• Title/Summary/Keyword: 손상막 제거

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Removal of a Femoral Interference Screw that Migrated Posteriorly after ACL Reconstruction, Using Posterior Trans-septal Portal - A Case Report - (전방 십자 인대 재건술 후 후방으로 전위된 대퇴 간섭 나사의 후방 경격막 도달법을 이용한 제거 - 증례 보고 -)

  • Ahn, Jin-Hwan;Lee, Sang-Hak;Ha, Hae-Chan
    • Journal of the Korean Arthroscopy Society
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    • v.10 no.2
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    • pp.187-191
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    • 2006
  • Few cases have been reported in which the femoral interference screw has migrated into the posterior compartment after an ACL reconstruction. It usually requires removal, because it leads usually to mechanical symptom. However, the arthroscopic removal of a screw is a technically demanding procedure, especially in the case of an intact integrated ACL graft or one that is encapsulated around the screw. We present a case in which a displaced femoral interference screw migrated within the posterior compartment 11 years postoperatively, after the graft had been successfully incorporated at the femoral site and showed good continuity on MRI and arthroscopic examination. Although it is often technically challenging, through the use of a posterior trans-septal portal, we can successfully remove a displaced femoral interference screw even in the most difficult locations in the posterior compartment without damage to ACL graft.

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ZnS thermal CVD's solution of phenomenon of roughing exhaust line blockage for increasing continous process time

  • Jo, Yong-Beom;Kim, Jin-Cheol;Choe, U-Seong;Jeong, Won-Ho;U, Si-Gwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.117-117
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    • 2016
  • 일반적인 박막 성장용 CVD는 막 성장 시간이 짧게는 수분에서 수시간 정도 소요하기 때문에 장비에 문제가 발생 할 시 조치를 취하고 다음 현상을 개선하기에 용이 하였다. 그리고 대분분의 장비가 국산화되어 있을 만큼 많은 경험치가 축척되어 있다. 그러나 2, 4 족 화합물 성장용 CVD는 고아학 렌즈 생산용 장비로 국내에서는 아직 생소하고 공정 경험이 없는 새로운 장비이다. 2,4 족 화합물의 특징은 다음과 같다. 2,4 족 화합물은 M, N 이라는 두가 물질이 결합하여 형성한다. 2,4 족 화합물은 높은 융점과 낮은 증기압을 갖니다. 이런 물질들은 고온에서 아래와 같이 평형적으로 반응한다. $$nMN_{(s)}=nM_{(g)}+Nn_{(g)}$$ 화합물인 $MN_{(g)}$의 상태로 존재할 수 있으나 일바적으로 n=2인 4족 원소의 2원자 분자로된 기체가 지배적이다. 증기상을 이용한 성장 공정에서는 구성 원자나 분자를 만들어내는 단계, 이들을 공급원에서 기판까지 수송하는 단계, 기판 위에 흡착하는 단계, 핵의 생성과 단결정을 생성하는 단계, 필요치 않는 구성물을 제거하는 단계를 거쳐 공정이 진행 된다. 각 공정은 성장 물질에 충분한 자유도를 주어야하고 자유도를 주기 위해서는 많은 열에너지가 공급 되어야 한다. 따라서 기존의 박막 성장 공정 보다 성장 속도가 느리고 증착하는 양보다는 버리는 양이 많으며 버려지는 성장물질들은 급격한 온도 변화가 생기는 곳에서 급격히 증착하기 시작한다. 본 성장 공정이 진행되는 압력은 30 torr 부근이며 공정 온도는 $1000^{\circ}C$ 부근이다. 30 torr 영역에서는 열전달이 대기압과 같은 속도로 진행되기 때문에 지속적으로 온도에의해 손상을 받는 부위가 있을 수 있다. 높은 공정 온도와 높은 공정 압력은 내부 구조물로 발생된 열을 빠르게 장비 표면으로 수송하게 되고 그 결과 장비의 연결 부분에 장착된 오링에 손상을 주게 된다. 오링 손상을 방지 하기위해 냉각수 라인을 형성하여 오링을 보호하게 되면 열역학적 기울기가 급격히 발생하는 부분이므로 CVD의 반응 부산물들이 빠른 시간동안 증착하게 되고 막히는 현상이 발생하게 된다. 목표한 두게까지 박막을 성장시키기 위해서는 장시간 공정이 필수이며 장시간 공정을 안정적으로 가져가지 위해서는 배기 라인의 막힘 현상을 해결하여야 한다. 본 논문에서는 막힘 현상의 진행을 시간에 따라 해석하였으며 장시간 공정을 진행하기위해 필요한 요소와 기구적으로 조치가 가능한 방법에 대해 작성하였다.

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Dry cleaning for metallic contaminants removal after the chemical mechanical polishing (CMP) process (Chemical Mechnical Polishing(CMP) 공정후의 금속오염의 제거를 위한 건식세정)

  • 전부용;이종무
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.9 no.2
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    • pp.102-109
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    • 2000
  • It is difficult to meet the cleanliness requirement of $10^{10}/\textrm{cm}^2$ for the giga level device fabrication with mechanical cleaning techniques like scrubbing which is widely used to remove the particles generated during Chemical Mechanical Polishing (CMP) processes. Therefore, the second cleaning process is needed to remove metallic contaminants which were not completely removed during the mechanical cleaning process. In this paper the experimental results for the removal of the metallic contaminants existing on the wafer surface using remote plasma $H_2$ cleaning and UV/$O_3$ cleaning techniques are reported. In the remote plasma $H_2$ cleaning the efficiency of contaminants removal increases with decreasing the plasma exposure time and increasing the rf-power. Also the optimum process conditions for the removal of K, Fe and Cu impurities which are easily found on the wafer surface after CMP processes are the plasma exposure time of 1min and the rf-power of 100 W. The surface roughness decreased by 30-50 % after remote plasma $H_2$ cleaning. On the other hand, the highest efficiency of K, Fe and Cu impurities removal was achieved for the UV exposure time of 30 sec. The removal mechanism of the metallic contaminants like K, Fe and Cu in the remote plasma $H_2$ and the UV/$O_3$ cleaning processes is as follows: the metal atoms are lifted off by $SiO^*$ when the $SiO^*$is evaporated after the chemical $SiO_2$ formed under the metal atoms reacts with $H^+ \; and\; e^-$ to form $SiO^*$.

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The Successfully Redoaugmentation of Budd-Chiari Syndrome with Using Gore-Tex Patch of the IVC Obstruction (Budd-Chiari Syndrome 하공정맥 폐색의 Gore Tex Patch로의 성공적인 재확장술)

  • 지행옥;이재훈;전순호;정태열;신성호;전양빈;손상태
    • Journal of Chest Surgery
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    • v.32 no.1
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    • pp.75-79
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    • 1999
  • Budd-Chiari syndrome is a state of hepatic failure caused by impairment of blood flow anywhere from the inferior vena cava to the right atrium. In this case, a 45 year old patient had undergone membranotomy and dilatation with autogenous pericardial graft due to obstruction of the inferior vena cava caused by a congenital membrane in 1987. Ten years after the operation, restenosis occurred. Although a noninvasive method with a Gianturco stent dilatation was performed, a satisfactory result was not obtained. A reoperation was performed. The stenotic segment of inferior vena cava was excised and after augmentation with a prepared pentagon shaped Gore-Tex artificial graft allowing passage of two fingers. The patient's postoperative course was uneventful without signs of rebleeding or any other complications and the patient was discharged at postoperative two weeks without the use of anticoagulants. An excellent result was obtainable after operation using a prepared Gore-Tex graft and such a result. Reoperational case of Budd-Chiari syndrome may require rapid and excellent the operative techenic by prevention of massive bleeding under use of extracorporeal circulation.

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A study on the ECMP process improvement with optimization of $NaNO_3$ Electrolyte ($NaNO_3$ 전해액의 최적화로 인한 ECMP 공정 개선에 관한 연구)

  • Lee, Young-Kyun;Park, Sung-Woo;Han, Sang-Jun;Lee, Sung-Il;Jung, Pan-Geom;Choi, Gwon-Woo;Seo, Yong-Jin;Lee, Woo-Sun
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.53-53
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    • 2007
  • 반도체 소자의 고집적화, 미세화 화로 인해 반도체의 동작속도를 증가시키기 위하여 Cu를 이용한 금속배선이 주목받게 되었으나, 높은 압력으로 인한 보은 Cu 영역에서 과잉 디슁 현상과 에로젼을 유도하고 반도체 웨이퍼위의 low-k 물질에 손상을 줌에 따라 메탈라인 브리징과 단락을 초래할 있어, Cu의 단락인 islands를 남김으로서 표면 결항을 제거하지 못한다는 단점을 가지고 있었다. 그래서 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기존의 CMP에 전기화학을 결합시킴으로서 낮은 하력에서의 Cu평탄화를 달성할 수 있는 ECMP (electrochemical mechanical polishing)기술이 필요하게 되었다. 따라서 본 논문에서는 전기화학적 기계적 연마(ECMP)작용을 위해, I-V 특성 곡선을 이용하여 패시베이션 막의 active, passive, transient, trans-passive영역의 전기화학적 특성을 비교 분석하였으며, Cu막의 표면 형상을 알아보기 위해 scanning electron microscopy (SEM) 측정과 energy dispersive spectroscopy (EDS)와 X-ray Diffraction (XRD) 분석을 통해 금속 화학적 조성을 조사하였다.

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Formation of Al diffused back surface field on rear passivation layer (소성 온도 변화 따른 후면 전계 형성이 결정질 실리콘 태양전지 특성에 미치는 영향)

  • Song, Joo-Yong;Park, Sung-Eun;Kang, Min-Gu;Park, Hyo-Min;Tark, Sung-Ju;Kwon, Soon-Woo;Yoon, Se-Wang;Kim, Dong-Hwan
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2009.06a
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    • pp.91-91
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    • 2009
  • 태양전지의 전극소성 시 알루미늄 후면 전극이 실리콘으로 확산되어 후면전계(Back Surface Field)를 형성한다. 후면 패시베이션층은 후면반사율을 높여 내부광흡수경로를 늘리고 후면재결합속도를 감소시킨다. 본 논문은 후면 패시베이션층이 알루미늄 후면전계 형성에 미치는 영향 및 온도에 따른 변화를 관찰하였다. 절삭손상(Saw damage)이 제거된 실리콘 기판의 후면에 패시베이션층이 없는 것과 후면 패시베이션층으로 사용되는 실리콘 산화막을 형성시킨 시편을 제작하였다. 알루미늄 후면전극을 스크린 인쇄 후 소성온도를 달리하여 실리콘과 알루미늄과의 반응을 비교하였다. 주사전자현미경(SEM)을 사용하여 시편의 단면사진으로부터 소성온도에 따른 실리콘과 알루미늄간의 반응 여부를 관찰하였고, 열분석을 통해 반응 온도를 조사하였다. 패시베이션층이 없는 경우에는 약 $600^{\circ}C$부터 실리콘과 알루미늄간의 반응이 시작되었고, 패시베이션층이 있는 경우에는 약 $700^{\circ}C$부터 반응이 시작되는 결과를 얻었다.

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Antimicrobial Coating Agent (항균 코팅제)

  • Ko, Jong-Sung
    • Journal of the Korean Applied Science and Technology
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    • v.30 no.1
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    • pp.96-115
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    • 2013
  • This article describes the concept and the trend of antimicrobial coating agents, which will help to establish the direction of the research and development on antimicrobial coating agent. Antimicrobial agents are compounds that inhibit or kill microorganisms. They are classified into inorganic, metallic, low molecular weight organic, natural organic, and polymeric compounds. Antimicrobial coatings are applied to the surface of daily necessities, medical devices, industrial products, electrical appliances, fabrics, and interior building materials, etc. Conventional antibiotics penetrate microbes without damaging bacterial cell walls, leading to drug resistance which polymeric antimicrobials can prevent by disrupting cell walls. Most polymeric antimicrobials are focused on cationic polymers. Improvement in the selectivity and durability of antimicrobials and reduction of their toxicity will come true by more reasonable design of molecular structures and their combination in coating system.

Effect of compliance current on resistive switching characteristics of solution-processed HfOx-based resistive switching RAM (ReRAM)

  • Jeong, Ha-Dong;Jo, Won-Ju
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.255-255
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    • 2016
  • Resistive random access memory (ReRAM)는 낮은 동작 전압, 빠른 동작 속도, 고집적화 등의 장점으로 인해 차세대 비휘발성 메모리 소자로써 많은 관심을 받고 있다. 최근에 ReRAM 절연막으로 NiOx, TiOx, AlOx TaOx, HfOx와 같은 binary metal oxide 물질들을 적용하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, HfOx는 안정적인 동작 특성을 나타낸다는 점에서 ReRAM 절연막 물질로 적합하다고 보고되고 있다. ReRAM 절연막을 형성할 때, 물리 기상 증착 방법 (PVD)이나 화학 기상 증착법 (CVD)과 같은 방법이 많이 이용된다. 이러한 증착 방법들은 고품질의 박막을 형성시킬 수 있는 장점이 있다. 하지만, 높은 온도에서의 공정과 고가의 진공 장비가 이용되기 때문에 경제적인 문제가 있으며, 기판 또는 금속에 플라즈마 손상으로 인한 문제가 발생할 수 있다. 따라서 이러한 문제점들을 개선하기 위해 용액 공정이 많은 관심을 받고 있다. 용액 공정은 공정과정이 간단할 뿐만 아니라 소자의 대면적화가 가능하고 공정온도가 낮으며 고가의 진공장비가 필요하지 않은 장점을 가진다. 따라서 본 연구에서는, 용액공정을 이용하여 HfOx 기반의 ReRAM 제작하였고 $25^{\circ}C$$85^{\circ}C$에서 ReRAM의 동작특성에 미치는 compliance current의 영향을 평가하였다. 실험 방법으로는, hafnium chloride (0.1 M)를 2-methoxyethanol에 충분히 용해시켜서 precursor를 제작하였다. 이후, p-type Si 기판 위에 습식산화를 통하여 300 nm 두께의 SiO2 절연층을 성장시킨 후, 하부전극을 형성하기 위해 electron beam evaporation을 이용하여 10/100 nm 두께의 Ti/Pt 전극을 증착하였다. 순차적으로, 제작된 산화물 precursor를 이용하여 Pt 위에 spin coating 방법으로 1000 rpm 10 초, 6000 rpm 30초의 조건으로 두께 35 nm의 HfOx 막을 증착하였다. 최종적으로, solvent 및 불순물을 제거하기 위해 $180^{\circ}C$의 온도에서 10 분 동안 열처리를 진행하였으며, 상부 전극을 형성하기 위해 electron beam evaporation을 이용하여 Ti와 Al을 각각 50 nm, 100 nm의 두께로 증착하였다. ReRAM 동작에서 compliance current가 미치는 영향을 평가하기 위하여 compliance current를 10mA에서 1mA까지 변화시키면서 측정한 결과, $25^{\circ}C$에서는 compliance current의 크기와 상관없이 일정한 메모리 윈도우와 우수한 endurance 특성을 얻는 것을 확인하였다. 한편, $85^{\circ}C$의 고온에서 측정한 경우에는 1mA의 compliance current를 적용하였을 때, $25^{\circ}C$에서 측정된 메모리 윈도우 크기를 비슷하게 유지하면서 더 우수한 endurance 특성을 얻는 것을 확인하였다. 결과적으로, 용액공정 방법으로 제작된 ReRAM을 측정하는데 있어서 compliance current를 줄이면 보다 우수한 endurance 특성을 얻을 수 있으며, ReRAM 소자의 전력소비감소에 효과적이라고 기대된다.

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Inhibition of Candida albicans Biofilm Formation by Coptidis chinensis through Damaging the Integrity of Cell Membrane (세포막손상 유발로 인한 황련의 캔디다 바이오필름 형성 억제)

  • Kim, Younhee
    • Korean Journal of Microbiology
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    • v.49 no.1
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    • pp.17-23
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    • 2013
  • Candida biofilms are organized microbial communities growing on the surfaces of host tissues or indwelling medical devices, and the biofilms show enhanced resistance against the conventional antifungal agents. The roots of Coptidis chinensis have been widely used for medicinal purposes in East Asia. The present study was aimed to assess the effect of C. chinensis aqueous extract upon preformed biofilms of 10 clinical Candida albicans isolates and the antifungal activities which contribute to inhibit the C. albicans biofilm formation. Its effect on preformed biofilms was judged using XTT [2,3-Bis-(2-Methoxy-4-Nitro-5-Sulfophenyl)-2H-Tetrazolium-5-Carboxanilide)] reduction assay, and metabolic activity of all tested strains was reduced significantly ($57.3{\pm}14.7%$) at $98{\mu}g/ml$ of the C. chinensis extract. The extract damaged the cell membrane of C. albicans which was analyzed by fluorescein diacetate and propidium iodide staining. The anticandidal activity was fungicidal, and the extract obstructed the adhesion of C. albicans biofilms to polystyrene surfaces, arrested C. albicans cells at $G_o/G_1$ as well, and reduced the growth of biofilms or budding yeasts finally. The data suggest that C. chinensis has multiple antifungal effects on target fungi resulting in preventing the formation of biofilms. Therefore, C. chinensis holds great promise for exploring antifungal agents from natural products in treating and eliminating biofilm-associated Candida infection.

The Reduction of Hydrogen Peroxide in Viable Boar Sperm Cryopreserved in the Presence of Catalase (Catalase 첨가에 따른 돼지 정액 동결 및 융해 후 생존 정자에서 Hydrogen Peroxide의 감소)

  • Kim, Su-Hee;Lee, Young-Jun;Kang, Tae-Woon;Kim, Yong-Jun
    • Journal of Veterinary Clinics
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    • v.28 no.1
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    • pp.13-19
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    • 2011
  • Semen cryopreservation induces the formation of reactive oxygen species (ROS), and the ROS cause sperm damage. We aimed to investigate the effects of the antioxidative enzyme catalase (CAT) on sperm quality and ROS during cryopreservation. Sperm rich fractions collected from five Duroc boars were cryopreserved in freezing extender with (200 or 400 U/mL) or without CAT (control). After thawing, sperm motility, viability, normal morphology, plasma membrane integrity, mitochondrial function and intracellular ROS were evaluated. CAT significantly improved total sperm motility at a concentration of 400 U/mL (P < 0.05), but didn't improve progressive sperm motility, viability, morphological defects, plasma membrane integrity and mitochondrial function in frozen-thawed boar sperm. In evaluation of ROS, CAT had no effect on reduction in ${\cdot}O_2$, but scavenged $H_2O_2$ in viable frozen-thawed boar sperm at concentrations of 200 and 400 U/mL (P < 0.05). In conclusion, CAT was not enough to improve quality of frozen-thawed sperm, but can reduce $H_2O_2$ generation in viable boar sperm during cryopreservation.