• Title/Summary/Keyword: 소결광

Search Result 77, Processing Time 0.029 seconds

Effect of Nozzle Distance and Angle in the Iron-ore Sintering Dual Burner on Flame Characteristics (철광석 소결용 듀얼 버너의 노즐 간격과 각도가 화염 특성에 미치는 영향)

  • Lee, Young-Jun;Hwang, Min-Young;Kim, Gyu-Bo;Song, Ju-Hun;Chang, Young-June;Jeon, Chung-Hwan
    • Journal of Energy Engineering
    • /
    • v.19 no.3
    • /
    • pp.163-170
    • /
    • 2010
  • The objective of this study is to investigate the combustion characteristics of dual type of sintering burner as a function of design parameters using lab-scale sintering burner through experimental and numerical approaches. Combustion characteristics were evaluated by the radical method. The numerical model was verified as a temperature using R type of thermocouple at the bed surface. The effect of nozzle distance and angle were performed through the CFD analysis, and the comparison of burner types. As a results, dual type burner has more wider and uniform flame distribution than single type burner. Asymmetry and 45 degree angle condition have been suggested as an optimal condition for the ignition of the sintering bed surface.

Status of Research on Selective Laser Sintering of Nanomaterials for Flexible Electronics Fabrication (나노물질의 선택적 레이저소결을 이용한 유연전기소자 구현 연구현황)

  • Ko, Seung-Hwan
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
    • /
    • v.35 no.5
    • /
    • pp.533-538
    • /
    • 2011
  • A plastic-compatible low-temperature metal deposition and patterning process is essential for the fabrication of flexible electronics because they are usually built on a heat-sensitive flexible substrate, for example plastic, fabric, paper, or metal foil. There is considerable interest in solution-processible metal nanoparticle ink deposition and patterning by selective laser sintering. It provides flexible electronics fabrication without the use of conventional photolithography or vacuum deposition techniques. We summarize our recent progress on the selective laser sintering of metals and metal oxide nanoparticles on a polymer substrate to realize flexible electronics such as flexible displays and flexible solar cells. Future research directions are also discussed.

Fabrication and optoelectrical properties for cdSSe photoconductive cell by using print/sintering (인쇄/소결 방법에 의한 CdSSe 광전도 셀 제작과 광전기적 특성)

  • Hong, Kwang-Joon;Lee, Sang-Youl
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
    • /
    • 2004.04b
    • /
    • pp.46-50
    • /
    • 2004
  • 인쇄/소결 방법으로 가시영역에서 광감도가 매우 큰 CdSSe 다결정 후막을 만들고 이를 이용하여 광전도 젤을 제작하였다. 후막의 낱알 크기는 $5{\mu}m$ 정도이였다. 광전도 셀은 소결 촉진제로 첨가한 $cucl_2$ 양이 CdSSe 1 g 당 3.06~0.10 mg 정도이변 감도, 광전류와 암전류의 비율이 각각 0.7과 $10^5$ 이상을 나타내었고, Cds 와 CdSe 의 질량비가 1:0, 9:1, 8:2, 7:3, 6:4, 5:5일 때 응답파장은 각각 500nm, 520nm, 540nm, 570nm, 620nm, 660nm였다. 또한 주파수 특성을 나타내는 응답시간은 오름시간과 감쇠시간이 각각 30관 20ms 정도 이였으며 최대허용 소비 전력은 80mw 이상이었다. 이상과 같이 인쇄/소결 방법으로 제작된 광전도 셀은 $cucl_2$ 양이 CdSSe 1g 당 0.06~0.10 mg 정도 주입되면 센서로써 좋은 특성을 나타내었다.

  • PDF

Development of photosensitive dielectric paste for micro-via formation (마이크로 비아 형성을 위한 감광성 유전체 페이스트의 개발)

  • Park, Seong-Dae;Yoo, Myong-Jae;Cho, Hyun-Min;Lim, Jin-Kyu;Park, Jong-Chul
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
    • /
    • 2003.05c
    • /
    • pp.240-244
    • /
    • 2003
  • 후막 리소그라피 기술은 기판 위에 감광성 페이스트를 도포한 후 자외선과 패턴마스크를 사용하는 광식각(photolithography) 방법을 이용하여 세부 패턴을 형성시키는 기술이다, 이 기술은 후막기술로서는 높은 해상도인 선폭 $30{\mu}m$ 이하의 미세도선을 구현할 수 있어, 후막기술을 이용한 고주파 모듈의 제조에 있어서 새로운 대안으로 주목받고 있다. 본 연구에서는 알루미나 기판 상에 수십 ${\mu}m$ 이하의 마이크로 비아를 가지는 유전체 층을 형성시킬 수 있는 저온소결용 감광성 유전체 페이스트를 개발하였다. 저온소결용 유전체 파우더와 폴리머, 모노머, 광개시제 등의 양을 조절하여 마이크로 비아를 형성할 수 있는 최적 페이스트 조성을 연구하였으며, 노광량 및 현상시간과 같은 공정변수가 마이크로 비아의 해상도에 미치는 영향을 평가하였다. 알루미나 기판에 전면 프린팅 한 후 건조, 노광, 현상, 소성 과정을 거쳐 소결전 $37{\mu}m$, 소결후 $49{\mu}m$의 해상도를 가지는 마이크로 비아를 형성할 수 있었다.

  • PDF

3원계 U-Ce-O의 소결 Kinetics 연구

  • Kim, Hyeong-Su;Park, Chun-Ho;Bae, Gi-Gwang;Jeong, Sang-Tae;Choe, Chang-Beom
    • Korean Journal of Materials Research
    • /
    • v.3 no.3
    • /
    • pp.276-281
    • /
    • 1993
  • In order to study the sintering kinetics of the ternery system, U-Ce-O, its shrinkage rate with time and temperature at the Ar atmoshpere were measured by using the dilatometer. At the sintering kinetics of U-Ce-O, sintering rate curve revealed bimodal and the first extreme point at bimodal curve was affected by the $UO_2$ the second one was due to the $CeO_2$. The sintering of $(U, Ce)O_2$ was delayed as increasing the $CeO_2$. At the same lOwt. % content, the highest sintering rate was observed at the $(U, Ce)O_2$ sample ball-milled for 4 hours.

  • PDF

The Comparison of Sintering Characteristics between the PVA-Al(III) Complex added $UO_2$Pellet and AlOOH added $UO_2$pellet (PVA-Al(III) 착물 첨가 $UO_2$소결체와 AlOOH 첨가 $UO_2$소결체의 소결 특성 비교)

  • Lee, Sin-Yeong;Yu, Ho-Sik;Lee, Seung-Jae;Kim, Hyeong-Su;Bae, Gi-Gwang
    • Korean Journal of Materials Research
    • /
    • v.10 no.1
    • /
    • pp.55-61
    • /
    • 2000
  • The sintering characteristics of PVA-Al(III) complex added $UO_2$ pellet and AlOOH added $UO_2$pellet were compared. The major phase of PVA-Al(III) complex and AlOOH decomposed at $1000^{\circ}C$ in $H_2$atmosphere was $\theta-Al_2O_3$. Compared with the apparent density of pure $UO_2$, that of AlOOH added $UO_2$ powder was higher but that of PVA-Al(III) complex was lower. the densification of AlOOH added $UO_2$ pellet was initiated at about $800^{\circ}C$, the densification of PVA-Al(III) complex added $UO_2$ pellet was initiated at about $900^{\circ}C$ respectively. In a view of pore size distribution, the PVA-Al(III) complex added $UO_2$ pellet appeared as monomodal type, whereas the AlOOH added $UO_2$ pellet appeared as bimodal type. The grain size of AlOOH added $UO_2$ pellet was about $13\mu\textrm{m}$ but the grain size of PVA-Al(III) complex added $UO_2$ pellet was increased up to about $36\mu\textrm{m}$.

  • PDF

Effect of Sintering Temperature on the Properties of $CaSiO_4:RE^{3+}$(RE=Eu, Sm, Tb, Dy, Ce) Phosphors

  • Go, Bong-Jin;Jo, Min-Jeong;Jo, Sin-Ho
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2013.08a
    • /
    • pp.173-173
    • /
    • 2013
  • 최근에 고효율의 형광체를 개발하고자 무기물 모체에 주입된 희토류 이온의 발광에 대한 연구가 급부상하고 있다. 형광체는 고휘도, 넓은 시청 각도와 저 비용으로 인하여 대형 평판 디스플레이 분야로 그 응용성을 확장하는 플라즈마 디스플레이 패널 제작에 있어서 매우 중요한 물질이다. 현재 적색 형광체로 널리 사용되고 있는 발광 물질은 YBO3:Eu3+ 혹은 (Y,Gd)BO3:Eu3+ 형광체이지만, Eu3+ 이온이 중심대칭의 자리에 위치하기 때문에, Eu3+ 이온의 5D07F1 전이에 의한 주황색의 발광 세기가 5D07F2 전이에 의한 적색의 세기보다 강하여 고품질의 색상을 구현하는데 상당한 어려움이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 새로운 모체 격자를 갖는 적색, 녹색, 청색 형광체 개발에 많은 노력이 집중되고 있다. 본 연구에서는 형광체 합성시 중요한 변수의 하나인 소결 온도가 새로운 다양한 색을 방출하는 형광체 분말 CaSiO4:RE3+ (RE=Eu, Sm, Tb, Dy, Ce)의 특성에 미치는 영향을 조사하였다. CaSiO4:RE3+ (RE=Eu, Sm, Tb, Dy, Ce) 형광체 분말 시료는 초기 물질 CaO (99.99%), SiO2 (99.99%), Eu2O3 (99.99%), Sm2O3 (99.9%), Tb4O7 (99.9%), Dy2O3 (99.9%), CeO2 (99.9%)을 화학적량으로 준비하였다. 볼밀, 건조 작업을 한 후에, 시료를 막자사발에 넣고 분쇄하여 3시간의 하소 공정과 5시간의 소결 공정을 수행하였다. 이때 소결 온도를 변수로 선택하여 각각 $800^{\circ}C$, $900^{\circ}C$, $1,000^{\circ}C$, $1,100^{\circ}C$에서 소결 작업을 수행하여 합성 분말의 구조, 표면, 광학적 특성을 측정하여 소결 온도가 미치는 영향을 조사하였다. Eu3+가 도핑된 CaSiO4 형광체 분말의 경우에, 발광 스펙트럼은 597, 618, 655, 707 nm에서 관측되었으며, 소결 온도가 $800^{\circ}C$에서 $1,100^{\circ}C$로 증가함에 따라 모든 발광 스펙트럼의 세기는 순차적으로 증가함을 나타내었다. Tb3+가 도핑된 CaSiO4 형광체 분말의 경우에 관측된 발광 스펙트럼은 주 피크인 549 nm를 중심으로 하여 세기가 상대적으로 작은 493, 592, 626 nm의 피크들이 관측되었으며, 소결 온도가 증가함에 따라 전반적으로 발광 세기들이 증가하는 경향을 나타내었다. Sm3+가 도핑된 CaSiO4 형광체의 경우에, 발광 스펙트럼은 전형적인 Sm3+이온에 의한 전이 신호들이 605, 570, 653 nm에서 나타났다. 발광 스펙트럼의 세기는 소결 온도에 비례하여 증가하였다. Ce3+가 도핑된 경우에 발광 스펙트럼은 소결 온도에 관계없이 401 nm에서 관측되었으며, 소결 온도에 따라 발광 세기의 변화가 나타났다. 이 실험 결과로 부터, 합성시 적절한 소결 온도의 선택이 고발광 효율의 형광체를 제작하는데 있어서 매우 중요한 요소가 됨을 확인할 수 있었다.

  • PDF

Rheological behavior and IPL sintering properties of conductive nano copper ink using ink-jet printing (전도성 나노 구리잉크의 잉크젯 프린팅 유변학적 거동 및 광소결 특성 평가)

  • Lee, Jae-Young;Lee, Do Kyeong;Nahm, Sahn;Choi, Jung-Hoon;Hwang, Kwang-Taek;Kim, Jin-Ho
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
    • /
    • v.30 no.5
    • /
    • pp.174-182
    • /
    • 2020
  • The printed electronics field using ink-jet printing technology is in the spotlight as a next-generation technology, especially ink-jet 3D printing, which can simultaneously discharge and precisely control various ink materials, has been actively researched in recent years. In this study, complex structure of an insulating layer and a conductive layer was fabricated with photo-curable silica ink and PVP-added Cu nano ink using ink-jet 3D printing technology. A precise photocured silica insulating layer was designed by optimizing the printing conditions and the rheological properties of the ink, and the resistance of the insulating layer was 2.43 × 1013 Ω·cm. On the photo-cured silica insulating layer, a Cu conductive layer was printed by controlling droplet distance. The sintering of the PVP-added nano Cu ink was performed using an IPL flash sintering process, and electrical and mechanical properties were confirmed according to the annealing temperature and applied voltage. Finally, it was confirmed that the resistance of the PVP-added Cu conductive layer was very low as 29 μΩ·cm under 100℃ annealing temperature and 700 V of IPL applied voltage, and the adhesion to the photo-cured silica insulating layer was very good.

Fabrication and characterization of Zn-O-Ga structures by RF magnetron co-sputtering method

  • Hwang, Chang-Su;Park, In-Cheol;Kim, Hong-Bae
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2010.02a
    • /
    • pp.201-201
    • /
    • 2010
  • 본 연구에서는 RF magnetron co-sputtering을 이용하여 Zn-O-Ga 구성비에 따른 광투과도 및 전기적 특성을 연구하였다. 타겟으로 ZnO 및 $Ga_2O_3$ 소결체를 이용하였으며, 두 개의 RF magnetron sputter의 RF power를 동시에 조절하여 타겟의 구성비를 조절하였으며, 기판과 타겟의 거리를 25 mm~75 mm 범위 내에 조절하여 거리에 따른 Zn-O-Ga 박막의 광투과 특성 및 전기적 특성을 관찰하였다. $Ga_2O_3$ 소결체의 magnetron sputter의 RF power를 30 watt에서 100 watt로 증가함에 따라 박막내의 Ga 성분은 0.5%에서 7.4%로 증가하였으며 Zn 성분은 46.3%에서 40.9%로 O성분은 53.2%에서 51.6%로 각각 줄어들었다. 이에 따라 ZnO의 우선방위 (002) 결정각($2{\theta}$)은 34.24에서 33.87로 줄어들었으며, 이동도 $5.5\;cm^2/Vs$ 에서 $1.99\;cm^2/Vs$ 정도로 감소하는 경향을 보였다. 광투과도는 가시광선 영역에서 85% 이상 보였으며, carrier 밀도는 $0.5\;{\sim}\;4.0^*10^{20}/cm^3$로 증가함에 따라 이동도는 $1.5{\sim}5.5\;cm^2/Vs$로 투명전도막의 특성을 보였다.

  • PDF