system, such as cooling tower, evaporative cooling system, absorption cooling system, and distillation system. The effects of channel width and air flow rate on the heat transfer to falling liquid film are studied in detail. The results obtained indicate that heat transfer rate is gradually decreased with an increase in the channel width without air flow as well as with air flow in a channel. It is also found that heat transfer rate of air-flow is increased while heat transfer rate of falling liquid film is decreased with an increase in the air flow rate at a given channel width. However, total heat transfer rate from the heated surface is increased as the air flow rate is increased.

• 자원환경지질
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• 제29권6호
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• pp.739-744
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• 1996

Kite는 조사지역을 한번 횡단함으로써 3차원 지하영상을 얻기 위한, 새로이 개발된 단일채널(single-channel) 탄성파 취득시스템이다. Kite시스템은 진행방향에 수직으로 전개되는 하이드로폰(hydrophone)과 하이드로폰의 한쪽 끝에 설치하는 에너지원(source)인 에어건(air-gun)으로 구성된다. 3차원 지하영상은 기존 다중채널 반사자료 처리방법을 사용하며, 공통 소스점 모음(CSS gather)을 딕스식을 이용하여 지하층들의 평균 구간속도를 구하게 된다. 이 구간속도와 정규 고결응력으로 부터 물리상수들을 선택적으로 이용하여 전단계수, 공극율, 횡파속도 등을 구하였다. 본 시스템은 북대서양의 대륙붕에서 실시되었으며 좋은 결과를 얻을 수 있었다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2023년도 추계학술발표대회
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• pp.1234-1236
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• 2023

광대역(Wideband) 통신은 신호 대역폭이 채널의 상관 대역폭(Coherence Bandwidth)를 크게 초과하는 시스템을 나타낸다. 이때, 큰 대역폭을 갖을수록 반송 주파수대역과 사용대역의 최대 및 최소 주파수 간 차이가 커지며, 통신 시스템이 겪는 채널의 주파수 선택적 페이딩 또한 커지게 된다. 수중에서 광대역 통신을 성능을 확인하기 위한 실험을 수행하였다. 실험환경으로는 송·수신기 간 수평 이격거리는 약 10m, 수직 이격거리는 약 190m로 설정하였다. 광대역 신호의 성능을 확인하기 위하여 14kHz와 30kHz의 주파수 대역과 협대역신호와의 비교를 위해 16kHz와 4kHz 대역폭 등 파라메타를 달리하여 설정하였다. x축을 Repetition Freq.와 Repetition Time의 조합으로 설정하였으며, y축을 BER(Bit Error Rate)로 성능결과를 나타내었다.

• KDI Journal of Economic Policy
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• 제33권4호
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• pp.85-118
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• 2011

본 논문은 수평적 규제체계를 분석의 준거 틀로 하여 방송채널사용사업자(PP)에 대한 수평적 소유겸영규제, 플랫폼사업자에 대한 수평적 소유겸영규제, PP와 플랫폼사업자 간 수직적 소유겸영규제, 지상파방송사의 PP 겸영규제, 지상파방송사와 플랫폼사업자 간 소유겸영규제 각각에 대하여 규제목적을 명확히 설정하고, 규제목적과 규제기준의 정합성, 규제목적에 따른 규제수준의 적정성을 분석함으로써, 각 규제의 타당성을 검토하고 규제목적에 부합하는 개선방안을 도출하였다. 분석결과, PP에 대한 수평적 소유겸영규제는 주요 방송프로그램의 지정 등 행위규제로 대체하거나 소유겸영규제의 기준을 현행 매출액에서 시청점유율로 변경하고, 플랫폼사업자에 대한 수평적 소유겸영규제는 종합유선방송사업자(SO), 위성방송사업자, IPTV사업자에게 유료방송 가입자 수를 기준으로 하는 동일한 소유겸영규제를 적용하고, 여타의 소유겸영규제는 폐지하는 것이 타당함을 보였다. 이와 같이 PP와 플랫폼사업자에 대해 적정한 소유겸영규제가 설계된 상태에서는 별도로 PP와 플랫폼사업자 간 수직결합을 규제하는 것이 불필요함도 보였다. 한편, 지상파방송사의 PP 겸영규제는 여론의 다양성 보호라는 규제목적에서만 정당화될 수 있으므로, 현행 PP 사업자 수의 기준은 시청점유율 기준으로 변경하는 것이 합리적이다. 마지막으로 플랫폼사업자에게 유료방송 가입자 수를 기준으로 한 소유겸영규제가 설계되는 경우, 지상파방송사와 플랫폼사업자 간 소유겸영규제는 의무제공(must offer)채널지정, 주요 방송프로그램 지정 등 행위규제로 대체되어야 함을 보였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.50-52
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• 2006

본 논문은 고성능 다결정 실리콘(Poly-Si) 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor)에서 단일 수직 그레인 경계(Single Perpendlcular Grain Boundary)가 고온 캐리어 스트레스(Hot Carrier Stress) 및 정전류 안정성 평가에서 어떠한 효과를 보이는가에 대해서 살펴보았다. 고온 캐리어 스트레스 하에서($V_G=V_{TH}+1V,\;V_D$ =12V),그레이 경계가 없는 다결정 실리콘 TFT와 비교했을 때 그레인 경계를 가지고 있는 다결정 실리를 TFT는 전기 전도(Electric Conduction)에 작용하는 자유 캐리어(Free Carrier)의 개수가 적기 때문에 상대적으로 더욱 우수한 전기적 특성을 나타낸다. 먼저 1000초 동안 고온 캐리어 스트레스를 가해준 결과 단일 그레인 경계를 가진 다결정 실리콘에서의 트랜스 컨덕턴스(Transconductance)의 이동 정도는 5% 미만으로 확인되었다. 반면에 같은 스트레스 조건 하에서 그레인 경계가 존재하지 않는 다결정 실리콘의 경우에는 그 이동 정도가 약 25%에 달하는 것으로 측정되었다. 다음으로 정전류 스트레스(Constant Current Stress) 인가시, 수직형 그레인 경계가 채널 영역 내에 존재하지 않는 다결정 실리콘 TFT는 드레인 접합 부분의 전계 세기를 비교했을 때, 그레인 경계를 가지고 있는 다결정 실리콘 TFT보다 상대적으로 낮은 원 인 때문에 적게 열화되는(Degraded) 특성을 확인할 수 있었다.