• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.17 no.6
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• pp.1175-1180
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• 2022

STI has been studied a lot as a process technology for wide area planarization according to miniaturization and high integration of semiconductor devices. In this study, as methods for improving the STI profile, wet etching of pad oxide using hydrofluorine solution and dry etching of O₂+CF₄ after STI dry etching were proposed. This process technology showed improvement in profile imbalance and leakage current between patterns according to device density compared to the conventional method. In addition, as a result of measuring the HLD thickness after CMP for a device having the same STI depth and HLD deposition, the measured value was different depending on the device density. It was confirmed that this was due to the difference in the thickness of the nitride film according to the device density after CMP and the selectivity of the slurry.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.169-169
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• 2012

현재 디스플레이 시장은 LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel) 등과 같이 평판 디스플레이가 주류를 이루고 있으며 현재에는 기존의 디스플레이와는 달리 잘 휘어지고 높은 투과성을 가지는 플렉시블 디스플레이에 대한 연구가 활발히 진행 중이다. 하지만 이러한 플렉시블 디스플레이에 사용되는 플라스틱 기판의 경우 용제에 대한 화학적 저항성 및 기계적인 안정성이 취약한 점과 대기중의 수분이나 산소가 플라스틱 기판을 통하여 소자내로 침투하게 되어 금속전극을 산화시키거나 기포 또는 흑점 등과 같은 비 발광 영역이 확산되어 소자의 수명을 단축시키는 치명적인 단점을 가진다. 이에 본 실험에서는 고밀도 플라즈마 형성이 가능하고 저온공정이 가능한 FTS (Facing Target Sputtering) 장비를 이용하여 Polyethylene terephthalate (PET) 기판위에 낮은 수분 투과율 또는 산소 투과율을 갖는 양질의 무기 산화막을 적층하기 위해 저 투습도 및 기계적인 경도 향상을 위한 비 반응성 박막으로 $Al_20_3$층을 Ar분위기에서 증착하였고 그 위에 박막의 stress 감소, 유연성 향상을 위한 반응성 박막으로 Al을 Ar과 $O_2$를 비율별로 증착하여 비교 실험하였다. 이와 같이 제작된 무기산화막들을 Uv- spectrophotometer를 이용하여 광학적 특성을 조사한 결과 가시광 영역에서 모두 80% 이상의 높은 투과율을 나타내었으며, 그 외 XRD (X-ray Diffraction)를 사용하여 결정성을 확인, SEM (Scanning Electron Microscope), AFM (Atomic Force Microscope)을 이용하여 박막의 구조와 표면향상 및 표면조도를 측정한 결과 모든 박막에서 밀집도가 좋으며 거칠기가 작은 것으로 확인되었다. 마지막으로 수분 투과율(WVTR)을 알아보기 위해 Mocon (Permatran W3/31)장비를 이용하여 측정한 결과 $1.0{\sim}3.0{\times}10^{-3}g/m{\cdot}day$의 낮은 수분 투과율을 볼 수 있었다. 이러한 측정 결과로 볼 때 향후 FTS 장비를 이용하여 양질의 플라즈마를 형성하여 알루미늄 무기산화막을 이용한 고밀도 다층막을 형성하면 더욱 낮은 수분투과율을 갖는 가스차단막을 제작할 수 있을 것으로 보여지며 반도체 소자 및 디바이스의 Pachaging으로도 사용가능 할 것이라 사료된다. 본 연구는 한국산업기술진흥원에서 지원하는 2011년도 지역산업기술개발사업의 연구수행으로 인한 결과물임을 밝힙니다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.07b
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• pp.830-833
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• 2002

최근 나노 구조 (nano structure)를 만들기 위한 시도 중 하나로서 스스로 조직화(self organization)하여 나노 구조를 형성하는 물질을 나노 소자 제작을 위한 형틀 (template)로 이용하려는 시도가 활발히 진행되고 있다. 이러한 물질로서 주목을 받고있는 것 중 하나가 전해질 용액에서 알루미늄을 양극산화(anodization) 시켰을 때 형성되는 다공성 알루미나 박막이다. 본 연구에서는 고 순도 알루미늄을 기계적으로 연마(mechanical polishing)하고 공기 분위기에서 어닐링 (annealing)하여 알루미늄을 재결정화(recrystallization) 시키고 인가 전압이 40 V인 정 전압하에서 0.3 M의 수산(oxalic acid)을 전해질로 사용하면서 양극산화를 수행하여 평균 직경이 65 nm인 고도로 배열된 육방밀집구조의 나노 다공성 박막을 제작하였다. 또한 같은 방향의 육방밀집 배열은 크기가 수 ${\mu}m$인 영역(grain)을 형성하고 있었으며, 평균적인 pore의 밀도는 $1.1{\times}10^{10}/cm^2$였다.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.9 no.5
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• pp.561-566
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• 2014

The high power COB(Chip on Board) LED, densely arranged chips on a board, are increasing to resolve heat problems in LED that has luminous semiconductor chips as main materials. In case of high-power COB LED, protection against heat is necessary due to the power consumption is high. Also if the temperature of device increases, the optical emission becomes less efficient and the life rapidly reduces due to thermal stress. This study packaged 13.5W COB LED and heat sink with difference form and produced 13.5W COB LED down-light heat sink by analyzing the thermal modes with Solidworks Flow Simulation. And finally it analyzed and evaluated the thermal modes using contacting and non-contacting thermometers.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.22 no.4
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• pp.71-76
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• 2015

Recently, light emitting diodes (LEDs) have been studied to improve their efficiencies for the uses in various fields. Particularly in the aspect of chip structure, via hole type vertical LED chip is developed for improvement of light output power, and heat dissipations. However, current vertical type LEDs have still drawback, which is current concentration around the n-contact holes. In this research, to solve this phenomenon, we introduced isolation layer under n-contact electrodes. With this sub-electrode, even though the active area was decreased by about 2.7% compared with conventional via-hole type vertical LED, we could decrease the forward voltage by 0.2 V and wall-plug efficiency was improved approximately 4.2%. This is owing to uniform current flow through the area of n-contact.

• Journal of IKEEE
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• v.12 no.2
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• pp.110-117
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• 2008

This paper presents a new Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) based on Non Punch Through(NPT) IGBT structure for power switching device. The proposed structure has adding N+ beside the P-base region of the conventional IGBT structure. The added n+ diffusion of the proposed device ensure device has faster turn-off time and lower forward conduction loss than the conventional IGBT structure. But, added n+ region can reduce th breakdown voltage and latching current density of the proposed device due to its high doping concentration. This problems can be overcome by using diverter on the right side of the device. In the simulation results, turn-off time of the proposed device is 0.3us and the on-state voltage drop is 3V. The results show that the proposed device has superior characteristic than conventional structure.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.27 no.9
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• pp.775-782
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• 2016

In this paper, we propose a dual-band GPS antenna using a single-layer coupled-feed structure for improvement of isolation and design complexity. The proposed antenna consists of a central feed patch and outer dual loops, and the loops are electromagnetically fed by the feed patch to induce currents. This feeding network can improve the isolation between antenna elements arranged in small arrays because the magnetic field strength near the antenna is minimized by confining the fields around the dual loops. The isolation characteristics of the proposed antenna are compared with those of the conventional multi-layer patch antenna, and the average field strength and the isolation are improved by 3 dB and 2 dB, respectively, which verifies that the antenna is suitable for small CRPA arrays.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.2
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• pp.401-407
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• 2014

There are increasing interests in COB (Chip On Board) that densely arranged many LED chips on one board in order to solve the heat issue. There are many problems being on the rise: the lifespan decreases as the temperature of LED devices increases; Red Shift phenomenon, in which wave length of spectral line moves from original wave length to long wave length, occurs; and optical power decreases as $T_j$ increases. In order to resolve such problems, this study selected the optimum thickness and length of Fin, planned the second Heat sink that is optimum for COB LED with 15W, and analyzed thermal mode by Solid Works Flow Simulation through 15W COB packaging with the planned Heat sink. 15W COB down-light Heat sink that is produced based on this analysis was utilized to analyze thermal mode through contact thermometer and electrical properties through Kelthley 2430.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.156-156
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• 2009

우리 주변에서 쉽게 얻을 수 있는 에너지를 수확하여 전기에너지로 변환해서 전자기기의 전원으로 사용하고자 하는 에너지 하비스팅의 연구가 활발히 진행중이다. 본 연구에서는 일정장소에 설치된 압전발판을 사람이 보행시 밟았을 때 압전체가 변형되어 전기에너지를 발생시키는 자가발전 압전발판을 제작하였다. 발생된 전기에너지를 육안으로 확인하기 위해 발판 주변에 LED를 설치하여 점등되도록 하였다. 최대의 전기에너지가 발생되도록 압전발판을 제작하고자 디스크형태의 압전체를 아크릴판에 휨이 발하는 지점에서 일정거리를 두어 부착하고 인위적으로 일정 변위가 발생하도록 가진을 하였을 때 발생하는 전압을 비교하였다. 또한 압전체에 동판이 부착된 형태로 동판 두께에 따른 발전특성도 비교하였다. 이를 바탕으로 최대의 발전특성을 나타내는 형태로 제작하여 다수의 압전소자를 밀집시키고 그 위에 판을 대어서 보행시 밟은 부분 외의 압전체에도 하중이 인가되도록 제작하였다. 인도, 도로, 교량 등에 압전발판을 다수 설치하여 전기에너지를 축적하여 센서등의 전원으로 응용성을 검증하였다.

• Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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• v.15 no.4
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• pp.579-589
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• 2002

In this paper, a Wittrick-Williams algorithm is developed for the spectral element model of an elastic-piezoelectric two-layer active beam. This algorithm may help calculate all the required natural frequencies, which lie below any chosen frequency, without the possibility of missing any due to close grouping or due to the abrupt sign changes of the determinant of spectral element matrix via infinity instead of via zero. A uniform active beam and a partially patched active beam are considered as the illustrative examples to confirm the present algorithm.