• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.21-22
• /
• 2009

We proposed circular AlGaN/GaN schottky barrier diode, which has no mesa structure near the current path. Proposed device showed low leakage current of 10 nA/mm at -100 V while that of the rectangular device was 34 nA/mm at the same condition. Proposed circular AlGaN/GaN SBD showed high forward current of 88.61 mA at 3.5 V while that of the conventional device was 14.1 mA at the same condition.

• 대한기계학회:학술대회논문집
• /
• 대한기계학회 2008년도 추계학술대회A
• /
• pp.1733-1736
• /
• 2008

ZnO thin films with preferred orientation along the (0 0 2) plane were fabricated by a sol-gel method. The effects of the annealing temperature, time, and thickness were studied by investigating UV-visible spectra, FT-IR spectra, and XRD of ZnO films. The films were dried and annealed ed at $100^{\circ}C,\;200^{\circ}C$, and $300^{\circ}C$ for 1hr, 2hrs, and 3hrs, respectively. The film showed the preferred (0 0 2) orientation and high transmittance near 90% in the visible range. Also, SEM images of the films exhibited very smooth surfaces without holes and cracks. Schottky diodes were fabricated by using ZnO sol-gel material. Au and Al were used as electrodes to make Ohmic and Schottky contacts, respectively. The annealing temperature, time and the thickness dependent I-V characteristics were presented in this article.

• 전력전자학회:학술대회논문집
• /
• 전력전자학회 2010년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.254-255
• /
• 2010

본 논문에서는 연료전지와 같은 신재생에너지원을 상용전환으로 변환시 낮은 직류전압을 높은 직류 전압으로 변환하는 승압형 DC/DC 컨버터의 고효율화 방안을 다룬다. 하드스위칭 컨버터의 경우, 스위치 소자의 병렬수 변화와 인덕터의 재질 변화, 쇼트키 다이오드의 사용으로 고효율화를 꾀한다. 소프트 스위칭 컨버터의 스위치에서 발생하는 손실을 스위칭 주파수와 공진주파수의 비로 수식적으로 해석하고자한다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
• /
• 한국산학기술학회 2006년도 춘계학술발표논문집
• /
• pp.207-208
• /
• 2006

분자선(分子線)에피택시법(法)으로 성장(成長)한 ZnO 산화물반도체(酸化物半導體)를 이용(利用)하여 제작(製作)한 쇼트키배리어 다이오드에 대하여 자외선(紫外線) 광(光)센서로서의 광특성(光特性)을 조사(調査)한다. 첫째, 백색광(白色光) 조사시(照射時) 포화전류치(飽和電流値)가 100배(培) 이상(以上) 증가(增加)하는 광(光)여기 특성(特性)을 나타낸다. 둘째, 조사(照射)하는 �셈� 파장(波長)에 대하 390nm의 차단장파장(遮斷長波長)을 갖으며 195nm 이상(以上)의 밴드폭을 갖는 파장감도특성(波長感度特性)을 나타낸다. 셋째, 자외선(紫外線)에 대해 0.36msec의 시정수(時定數) 갖는 것으로 평가(評價)된다. 따라서, ZnO 산화물반도체(酸化物半導體)는 향후(向後) 자외선(紫外線) 광(光)센서소자의 재과(材科)로서 기대(期待)되어진다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
• /
• 제3회(2014년)
• /
• pp.450-453
• /
• 2014

쇼트키 장벽 모스펫(Schottky barrier MOSFETs : SB-MOSFETs)은 SB높이(${\Phi}_B$)에 매우 민감하다. 그래서 ${\Phi}_B$를 줄이는 공정 방법에 대한 연구가 활발히 진행 중이다. 이러한 ${\Phi}_B$를 측정할 때, SB-MOSFETs에서가 아닌 SB 다이오드에서 측정이 이뤄지고 있다. 본 논문에서는 ${\Phi}_B$를 SB-MOSFETs에서 측정 할 수 있는 방법을 제안하고 전산모사를 통하여 채널의 길이와 두께, Overlap / Underlap 구조, 온도 등에 대한 의존성을 살펴 보았다. 그 결과 채널의 길이와 두께, Overlap / Underlap 구조에 따른 의존성은 없는 것으로 확인되었다. 하지만 20nm 이하의 채널의 소자에 대해서는 소스/드레인간 터널링 전류로 인해 정확한 ${\Phi}_B$ 측정이 불가능하였다. 그리고 저온에서 측정할 때 정확도가 높아짐을 확인하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
• /
• pp.591-592
• /
• 2006

Schottky diodes for Radio-frequency identification (RFID) tag integration on chip were designed and fabricated using Samsung electronics System LSI standard $0.18{\mu}m$ CMOS process. Schottky diodes were designed as interdigitated fingers array by CMOS layout design rule. 64 types of Schottky diode were designed and fabricated with the variation of finger width, length and numbers with a $0.6{\mu}m$ guard ring enclosing n-well. Titanium was used as Schottky contact metal to lower the Schottky barrier height. Barrier height of the fabricated Schottky diode was 0.57eV. DC current - voltage measurements showed that the fabricated Schottky diode had a good rectifying properties with a breakdown voltage of -9.15 V and a threshold voltage of 0.25 V.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제13권2호
• /
• pp.164-169
• /
• 2002

본 논문에서는 300~3000 MHz 의 주파수 영역에서 동작하는 근역장 측정 프로브를 설계하여 제작하였다. 설계 파라미터는 프로브에 대한 등가회로를 이용하여 추출하였으며 S파라미터를 이용한 수치해석을 통해 그 특성을 예측하였다. 제작된 프로브는 3.25 mm 길이의 다이폴 안테나와 제로 바이어스 쇼트키 다이오드, 고저항 전송 선으로 구성되어 있으며 TEM 셀을 이용하여 성능을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제22권9호
• /
• pp.751-755
• /
• 2009

We proposed circular AlGaN/GaN schottky barrier diode, which has no mesa structure near the current path. Proposed device showed low leakage current of 10 nA/mm at -100 V while that of the rectangular device was 34 nA/mm at the same condition. Proposed circular AIGaN/GaN SBD showed high forward current of 88.61 mA at 3,5 V while that of the conventional device was 14.1 mA at the same condition.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
• /
• pp.131-132
• /
• 2006

무선전력송신은 로봇, 우주 항공, 정보통신, MEMS 등 디바이스 경량화 및 운동성 향상 등의 요소가 중요하게 작용하는 분야에 도움을 줄 수 있다. 특히 정찰 및 탐사에 쓰일 초경량의 로봇을 위해서는 무선전력송신 기술은 상당히 중요한 개념이 된다. 본 논문에서는 유연 박막 기판과 다이폴 안테나, 그리고 쇼트키다이오드를 이용하여 전송된 마이크로파를 직류전력으로 변환시키는 렉테나(rectenna)에 대해서 소개하고 제조방과 성능평가를 통하여서 응용 개발의 가능성에 대해서 논한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제24권4호
• /
• pp.261-265
• /
• 2011

This paper describes the fabrication and characteristics of a Au/Ni/Ti/3C-SiC Schottky diode with field plate (FP) edge termination. The Schottky contacts were annealed for 30 min at temperatures ranging from 0 to $800^{\circ}C$. At annealing temperature of $600^{\circ}C$, it showed an inhomogeneous Schottky barrier and had the best electrical characteristics. However, the annealing of $800^{\circ}C$ replaced it with ohmic behaviors because of the formation of many different types of nickel silicides. The fabricated Schottky diode had a breakdown voltage of 200 V, Schottky barrier height of 1.19 eV and worked normally even at $200^{\circ}C$.