본 연구는 버섯을 키우는 배지에 무기셀레늄을 배지 kg당 2 mg을 첨가하여 셀레늄강화팽이버섯을 생산하고, 인체 또는 가축의 셀레늄 급원으로서 버섯과 폐배지 각각의 셀레늄함량 및 조성 그리고 버섯내에서 일어나는 셀레늄축적 대사를 조사하였다. 무처리버섯과 셀레늄처리버섯의 총 셀레늄 함량은 셀레늄처리버섯이 건조 g당 4.51 ㎍의 셀레늄을 나타내어 셀레늄 무처리 버섯의 0.23 ㎍에 비하여 약 20 배정도 증가하였다(P<0.0001). 그리고 유기셀레늄 비율은 셀레늄처리버섯에서 72.30%를 나타내었고, 무처리 버섯은 무기셀레늄이 검출되지 않아, 총 셀레늄 중 유기셀레늄의 비율이 100%로 평가되었다(P<0.0001). 폐배지 내 셀레늄함량은 셀레늄처리버섯 폐배지에서 건조 g당 5.04 ㎍으로 나타났고, 무처리 폐배지에서는 0.08 ㎍으로 유의하게 낮았다(P<0.0001). 셀레늄처리버섯 폐배지의 유기셀레늄 비율은 65.67%로 높게 나타나, 폐배지 내 존재하는 상당량의 셀레늄이 버섯균사에 의해 첨가된 무기셀레늄이 유기셀레늄으로 전환되었다. 버섯배지의 살균으로 셀레늄 손실율은 약 18%로 나타났고, 버섯 체내 셀레늄 외관상 및 순수 축적율은 각각 14.81 및 10.14%였고, 외관상 축적율에 의해 계산된 셀레늄의 4.67%가 버섯체내 대사에 의해 공기 중으로 휘발되는 것으로 나타났다. 이상의 결과로부터 배지 내 무기셀레늄의 첨가는 버섯 내 셀레늄함량을 증가시켰고, 인체 내 유용한 유기셀레늄이 다량 존재하였으며, 폐배지에서도 상당량의 유기셀레늄이 존재하여 가축의 셀레늄공급원으로 충분한 가치가 있을 것으로 생각된다. 그리고 배지 내 셀레늄은 살균으로 인하여 상당량의 셀레늄이 손실되었고, 버섯체내 축적된 셀레늄은 대사과정에 의해 공기 중으로 휘발되는 것으로 나타나 상기의 폐배지를 가축에 사용 시 고려하여야 할 사항이다.
태양전지 분야에서 최근 크게 주목받고 있는 염료감응형 태양전지(DSC)의 효율 및 대면적화에 대한 연구는 지속적으로 이루어지고 있다. 그러나 염료감응형 태양전지의 대면적화로 인한 셀 내부의 전자 흐름에 관한 셀 특성의 고찰은 이루어지고 있지 않다. 따라서 본 연구에서는 염료감응형 태양전지의 대면적화에 앞서 염료감응형 태양전지의 대면적화에 따른 셀 특성을 알아보았다. 본 실험에서는 대면적화의 하나의 변수로서 셀의 가로 폭을 선택하였고, 가로 폭의 변화에 따른 각 샘플 셀의 전기특성을 확인하였다. 그 결과 셀의 폭이 증가할수록 표면저항이 커져 염료에서 발생된 광전자가 표면저항으로 인해 포집이 잘 이루어지지 않게 되어 전자의 흐름이 원활하지 않게 됨을 알 수 있었다. 궁극적으로 셀의 대면적화는 표면저항의 증가로 이어져 셀 특성에 나쁜 영향을 미치게 됨을 확인 할 수 있었다.
차세대 무선통신에서는 높은 데이터 전송률을 필요로 하여 높은 밀도의 주파수 재사용을 요구하게 된다. 따라서 셀 간 간섭을 효율적으로 줄이는 방법을 필요로 하게 된다. 기존의 정적인 간섭 조정 기법들은 셀 가장자리 성능을 향상시키기 위해서 네트워크 전체의 성능을 희생한다는 단점이 존재한다. 한편, 높은 전송률을 필요로 하며, 동시에, 높은 신뢰도의 통신을 위해서 중계단말기를 사용한 OFDMA 중계 네트워크에 대한 관심이 높아지고 있다. 따라서, 본 논문에서는 다중 셀 환경의 OFDMA 중계 네트워크에서의 셀 간 간섭을 적응적으로 조정하는 기법을 제안한다. 제안된 기법에서는 셀 간 간섭을 줄여서 셀 가장자리 성능을 향상시킴과 동시에 네트워크 전체 성능 또한 향상시키는 것을 목적으로 한다. 모의실험을 통해, 제안된 알고리즘이 정적 셀 간 간섭조정 기법들 보다 셀 가장자리 성능과 네트워크 전체 성능이 우수함을 확인한다.
최근 다양한 형태의 스마트 기기 출현과 대중적 보급으로 고속 데이터 전송에 대한 수요가 나날이 증가하고 있어 소형셀 기술에 대한 이동통신 사업자들의 관심이 높다. 이에 데이터 요구량이 많은 위치에 소형 셀을 다층으로 밀집 배치하고 매크로 기지국 및 소형 셀 기지국의 밀접한 협력을 통해 무선 네트워크의 용량을 증가시키기 위한 기술들에 대한 요구가 높아지고 있다. 매크로 셀과 소형 셀이 다층으로 배치된 구조에서 고려해 볼 수 있는 요소기술들은 단말의 다중 노드 연결, 효율적인 이동성 보장, 효율적인 셀/이동단말 발견, 이종 듀플렉스캐리어 집성, 셀 간 간섭 관리 등이며, 본 논문에서는 이들을 기반으로 최근 3GPP에서 활발히 논의되고 있는 LTE 소형셀 향상 표준화 동향에 대해 기술한다.
그리드 기반 공간 분할 방식에서 셀 크기는 성능을 좌우하는 핵심 요소이다. 본 논문에서는 각 셀에서 충돌 검사가 일어나는 빈도에 따라 동적으로 셀의 크기를 제어하는 방식을 제안한다. 각 셀의 충돌 검사 빈도와 인접한 셀과 병합했을 때의 충돌 검사 빈도를 비교하여, 이 차이가 임의의 값보다 작을 때 셀들을 병합하여 하나의 큰 셀로 만든다. 단, 병합할 셀이 여러 개일 경우 충돌 검사 빈도가 작은 셀부터 차례로 병합한다. 이 방식을 통하여 셀의 수 및 업데이트 비용을 줄일 수 있으며 이는 공간상의 객체가 규칙적인 움직임을 보일 때 가장 효율적임을 확인했다.
기본적으로 무선 네트워크는 일정한 크기의 셀 단위로 구성된다. 통신 중인 단말은 이러한 셀 사이를 이동하게 되고, 셀과 셀 사이를 이동하는 것을 핸드오프라고 한다. 최근의 셀 크기는 보다 많은 사용자를 수용하기 위해 피코 셀 단위로까지 작아지고 있다. 이렇게 셀 단위가 작아지면, 더욱 빈번한 핸드오프가 일어나게 된다. 본 논문에서는 빈번한 핸드오프로 인한 연결 실패율을 줄이고자 지리적 정보를 토대로 이동성을 예측하고, 그 예측 결과를 사용하여 이동 단말의 속도에 따라 대역폭 예약을 다르게 하는 방식을 제안한다. 이 방식은 이동 단말의 속도와, 셀 내의 도로 사정, 도로 사정에 따른 다음 셀 이동 확률 등을 이용하여 대역의 예약범위와 예약 대역폭 량을 결정한다. 이러한 방법으로 좀 더 확실한 이동성 예측과 예약 대역폭 미사용에 따른 대역폭 낭비를 줄이는 효과를 볼 수 있었다.
본 논문에서는 유한 크기의 출력 버퍼를 가진 ATM 스위치에서 셀 지연 요구와 셀 손실 요구를 고려한 2-레벨 임계치를 갖는 우선순위 제어 방식을 제안하였다. 본 논문에서 제안한 우선 순위 제어 방식은 유한크기를 가진 하나의 버퍼에서 두개의 임계치를 두어 손실에 민감한 셀에 대해서는 셀손실률을 개선하고, 지연에 민감한 셀에 대해서는 셀 지연 시간을 개선하는 방법이다. 본 방식에서는 우선순위 제어 방식을 이론적으로 구하고 수치해석을 통해 셀손실률과 평균셀지연을 구하였다. 셀의 서비스 품질 특성에 따라 두개의 임계치를 적절히 조절함으로써 셀손실률 또는 평균셀지연의 개설효과를 얻을 수 있음을 확실히 알 수 있다.
트래킹(Tracking)은 셀의 관점에서 트래킹 영역내의 UE(User Equipment)를 탐색하는 과정이다. 이 논문에서는, 매크로셀-마이크로셀 계층적 LTE 네트워크에 관한 PMMT(Pure Macro-Micro Tracking)과 IMMT(Integrated Macro-Micro Tracking)로 불리는 두가지 트래킹 기법의 성능을 평가한다. 이런 네트워크에서 UE들은 매크로셀과 겹쳐 있는 마이크로셀 모두에서 신호를 받을 수 있다. PMMT 기법에서 UE는 매크로셀-계층 또는 겹쳐있는 마이크로셀-계층에서 각각 호출될 수 있다. IMMT 기법에서 UE는 매크로셀-계층과 겹쳐있는 마이크로셀-계층의 조합으로 호출된다. 매크로셀-계층과 마이크로셀-계층 사이에 최적의 로드밸런스가 평가되었고, 분석 모델은 두 기법을 평가하기 위해 개발되었다.
모바일 전자기기 시장의 큰 증가세로 인해 플래시 메모리 소자에 대한 수요가 급격히 증가하고 있다. 특히, 저 전력 및 고집적 대용량 플래시 메모리의 필요성이 커짐에 따라 플래시 메모리 소자의 비례축소에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만 10 nm 이하의 게이트 크기를 가지는 플래시 메모리 소자에서 각 셀 간의 간섭에 의한 성능저하가 심각한 문제가 되고 있다. 본 연구에서는 10 nm 이하의 낸드 플래시 메모리 소자에서 인접한 셀 간의 간섭으로 인해 발생하는 전기적 특성의 성능 저하를 관찰하고 메커니즘을 분석하였다. 4개의 소자가 배열된 낸드플래시 메모리의 전기적 특성을 3차원 TCAD 시뮬레이션을 툴을 이용하여 계산하였다. 인접 셀의 프로그램 상태에 따른 측정 셀의 읽기 동작과 쓰기 동작시의 전류-전압 특성을 게이트 크기가 10 nm 부터 30 nm까지 비교하여 동작 메커니즘을 분석하였다. 게이트의 크기가 감소함에 따라 플로팅 게이트에 주입되는 전하의 양은 감소하는데 반해 프로그램 전후의 문턱전압 차는 커진다. 플래시 메모리의 게이트 크기가 줄어듦에 따라 플로팅 게이트의 공핍영역이 차지하는 비율이 커지면서 프로그램 동작 시 주입되는 전하의 양이 급격히 줄어든다. 게이트의 크기가 작아짐에 따라 인접 셀 과의 거리가 좁아지게 되고 이에 따라 프로그램 된 셀의 플로팅 게이트의 전하가 측정 셀의 플로팅 게이트의 공핍영역을 증가시켜 프로그램 특성을 나쁘게 한다. 이 연구 결과는 10 nm 이하의 낸드 플래시 메모리 소자에서 인접한 셀 간의 간섭으로 인해 발생하는 전기적 특성의 성능 저하와 동작 메커니즘을 이해하고 인접 셀의 간섭을 최소로 하는 소자 제작에 많은 도움이 될 것이다.
일반적으로 Lohmann형 이진 홀로그램에서 홀로그램의 진폭과 위상을 표현할 때 사각 셀이 이용된다. 본 논문에서는 기존의 사각 셀 대신에 원형 셀을 이용하여 진폭과 위상을 표현하는 방법을 시도하였으며, 기존의 사각 셀과 본 논문에서 사용한 원형 셀을 이용하여 구현된 컴퓨터 형성 홀로그램(CCH)의 특성을 비교하기 위하여 컴퓨터 실험과 광학적 실험 데이터를 토대로 재생된 결과를 비교 분석하였다. 실험 결과 원형 셀을 여러 픽셀로 나눌 경우 보다 뚜렷한 재생상을 얻을 수 있었으며, 원형 셀이 사각 셀 보다 균일할 재생상을 얻는 측면에서는 다소 차이가 있었으나 재생시에 원형 셀이 사각 셀 보다 더욱 밝은 재생상을 얻을 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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