• 대한화학회지
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• 제42권2호
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• pp.220-227
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• 1998

균일 침전법에서 침전제인 요소의 초기 농도가, 생성되는 균일 입도 초미분 $Y(OH)CO_3 \cdot nH_2O$침전의 형상, 입도 및 침전 속도 등에 미치는 영향을 조사하였다. 요소의 초기 농도가 높을수록 얻어지는 균일 입도 초미분의 평균 입도는 작아지나, 일정농도(본 실험조건의 경우 4.0~7.0M사이) 이상으로 높아지면 급격한 침전 반응으로 인해 불규칙한 형상의 응집된 큰 침전이 얻어졌다. 요소의 초기농도가 증가함에 따라 침전 반응속도는 증가하나, 일정농도(본 실험 조건의 경우, 약 4.0M)이상이 되면, 요소 농도 증가에 따른 반응 속도의 증가가 더 이상 없는 포화 상태가 되었다. 요소의 과잉 사용은 반응후 남는 미분해 요소의 증가로 인해 수질 오염 등의 환경 문제를 유발시키므로, 얻고자 하는 침전 크기 및 반응 속도 등을 고려하여 적정한 요소의 초기 농도를 결정하는 것은 공업적 및 환경적 측면에서 중요하다고 판단된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.488-488
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• 2012

상압에서 12인치 실리콘 웨이퍼 표면처리가 가능한 장치를 개발하였다. 배치타입 공정으로 플라즈마 발생 전극은 직경 340 mm의 대면적 원형 형태을 가지고 있다. 시스템은 탈부착이 가능한 플라즈마 모듈부와 공정챔버로 나누어지며 균일도를 높이기 위해 웨이퍼스테이지는 가열, 회전 및 축간 조절이 가능하게 설계하였다. 플라즈마발생은 DBD 전극방식을 채용하고 있으며 공정가스흐름 및 전극배열 등을 연구하였다. 또한, 기판 온도, 가스 조합 등의 공정파리미터를 변화시켜가며 높은 애슁 속도 및 균일도를 얻기 위한 실험이 진행되었다. 주파수 15 kHz, 인가 파워 7 kW, 시편 가열 온도 95도, 60 rpm, 80 spm에서 분당 200 nm의 PR제거율을 확인하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제20권5호
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• pp.39-39
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• 2003

As the design rules in semiconductor manufacturing process become more and more stringent, the higher degree of planarization of device surface is required for a following lithography process. Also, it is great challenge for chemical mechanical polishing to achieve global planarization of 12” wafer or beyond. To meet such requirements, it is essential to understand the CMP equipment and process itself. In this paper, authors suggest the velocity distribution on the wafer, direction of friction force and the uniformity of velocity distribution of conventional rotary CMP equipment in an analytical method for an intuitive understanding of variation of kinematic variables. To this end, a novel dimensionless variable defined as “kinematic number” is derived. Also, it is shown that the kinematic number could consistently express the velocity distribution and other kinematic characteristics of rotary CMP equipment.

• 한국정밀공학회지
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• 제20권5호
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• pp.29-38
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• 2003

As the design rules in semiconductor manufacturing process become more and more stringent, the higher degree of planarization of device surface is required for a following lithography process. Also, it is great challenge for chemical mechanical polishing to achieve global planarization of 12” wafer or beyond. To meet such requirements, it is essential to understand the CMP equipment and process itself. In this paper, authors suggest the velocity distribution on the wafer, direction of friction force and the uniformity of velocity distribution of conventional rotary CMP equipment in an analytical method for an intuitive understanding of variation of kinematic variables. To this end, a novel dimensionless variable defined as “kinematic number” is derived. Also, it is shown that the kinematic number could consistently express the velocity distribution and other kinematic characteristics of rotary CMP equipment.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.97-97
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• 2010

많은 플라즈마 공정 중에 건식 식각은 복잡하고 표면반응이 잘 알려지지 않은 등의 이유로 가장 어려운 분야 중의 하나이다. 이러한 이유로 식각 장치 디자인뿐만 아니라 플라즈마를 이용한 건식 식각의 공정 조건은 수많은 시행착오를 통해 시도되어 왔다. 이런 문제들을 극복하기 위해 많은 연구자들에 의해서 다양한 방법과 tool을 이용해 모델링이 시도되고 있다. 본 연구에서는 $CF_4$ 가스를 이용한 유도결합 플라즈마에 의해 Si와 $SiO_2$를 식각하는 것을 상용 프로그램인 전산모사 유체역학 시뮬레이터인 CFD-ACE+를 이용하여 모델링했다. 150 mm 직경의 웨이퍼에 대한 모델은 식각 속도 실험결과와 비교 하였다. Ar의 경우 20 mTorr에서 13.56 MHz, 500 W인가 시 2.0 eV의 전자온도와 $7.3{\times}10^{11}\;cm^{-3}$의 전자밀도가 계산결과와 상당히 일치하게 측정되었고, $CF_4$를 이용한 $SiO_2$ 식각에서도 식각 속도가 평균 190 nm/min로 일치했고 식각 균일도는 3% 였다. 450 mm 웨이퍼 공정용 장치의 모델 계산 결과에서는 안테나와 기판의 거리, 챔버의 단면적, 기판 지지대와 배기구와의 높이 등 기하학적인 구조와 각 안테나 턴의 위치 및 전류비가 플라즈마 균일도에 많은 영향을 주었으며, 안쪽부터 4 turn이 있는 경우 2번째, 4번째 turn에만 1:4의 전류비를 인가했을 때, 수십%의 전자밀도의 불균일도를 4.7%까지 낮출 수 있었다. 또한, Si 식각에서는 식각 속도의 분포가 F radical의 분포와 같은 경향을 보임을 확인했고, $SiO_2$ 식각에서는 전자 밀도의 분포와 일치함을 확인함으로써 균일한 식각을 위해서 두 물질의 식각 공정에서는 다른 접근의 시도가 필요함을 확인했다. 플라즈마의 준중성 조건을 이용해서 Poisson 방정식을 풀지 않고 sheath를 해석적 모델로 처리하는 방법과, Poisson 식으로 정전기장을 푸는 방법을 통해서 입사 이온의 에너지 분포를 비교하였다. 에너지 범위는 80~120 eV로 같지만, 실험에서는 IED가 낮은 에너지 쪽이 더 높게 측정됐고, 계산 결과에서는 높은 에너지 쪽이 높았다.

• 한국작물학회지
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• 제38권6호
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• pp.507-512
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• 1993

담배종자는 매우 미세하기 때문에 육묘과정에서 많은 노동력이 소요된다. 또 담배종자는 보통 2월 하순경부터 조기에 파종하는 경향이므로 저온조건에서의 발아의 안정성이 요구된다. 따라서 저온조건에서 발아가 촉진되고 또한 균일한 묘를 확보하기 위한 기술은 담배종자를 묘상에 직파했을 경우에 반드시 필요한 요건이 된다. 따라서 본시험에서는 파종 전에 담배종자를 여러 가지 방법으로 전처이하여 발아속도의 촉진 및 묘의 균일성에 미치는 영향 등을 조사하여 육묘의 성력화를 위한 기초자료를 제공하고자 하였다. 1. 파종 전 처리로 인하여 최종 발아율에는 영향을 미치지 않았으나 발아속도, 온실에서의 출현속도는 SMP, PEG, DPI처리에서 모두 향상되었으며 특히 SMP처리에서 월등하였다. 2. SMP처리에서 묘의 생장도 가장 켰고 아울러 묘가 가장 균일하였다. 3. SMP처리시 처리재료로 사용된 Agro-Lig의 수분함량은 일정량이상일 경우에 전처리효과에 큰 영향이 없는 것으로 나타났고 처리시의 온도는 높은 온도(2$0^{\circ}C$)에서 처리한 것이 낮은 온도(15$^{\circ}C$)에서 처리한 것보다 정의 방향으로 발아속도 및 출현속도에 영향이 켰다.

• 한국결정성장학회지
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• 제3권1호
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• pp.18-30
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• 1993

균일한 자장과 비균일한 자장이 도가니에 가하여졌을 때의 Czochralski유동장이 수치적으로 해석되었다. 여기에서 부력의 효과, thermocapillarity 효과, 원심력의 효과, 자장의 효과등이 Czochralski유동장을 지배하고 있다. 자오면에서의 속도성분과 회전방향의 속도성분이 구하여졌으며 온도, 전류의 흐름 등이 해석되었다. 균일한 자장의 경우에 세기가 증가하면 모든 속도성분이 작아지고 있으며 결정표면 아래에서 회전방향으로의 전류의 세기가 증가한다. 불균일한 자장의 경우에는 자장의 불균일성이 증가하면 자오면에서의 평면유동은 억제되는 반면 회전방향의 속도성분은 더 증가하게 된다. 이와 같은 여러 형태의 자장의 영향아래에서의 Czochralski 유동장에 대한 이해는 도가니(Crucible)안의 용질 및 불순물의 농도에 관한 거동을 연구할 수 있는 기초를 제공하고 있다.

• 한국시뮬레이션학회논문지
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• 제28권3호
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• pp.83-89
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• 2019

본 연구는 회전 비행체(Magnus rotor)를 탑재한 분산탄두의 분산 균일도에 미치는 요인 분석과 성능지표를 도출하기 위해 모탄의 속도 V와 회전속도 ${\omega}$, 비행경로각(flight path angle) ${\gamma}$ 그리고 고도 h의 변화에 따른 해석 결과를 기술했으며, 이때 모탄의 회전속도와 속도의 비를 새로운 변수로 정의했다. 자탄의 분산 해석에는 풍동실험을 통해 획득한 공력계수를 사용한 6 자유도 운동방정식을 이용했으며, 분산도 분석을 위해 회귀분석과 결정계수를 구해 분산도를 평가했다. 해석결과 최적의 회전속도와 낙하속도의 비, 비행경로각(flight path angle)을 구할 수 있었으며, 방출고도는 분산도에 회전속도와 낙하속도의 비, 비행경로각(flight path angle)의 영향에 비해 영향은 크지 않고, 자탄의 분산반경에 영향이 큰 것을 확인했다.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권6호
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• pp.242-245
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• 2014

탄화규소의 화학기상증착 중에 두께 균일성을 향상시키기 위하여 평행하게 회전하는 3단 서셉터를 포함하는 CVD 장치에 대하여 전산유체역학(CFD) 시뮬레이션을 수행하였다. 실제 증착 실험에서는 단 간의 두께 균일성은 상당히 만족스러웠으나 같은 단 위에서는 위치에 따라 두께가 균일하지 못한 3C-SiC 상이 얻어지는 것을 확인하였다. 불균일의 원인으로는 서셉터의 회전 속도에 따른 영향으로 판단되었다. CFD 결과로부터 단 간의 균일성을 향상시키기 위해서는 120도 분기 노즐을 주입구에 설치하는 것이 바람직할 것으로 판단되었으며 단 내의 균일도 향상은 회전 속도를 줄임으로써 가능할 것으로 생각된다. 이렇게 제작된 탄화규소가 증착된 흑연 부품은 고경도, 내산화성 및 분진 억제 특성을 갖고 있어서 반도체용 부품으로 사용될 수 있다.

• 생물환경조절학회지
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• 제8권4호
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• pp.223-231
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• 1999

육묘장의 두상관수장치는 균일하게 관수되어야 모종도 균일하게 성장한다. 본 연구에서는 부채꼴 분사노즐을 이용한 두상관수장치의 노즐 설치위치에 따른 관수상태를 조사하여 균일관수방법을 구명하였다. 살수량은 주행속도에 반비례하였고, 관수균일도는 노즐과 관수면과의 거리에 큰 영향을 받으며 주행속도의 영향은 없었다. 단일노즐에 의한 두상관수인 경우 노즐 끝에서 관수면이 60cm 이상 멀어질수록 관수균일도가 향상되며, 연속노즐에 의한 두상관수인 경우 관수면이 노즐분사 각도의 2차 교차점에 위치할 때 관수균일도가 가장 좋은 것으로 나타났다. 두상관수장치의 균일관수를 위해서는 작물의 머리높이가 분사노즐의 2차교차점에 일치하도록 노즐의 위치를 정해야 하며 작물의 자람에 따른 노즐대 놀이를 조절해 주는 것이 바람직한 것으로 판단된다.