We have analyzed the torque signals measured in synthetic antiferromagnetic (SAF) coupled CoFeB/Ru/CoFeB thin film, which signals were drastically changed at flopping field ($H_F$) and saturation field ($H_s$). The minimum value of negative uniaxial anisotropy constant ($-\;K_1$) was appeared at HF. The $-\;K_1$ was due to the zero net magnetization by the antiferromagnetic coupling between two ferromagnetic layers. Whereas, the biaxial anisotropy constant (K2) was induced in the field range of $H_F$ < H < $H_s$. The induced $K_2$ was originated from deviation angles between magnetization directions of two ferromagnetic layers. And at H > $H_s$, intrinsic uniaxial anisotropy constant of CoFeB layer was observed. These change of the anisotropy constant with magnetic field was explained by the magnetization process of two ferromagnetic layers based on Stoner-Wohlfarth model calculation for SAF thin film.
Thin films of $Si0_2(1000{\AA})/CoNiCr(400{\AA})/Cr$ were fabricated as a function of Cr thickness by KF magnetron sputtering. The saturation magnetization, coercive force and squareness with annealing temperature for these films were investigated. The values of saturation magnetization of $SiO_2/CoNiCr/Cr$ thin films decreased as the thickness of Cr underlayer increased, whereas coercive force increased as the thickness of Cr underlayer increased. The value of Ms was 600 emu/cc and the maximum value of Hc was 550 Oe. Especially, the value of saturation magnetization was rapidly decreased $SiO_2/CoNiCr/Cr(1700{\AA})$ thin films as the annealing temperature increased And the coercive force increased as the annealing temperature increased When annealing temperature was $650^{\circ}C$, the Ms was reduced to 90 % of the as-deposited film. And the Hc was showed maximum 1600 Oe. It was thought that Cr diffusion into CoNiCr layer reduced the magnetic moment of CoKiCr layer. In addition. Hc might he increased due to grain growth perpendicular to the film plane.
The method for analyzing the recording and reading process of magnetic recording system by numerical simulation is introduced. which can simulate the effect of elements of the magnetic recording system. During the whole simulation, hysteresis characteristics must be included. Preisach model and finite element method are used to construct the algorithm. From the wave of recording current, recorded pattern of magnetization in recording media is simulated in recording process, and then waveform of reading signal in head coil is obtained in reading process. To show the validity of this method, this is applied to perpendicular magnetic recording system. Waveform of recording signal and reproduced signal is obtained in several density. Pattern of reprocuced voltage magnitude according to increase of recording density shows roll-off curve.
Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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v.24
no.6
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pp.566-572
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2004
It is necessary to measure the direct current with a non-contact methodology for the liquid or gas phase, as welt as the conducting metals. This paper described a theoretical consideration and experimental verification for a non-contact quantitative direct current measurement system using the Faraday effect and magnetic flux leakage. The leakage of magnetic flux occurs around a gap when a ferromagnetic core including the discontinuous gap is magnetized. Two large anisotropic domains in a magneto-optical film are occurred by the vertical component of leaked magnetic flux and the domain walls are paralleled to the center of the gap. Here, the symmetrical arrangement of domains are deflected when a vertical magnetic field is applied to the magneto-optical film. The domain wall of the magneto-optical film are relocated when a measuring current passes through the ferromagnetic core. Therefore, a direct current passing through the core can be determined quantitatively by the measurement of moving distance of the domain wall.
Park, Jong-Yun;Gang, Se-Gu;Jeon, Min-Hwan;Yeom, Geun-Yeong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.169-169
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2011
STT-MRAM (수직자화 자기메모리)는 자화반전 현상을 원리로 구동하는 비휘발성 메모리로 기존의 메모리 장치에 비해 빠른 접근 속도와 높은 저장 밀도를 가지며 영구적인 기록이 가능하다. 이러한 장점들에 더해 적은 소모 전력을 지니므로 기존의 SRAM등의 한계를 극복할 대안으로 각광받고 있으며 차세대 메모리 군의 선두주자로 가장 적합한 후보중 하나이다. STT-MRAM의 건식 식각 방식에 있어 가장 큰 이슈는 소자 구동에 핵심적인 역할을 하는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction)의 식각이다. MTJ는 free layer, tunnel barrier, pinned layer 3개의 층으로 구성되어 있으며 양 끝 layer에는 강자성체인 CoFeB가 사용되고 tunnel barrier에는 절연층인 MgO가 사용되고 있다. 이러한 물질들은 기존의 반도체 소자에서는 사용되지 않았던 물질들로 기존 공정에서 사용되던 Cl2 based plasma etching에서는 측벽에 비화발성 반응물과 잔류 Cl2에 의해 부식이 발생하는 문제점이 드러나고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 새로운 대안으로 CO/NH3/Ar나 CH4/Ar 같은 새로운 가스 조합을 사용하는 연구가 진행되고 있다. 이러한 연구에 의해 기존의 Cl2 plasma를 이용한 식각에서 나타나는 문제점은 해결이 되었으나 또 다른 문제점들이 보고되고 있다. 본 연구에서는 stack MRAM sample을 사용하여 기존의 사용되는 Cl2/Ar plasma와 대안 gas인 CO/NH3, CH4/Ar plasma에서의 식각을 진행하였으며 실험 조건(gas 비율 변화, Bias power 변화, 식각 시간)에 따른 식각 속도의 변화나 식각 후의 profile에 대하여 관찰하였다. 이에 따라 식각후에 어떠한 차이점이 있는 지를 알아보았으며 CO/NH3나 CH4/Ar plasma에서 식각시 나타나는 문제점에 대하여도 조명해 보았다.
In this paper, we studied structural and magnetic properties of Ba-ferrite thin film deposited on Si(100) substrate with various underlayers. Ba-ferrite thin films with various underlayers were deposited by reactive RF/DC magnetron sputtering system at room temperature. various underlayers was reactive sputtered with O$_2$. After deposition, the thin films were annealed at 850 $^{\circ}C$ to get the crystallized sample. Underlayers were used to prevent interdiffusion from Ba-ferrite thin film to substrate. The growth of Ba-ferrite thin films was influenced by underlayers. Easy magnetization direction is in-plane. From these results the Ba-ferrite film with various underlayers can be used as longitudinal recording media.
We developed a time-resolved magneto-optical Kerr effect microscope system to investigate ultrafast magnetization dynamics. Based on the pump-probe method, 0.1-ps time resolution was achieved by use of a fs Ti:Sapphire laser. The magnetization dynamics was then measured on Pt/Co/Pt thin films with various Co thicknesses. All the samples exhibited ultrafast demagnetization within a few ps by direct heating of pump laser. Some thicker samples showed precessional motion of magnetization, from which the Gilbert damping constant was determined based on the Landau-Lifshitz-Gilbert equation.
Ko, Dong Shin;Hur, Deog Jae;Park, Tae Won;Lee, Jai Hyuk;Lee, Sung Su
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.39
no.4
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pp.415-421
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2015
This paper describes the study of the design procedure for the step-by-step setup parameters and of the magnetizing method for performance and size reduction in the development of a haptic vibrator. The study of magnetization was accomplished by comparing the electromagnetic force in accordance with the horizontal and the vertical magnetization. The theoretical results indicated that the horizontal magnetization resulted in a better performance. The systematic design of a step-by-step procedure for establishing the design parameters was verified by testing the characteristics of the fabricated prototype product. The vibration response function analysis and electric field analysis were processed by decoupling of the analytical method, and these were determined to be in good agreement with the test results. The design parameters to contributing to the product reliability included the spring height, the welding position, and the coil position. The sensitivity of the electromagnetic field and the performance change were analyzed based on the design parameters. As a result, we proposed a design method to implement a reliability-based, high performance haptic vibrator.
The ferromagnetic resonance study of the magnetostatic wave modes for an YIG thin film, grown by a liquid phase epitaxy method, was performed by an FMR spectrometer at room temperature. The magnetostatic surface wave and backward volume wave modes show periodic excitations in parallel configuration, whereas the complex spectra were observed in perpendicular configuration. The resonance spectra in parallel configuration can be well explained by the Walker and Damon-Eshbach theory. The peak-peak line width of uniform mode was 0.4 Oe. The saturation magnetization $M_s$ of the YIG thin film was calculated as 137 emu/㎤. In order to know the dependence of the magnetostatic modes as a function of the saturation magnetization and the thickness, the (1,1) and (3,1) modes of the magnetostatic backward volume wave were compared and theoretically calculated.
The rotation of uniaxial anisotropy field of 700 ${\AA}$ thick sputtered NiFe thin film due to magnetic annealing was investigated. NiFe film was annealed in a magnetic field which is perpendicular to the initial induced uniaxial anisotropy field. The NiFe film becomes nearly isotropic after 1 hour annealing at 160 $^{\circ}C$. With increase of annealing temperature over 160 $^{\circ}C$, the film gets uniaxial anisotropy field again. An abrupt increase of H$\sub$c/ was observed with annealing temperature over 400 $^{\circ}C$. The X-ray diffraction analysis and Auger electron spectroscopy with Ar ion etching showed extensive grain growth in NiFe film with (111) texturing and interdiffusion with adjacent Au electrode layer by 400 $^{\circ}C$ magnetic annealing.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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