• Title/Summary/Keyword: 세정수

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Effect of Washing Methods and Surface Sterilization on Quality of Fresh-cut Chicory (Clchorium intybus L. var. foliosum) (세정 및 표면살균에 따른 신선편이 치커리 제품의 품질 특성 변화)

  • Kwon, Ju-Yeon;Kim, Byeong-Sam;Kim, Gun-Hee
    • Korean Journal of Food Science and Technology
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    • v.38 no.1
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    • pp.28-34
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    • 2006
  • Effects of various surface sterilization and washing methods on sterilization of fresh chicory surface were evaluated. Fresh-cut chicory was washed with tap water for 1 min, 100 ppm chlorinated water, and 3 ppm ozonated water using mechanical washing machine for 3 min, packed with bi-axially oriented polypropylene (OPP 0.04 mm) film, and stored for 3 weeks at 4 and $10^{\circ}C$. Tap water washing resulted in approximately 1 log CFU/g reduction of microbial load, and ozonated water and chlorinated water treatments resulted in additional 2 log CFU/g reduction.

Characteristics of Semi-Aqueous Cleaning Solution with Carboxylic Acid for the Removal of Copper Oxides Residues (산화구리 잔유물 제거를 위한 카르복시산 함유 반수계 용액의 세정특성)

  • Ko, Cheonkwang;Lee, Won Gyu
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.54 no.4
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    • pp.548-554
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    • 2016
  • In this study, semi-aqueous solutions containing carboxylic acids such as oxalic acid (OA), lactic acid (LA) and citric acid (CA) were formulated for the removal of copper etching residues produced at the interconnection process, and their characteristics were analyzed. Carboxylic acids in the solutions were apt to form various copper complexes according to the value of pH. Semi-aqueous solution containing 10 wt% CA showed the lowest etching rate of copper in the range from pH2 to pH7 and the highest selectivity in the range of pH 2 to pH 4. However, the cleaning solution containing 10 wt% LA revealed the superior selectivity at the range from pH 5 to pH 7. Appropriate selection of carboxylic acid should be required to improve the performance of cleaning solution. In the case of CA, the etching selectivity of copper oxide complex to copper was increased with the concentration of CA in the solution, when the solutions contain over 5 wt% CA, the copper interconnection layer has a metallic copper surface more than 88% in the area. The result shows that CA contained semi-aqueous solution has a relatively good cleaning ability.

A COMPARISON OF THE IRRIGATION SYSTEMS IN CALCIUM HYDROXIDE REMOVAL (근관세정 방법에 따른 수산화칼슘 제재의 제거 효율 비교)

  • Eun, Jae-Seung;Park, Se-Hee;Cho, Kyung-Mo;Kim, Jin-Woo
    • Restorative Dentistry and Endodontics
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    • v.34 no.6
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    • pp.508-514
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    • 2009
  • The purposes of this study were to compare the efficacy of irrigation systems by removing a calcium hydroxide $(Ca(OH)_2)$ paste from the apical third of the root canal and the effect of the patency file. Sixty single rooted human teeth were used in this study. The canals were instrumented by a crown-down manner with .04 taper ProFile to ISO #35. $Ca(OH)_2$ and distilled water were mixed and placed inside the root canals. The teeth were divided into 6 groups according to the root canal irrigation system and the use of patency file as follows: group 1 - conventional method: group 2 - $EndoActivator^{(R)}$: group 3 - $EndoVac^{(R)}$; group 4 - conventional method, patency: group 4 - $EndoActivator^{(R)}$, patency; group 6 - $EndoVac^{(R)}$, patency. All teeth were irrigated with sodium hypochlorite. After the root canal irrigation, the teeth were split in bucco-lingual aspect. Percentage of the root canal surface coverage with residual $Ca(OH)_2$ until 3 mm from working length was analyzed using Image Pro Plus ver. 4.0. Statistical analysis was performed using the One-way ANOVA, t-test and Scheffe's post-hoc test. Conventional groups had significantly more $Ca(OH)_2$ debris than $EndoActivator^{(R)}$, $EndoVac^{(R)}$ groups. There was no significant difference between $EndoActivator^{(R)}$ and $EndoVac^{(R)}$ groups. Groups with patency file showed more effective in removing $Ca(OH)_2$ paste than no patency groups. but. it was no significant difference. This study showed that $EndoActivator^{(R)}$ and $EndoVac^{(R)}$ systems were more effective in removing $Ca(OH)_2$ paste from the apical third of the root canal than conventional method.

Effect of pulse plasma for thermally hardened photoresist residue removal (플라즈마 충격 방법을 이용한 열경화된 Photoresist 잔여물(residue) 제거 연구)

  • Ko, Hoon;Kim, Soo-In;Choi, Soo-Jeong;Lee, Chang-Woo
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.132-133
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    • 2007
  • 반도체 소자의 제조 공정 기술이 발전하고 초고집적화가 됨에 따라 소자 선폭도 급속하게 감소하였다. 이로 인하여 기존의 식각 공정에서 식각 후 남은 잔여 Photoresist residue는 소자 생산에 큰 영향이 없었으나 현재 이러한 잔여물은 초고집적 소자에 치명적인 문제를 발생시킬 수 있다. 본 실험에서는 세정액 분자에 플라즈마 충격을 가하여 세정액을 활성화함으로써 기존의 세정액과의 세정능력을 비교 분석하였다.

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Characteristics of ITO with surface treatment by N2, O2, Ar Plasma and UV (질소, 산소, 아르곤 플라즈마와 자외선에 의하여 표면 처리한 ITO의 특성)

  • Bae, Gyeong-Tae;Jeong, Seon-Yeong;Gang, Seong-Ho;Kim, Hyeon-Gi;Kim, Byeong-Jin;Ju, Seong-Hu
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2018.06a
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    • pp.90-90
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    • 2018
  • 디스플레이는 다수의 가로 전극과 세로 전극으로 구성되고, 전극에 신호를 주어 동작하도록 하는 원리이다. 이 디스플레이에는 전기가 통하고 투명한 전극이 필수적으로 사용되고 있고, 대표적인 투명 전극으로 ITO (Indium Tin Oxide)가 있다. ITO 박막은 $In_2O_3$에 Sn을 첨가하여 $Sn^{4+}$ 이온이 $In^{3+}$ 이온을 치환하고 이 과정에서 잉여 전자가 전기전도에 기여하는 구조이다. ITO 박막은 표면 처리 방법에 따라 표면 상태가 크게 변화한다. 플라즈마를 이용한 표면 처리는 환경오염이 적으며 강도, 탄성률 등과 같은 재료의 기계적 특성을 변화시키지 않으면서 표면 특성만을 변화시킬 수 있는 방법으로 알려져 있다[1]. UV (Ultraviolet)를 조사한 표면처리는 ITO 표면의 탄소를 제거하고, 표면 쌍극자를 형성하며, 표면의 조성을 변화시킬 수 있으며, 페르미 에너지 준위를 이동시킬 수 있어 ITO의 일함수를 증가시킬 수 있다[2]. ITO에 대한 다양한 연구가 수행되었음에도 불구하고 보다 다양한 관점에서의 연구가 지속될 필요가 있다. 따라서 본 연구에서는 다양한 조건으로 표면 처리한 ITO 표면의 일함수, 면저항, 표면 형상, 평탄도, 접촉각 등에 대해 알아보고자 한다. 세정한 ITO, 세정 후 UV 처리한 ITO (UV 처리 시간 2분, 4분 6분, 8분), 세정 후 $N_2$, $O_2$, Ar의 공정 가스를 사용하여 Plasma 처리한 ITO로 표면 처리 조건을 변화하였다. 표면 처리한 ITO의 특성은 Kelvin Probe를 이용한 일함수, 물방울 형상의 각도를 측정한 접촉각, AFM (Atomic Force Microscope)을 이용한 평탄도, 가시광선 (380~780 nm) 파장에 대한 투과도와 면저항을 측정하였다. 접촉각은 세정한 ITO의 경우 $45.5^{\circ}$에서 세정 후 UV를 조사한 ITO의 경우 UV 8분 조사 시 $27.86^{\circ}$로 감소하였고, $N_2$, $O_2$, Ar 가스를 사용하여 Plasma 처리한 ITO는 모두 $10^{\circ}$ 미만을 나타내었다. 플라즈마 처리에 의하여 접촉각이 현저하게 개선되었다. ITO의 면저항은 표면 처리 조건에 따라 $9.620{\sim}9.903{\Omega}/{\square}$로 그 차이가 매우 적어 표면처리에 의하여 면저항의 변화는 없는 것으로 판단된다. 가시광선 영역에서의 투과도는 공정 조건에 따라 87.59 ~ 89.39%로 그 차이가 적어 표면처리에 의한 변화를 나타내지는 않은 것으로 판단된다. 표면 처리 조건에 따른 평탄도 $R_{rms}$는 세정한 ITO의 경우 4.501 nm로부터 UV 2, 4, 6, 8분 처리한 경우 2.797, 2.659, 2.538, 2.584 nm로 평탄도가 개선되었다. $N_2$, $O_2$, Ar 가스를 사용하여 플라즈마 처리한 ITO의 경우 평탄도 $R_{rms}$는 2.49, 4.715, 4.176 nm로 사용한 가스의 종류에 따라 다른 경향을 나타내었다. 표면 처리 조건에 따른 평탄도 Ra는 세정한 ITO의 경우 3.521 nm로부터 UV 2, 4, 6, 8분 처리한 경우 1.858, 1.967, 1.896, 1.942 nm를, $N_2$, $O_2$, Ar 가스를 사용하여 플라즈마 처리한 ITO의 경우는 1.744, 3.206, 3.251 nm로 평탄도 $R_{rms}$와 유사한 경향을 나타내었다.

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축류식 가이드 베인 구조 -반건식 세정기

  • 한국환경기술인연합회
    • Environmental engineer
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    • s.121
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    • pp.46-49
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    • 1996
  • 반건식 세정기는 기존습식처리 설비의 단점인 폐수 및 백연의 발생, 설비의 내구성 저하 등을 보완한 유해가스 처리설비로 탁월한 가스 및 중금속 제거효율, 백연 및 폐수의 발생이 전무하며, 반응생성물의 분리제거로 후단집진설비의 부하를 최대한 줄 일 수 있는 21세기 첨단 유해가스 제거기술의 결정체이다.

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A Study on Formulation of Surfactant-free Aqueous Cleaning agents and Evaluation of Their Physical Properties and Cleaning Ability (계면활성제 무첨가 세정제의 배합 및 물성/세정성 평가 연구)

  • Lee, Jae Ryoung;Yoon, Hee Keun;Lee, Min Jae;Bae, Jae Heum;Bae, Soo Jeong;Lee, Ho Yeoul;Kim, Jong Hee
    • Clean Technology
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    • v.19 no.3
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    • pp.219-225
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    • 2013
  • Environment-friendly and surfactant-free aqueous cleaning agents have been developed in order to solve various problems generated by surfactants in the aqueous cleaning agents. Aqueous surfactant-free cleaning agents, S-1 and S-2 have been formulated with water-soluble solvents such as propylene glycol and propylene glycol ether on their main components and with some additives. These solvents were chosen because of their good solubility in water and excellent solubility of fluxes which are major contaminants of printed circuit board in the electronic industry. Physical properties of the formulated and the imported cleaning agents were measured to predict their cleaning performance, and their cleaning abilities of flux and solder contaminants were evaluated under the various ultrasonic frequencies by a gravimetric method. The measurement results show that the physical properties of cleaning agent V are generally similar with those of formulated cleaning agents S-1 and S-2. Both the cleaning agent V and the formulated cleaning agents S-1 and S-2 showed similar trends that their pH decrease in the beginning and then increases later on with the increase of their dilution in water. It is considered that the wetting indices of the cleaning agents calculated with experimental values do not not have any influence on their cleaning ability. In ultrasonic cleaning tests under three ultrasonic frequencies of 28, 45, and 100 kHz, their best performances of cleaning solder and flux were obtained at 45 kHz and 28 kHz, respectively, and the cleaning performance of the formulated cleaning agents S-1 and S-2 was better than that of the cleaning agent V. However, in the case of the recommended diluted concentration of 25 wt% cleaning solution, the cleaning performance of the cleaner V for solder and flux was better in the initial stage of cleaning compared to the formulated cleaners. And it may be concluded that the formulated cleaning agents S-1 and S-2 can be applied to cleaning of solder and flux in the industry, based on the experimental results in this study.

특허기술평가활용사례-케이티엔씨(주)

  • Korea Invention Promotion Association
    • 발명특허
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    • v.30 no.8 s.350
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    • pp.48-51
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    • 2005
  • "하루 세 번, 3분씩"닦아야 건강한 치아를 가질 수 있다. 어릴 적부터 무수히 훈련을 받아온 이야기다. 음식문화가 다양해지고 건강을 우선시하는 현대인들에게 치아 세정이 당연한 관심사임은 물론, 고대로부터의 치아 세정에 관한 기록들은 쉽게 찾아볼 수 있다. 우선 지금의 치약과 같은 역할을 하는 것들에 대한 기록은 고대 이집트의 의학서인 파피루스에서도 찾아볼 수 있는데, 기원전 고대인들은 식물성 수지 등을 씹거나 재와 태운 달걀 또는 미세한 돌가루 등을 꿀과 같이 반죽해 치아를 닦았고, 중세에는 동물의 뼈나 조개껍질 가루 등을 꿀과 반죽해 사용했다는 기록이 남아있다.

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Development of Cleaning Agents for Solar Silicon Wafer (태양광 실리콘 웨이퍼 세정제 개발)

  • Bae, Soo-Jeong;Lee, Ho-Yeoul;Lee, Jong-Gi;Bae, Jae-Heum;Lee, Dong-Gi
    • Clean Technology
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    • v.18 no.1
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    • pp.43-50
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    • 2012
  • Cleaning procedure of solar silicon wafer, following ingot sawing process in solar cell production is studied. Types of solar silicon wafer can be divided into monocrystalline or multicrystalline, and slurry sawn wafer or diamond sawn wafer according to the ingot growing methods and the sawing methods, respectively. Wafer surface and contaminants can vary with these methods. The characterisitics of contaminants and wafer surface are investigated for each cleaning substrate, and appropriate cleaning agents are developed. Physical properties and cleaning ability of the cleaning agents are evaluated in order to verify the application in the industry. The wafers cleaned with the cleaning agents do not show any residual contaminants when analyzed by XPS and regular patterns are formed after texturization. Furthermore, the cleaning agents are applied in the production industry, which shows superior cleaning results compared to the existing cleaning agents.