• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2012년도 추계학술논문요약집
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• pp.117-118
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• 2012

• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2011년도 춘계학술논문요약집
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• pp.99-100
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• 2011

• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2011년도 춘계학술논문요약집
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• pp.133-134
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• 2011

• 생명과학회지
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• 제16권6호
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• pp.904-910
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• 2006

수지상세포는 종양면역에서 필수적인 강력한 CTL 반응을 개시할 수 있는 유일한 세포이다 . 특히 외인성 종양항원에 대한 CTL 반응 유도는 활성화된 수지상세포의 IL-12 분비를 통한 CD4+ helper T세포의 cross-priming을 필요로 한다. 그러나 최근에 활성화된 수지상세포는 $Th_1$ 면역반응을 유도하지만 활성화 시간이 경과함에 따라 오히려 $Th_2$반응을 유도 할 수 있다. 따라서 본 연구에서는 OVA를 종양항원 모델로 설정하여 종양특이적인 CTL 반응을 형성하기 위한 최적의 수지상세포 활성화 조건을 조사하였다. 마우스 골수세포에 서 수지상세포로의 분화는 항원제시 기능을 위한 표면분자의 발현 측면에서 볼 때 배양 6일-7일 정도가 적합하였다. 수지상세포의 IL-12 생성능은 배양 6일 이상, OVA 항원 탑재 8시간 이상의 경우에 연이은 LPS 성숙자극으로 오히려 감소하는 경향을 보였다. 즉 배양 6일의 수지상세포에 OVA 항원 탑재를 8시간 수행한 경우(8-h DC)가 in vitro에서의 IL-12생성능, ex vivo에서의 세포내 $IFN-{\gamma}$를 발현하는 CD8+ T세포의 증가 및 OVA 특이적인 세포독성효과 등에서 가장 좋은 결과를 보였다. 또한 in vivo에서 종양 치료 및 예방효과에서도 8-h DC로 면역한 경우에 가장 우수한 종양형성 억제 효과와 생존기간 연장효과를 보였다. 현재 대부분의 수지상 세포를 이용한 항종양 백신에서 항원 탑재반응을 24시간 동안 수행하고 있으나, 본 실험의 결과로 볼 때, 8시간의 in vitro 항원 탑재가 보다 효과적인 종양특이적 CTL 반응과 항종양 면역반응을 유도함을 알 수 있다. 결론적으로 본 연구를 통하여 8시간 이상의 항원접촉은 수지상세포의 기능적 활성능력을 오히려 고갈시킬 수 있음을 제시한다.

• KDI Journal of Economic Policy
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• 제11권2호
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• pp.65-88
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• 1989

본고(本稿)는 1986년 이후 우리나라의 경상수지흑자(經常收支黑字) 및 수출입행태(輸出入行態)를 실증적(實證的)으로 분석(分析)하고 그 원인(原因)을 살펴보고자 하는 데 목적이 있다. 1986년의 해외여건호전(海外與件好轉)으로 경상수지(經常收支)가 흑자(黑字)로 반전하게 되자 1987년 이후에는 원화(貨)를 상당히 절상(切上)하였음에도 불구하고 경상수지흑자감소(經常收支黑字減少)의 효과가 1988년까지는 뚜렷이 나타나지 않았는데, 이는 환율(換率)의 변화를 수출가격(輸出價格)에 100% 전가(轉嫁)하지 않으려는 기업(企業)의 가격결정정책(價格決定政策)으로 수출물량감소(輸出物量減少)가 지연되고 원화절상(貨切上)의 J-커브효과(效果)가 발생했기 때문이다. 한편 1986년 이후 경상수지흑자기조하(經常收支黑字基調下)에서 수출입행태(輸出入行態)와 구조적(構造的) 안정성(安定性)을 계량적(計量的) 방법(方法)으로 검증한 결과 검증방법(檢證方法)에 따라 구조적(構造的) 안정성(安定性)의 가설(假設)이 기각되기도 하였는데 특히 수출단가(輸出單價) 및 수입물량결정행태(輸入物量決定行態)의 경우 1985년 이전에 비하여 구조적(構造的)으로 상당한 변화(變花)가 있었던 것으로 나타났다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.59.2-59.2
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• 2010

결정형 태양 전지의 보급화를 위하여 고순도 실리콘을 저렴하게 제조할 수 있는 기술 개발이 필요하다. 본 연구에서는 고순도 실리콘을 경제적으로 제조하기 위하여 대역 정제에 의한 일방향성 응고법을 이용한 정련 연구를 진행하였으며, 응고 속도와 고 액상의 온도 구배가 정련도에 미치는 영향을 분석 하였다. 본 실험에 사용된 일방향 응고장치는 실리콘 용탕이 장입된 도가니 하부의 열 교환기를 통한 냉각에 의해 용탕 하부에서 상부 방향으로의 일방향성 응고가 진행되며, 응고 진행시 용탕의 흔들림에 의한 정련능의 감소를 방지하기 위해 가열 영역이 이동하는 Stober 공정을 채택하였다. 가열 영역은 실리콘 용융을 위한 상부 가열 영역과 응고 진행시 응고부의 온도 제어를 위한 하부 가열 영역으로 구성되어 있으며, 두 가열 영역의 온도 제어를 통해 응고중인 실리콘의 고 액상의 온도 구배를 조절하였다. 일방향 응고에 의한 정련법에서 고 액상의 온도 구배가 증가할수록 2차 수지상의 발달이 감소하고, 주상정의 수지상 형태를 유지하게 되어 고 액 공존영역에서 액상 영역으로의 확산이 원활하게 이루어져 분배계수를 이용한 정련도가 좋아지게 되며, ICP 분석을 통해 온도 구배의 증가에 따라 정련능이 증가하는 양상을 확인 할 수 있었다. 고 액상의 온도 구배의 조절을 통한 공정 시간 대비 정련도의 향상을 통해 결정형 태양전지의 생산성의 증가를 통한 저가화를 이룰 수 있을 것이다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권1호
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• pp.187-192
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• 1998

일반적으로 재료의 응고조직은 주상정과 등축정 수지상 영역으로 이루어지는데 이것은 제품의 기계적, 물리적 성질과 밀접한 관계를 가지기 때문에 주상정-등축정 천이에 관한 많은 이론적 연구가 행하여지고 있다. 본 연구에서는 J.D. Hunt에 의하여 일방향응고시 주상정앞에서의 핵생성과 결정성장조건을 이용하여 구하여진 해석학적 주상정-등축정 조건식을 바탕으로 응고속도에 따라 변하는 분배계수와 액상선기울기를 적용하여 수정된 조건식을 구하였다. 그리고 Al-Cu합금에 대하여 응고변수인 핵생성수, 핵생성온도, 합금의 조성, 응고속도 온도기울기에 따른 천이현상의 변화를 조사하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제20권1호
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• pp.77-84
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• 2006

이 논문은 화재원인판정에 있어서, 교류전류에 의해 용융된 나전선의 발열특성을 기술한 것이다. 실험을 위해 동전선은 1.2[mm], 1.6[mm], 2.0[mm]의 직경인 것을 준비하였다. 단면분석을 통해 용단전류가 전선에 공급되었을 때, 수지상 조직은 약40[$^{\circ}$] 또는 60[$^{\circ}$]의 각도로 성장하는 것을 확인하였다. 용단전류가 커지면 커질수록 수지상 조직의 성장각도는 줄어들었다. 그것은 주상조직과 유사하다는 것을 확인하였다.

• 대한관절경학회지
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• 제16권1호
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• pp.47-51
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• 2012

지방종은 연부 조직에서 발생하는 양성 종양의 절반을 차지하는 가장 흔한 종양이나 관절 내 발생은 매우 드문 것으로 알려져 있다. 관절내 수지상 지방종(lipomal arborescens)의 경우 간혹 보고되고 있다. 그러나 진정한 의미의 관절 내 윤활막 지방종(intra-articular synovial lipoma)과는 명확히 다른 병리 소견 및 임상 양상을 보이므로 관절 내 윤활막 지방종과 수지상 지방종과 같은 지방 침착증성 질환들과는 구별되어야 한다. 본 연구에서 저자들은 슬관절에 발생한 관절 내 윤활막 지방종 환자 1예를 치료하였기에 보고하고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.291.1-291.1
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• 2014

산화아연 박막은 아연이 코팅된 테프론 기판 위에 졸-겔 스핀코팅 방법을 이용하여 각기 다른 후열처리 온도에서 제작되었다. 산화아연 박막의 후열처리 온도에 따른 구조적, 광학적 특성은 field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), X-ray diffractometer, and photoluminescence spectroscope를 이용하여 분석하였다. 후열처리 온도를 달리하여 성장한 모든 산화아연 박막은 수지상(dendrite) 구조를 가지고 있으며, 이 수지상 구조 위에 약 20 nm의 산화아연 입자들이 성장되었다. 후열처리 온도가 증가함에 따라 c-축 배향성이 우세하게 나타났으며, 인장응력도 증가하였다. 후열처리 온도 $400^{\circ}C$에서 Near-band-edge emission (NBE) 피크는 적색편이(red-shift) 하였고, 후열처리 온도가 증가함에 따라 deep-level emission (DLE) 피크의 세기는 감소하였다. 또한 $400^{\circ}C$의 후열처리 온도에서 NBE 피크의 반치폭(FWHM)이 가장 작았으며, INBE/IDLE의 비율이 가장 높았다. 따라서 $400^{\circ}C$의 후열처리 공정에 의해 결정성 및 광학적 특성이 가장 우수한 산화아연 박막을 얻을 수 있었다.