• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.34 no.3
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• pp.233-240
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• 1997

The Ru-based thick film resistor(TFR) for sintering at 90$0^{\circ}C$ was synthesized to prepare the LCR net-work. These compositions of pyrochlore could be prepared by decreasing the amount of PbO and increasing alumina and silica contents of glass frit. In this study, the sheet resistances of the TFTs. which sint-ered at 90$0^{\circ}C$ after printing on alumina substrate, the sheet resistances of the TFRs on inductor and capa-citor substrate and the interphase between TFR and substrate were observed. And the changes of the sheet resistance were obtained with the contents of RuO2. In case of the TFR sintered at 90$0^{\circ}C$, the sheet resis-tances on alumina substrates were in the range of 103~106$\Omega$/$\square$, but the sheet resistances of TFR on in-ductor and capacitor substrate were not obtained.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.36 no.1
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• pp.21-29
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• 1999

The effects of density and pore size distribution of substrate in preparing SiC conversiton layer on graphite substrate were investigated. The chemical reaction for formation of SiC conversion layer was occurred at substrate surface or below surface through SiC gas infiltration. It was supposed that the pore size distribution required for the sufficient SiO gas infiltration and the continuous chemical reaction during conversion process was in the range of 1.0∼10.0$\mu\textrm{m}$. In the stress analysis of SiC layer with finite element method (FEM), the residual stress distribution due to thermal mismatch was shown. However, the compressive stress was measured in SiC layer by X-ray diffraction, it was presumed that the residual stress distribution of SiC layer was mainly influenced by the constraining effect of interlayer between SiC layer and graphite substrate, and the densification behaviro and the grain growth in SiC conversion layer.

• Ceramist
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• v.15 no.5
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• pp.7-13
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• 2012

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1997.10a
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• pp.21-21
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• 1997

• ETRI Journal
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• v.6 no.4
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• pp.55-58
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• 1984

세라믹 재료의 기판에의 응용을 위한 열 전도도의 특성이 여러가지 영향하에서 고찰되어졌다. 실온에서의 열 전도도는 주로 phonon에 의해 결정되며 phonon conductivity를 한정하는 몇 가지 요소의 제어를 통하여 열 전도도의 향상을 기대할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.111-111
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• 2010

최근 전자 소자의 집적기술은 기존의 2차원에서 System on package (SOP) 개념에 기반을 둔 3차원 집적 기술로 발전 되어가고 있다. 소자의 3차원 실장을 실현시키는 과정에서 세라믹의 여러 유용성이 언급되어져 왔지만, 취성이 매우 크다는 등의 단점이 있었다. 이러한 이유로 연성을 가지는 폴리머와 세라믹을 합성한 복합체 기판에 대하여 많은 연구가 되고 있다. 그러나 세라믹 제작을 위해서는 높은 공정온도가 요구되고 있고 이러한 높은 공정상에서의 온도는 3차원 실장에 있어서 문제점이 되고 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여 상온에서 치밀한 세라믹 후막을 제작할 수 있는 공정인 Aerosol Deposition Method (ADM)방법으로 세라믹-폴리머 후막의 제조를 시도하였다. 일반적으로 ADM은 수백 나노의 출발 파우더를 사용하여 치밀한 세라믹 막을 형성하는데 사용된다. 본 연구에서는 ADM으로 100 nm미만의 나노 세라믹 파우더를 사용하여 다공성의 세라믹 후막을 제조한 후 resin을 함침시키는 방법으로 세라믹-폴리머 후막의 제조를 시도하였다. 그 결과 운송가스, aerosol 농도 등의 공정조건을 변화시켜 다공성의 $Al_2O_3$ 후막을 제조하였고, 이 다공성 후막은 반투명의 특성을 보이며 고충전율로 형성되었다. 이렇게 제조된 나노 다공성 $Al_2O_3$ 후막에 cyanate ester resin을 함침시키는 방법을 사용하여 $Al_2O_3$-cyanate ester 복합체 후막을 제조하였으며, 이의 비유전율 및 품질계수는 각각 1 MHz에서 6.7, 1000으로 우수한 유전특성을 보임이 확인되었다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.21.2-21.2
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• 2011

에어로졸 데포지션(Aerosol deposition) 기술은 상온에서 초음속 유동을 통해 분사된 미세 입자가 기판에 충돌하면서 강력한 결합을 형성하는 방식으로 코팅이 이루어진다. 이 방법은 별도의 소결과정 없이 상온에서도 조밀하고 균일한 박막을 형성할 수 있다. 또한 세라믹, 금속 재질의 다양한 입자를 사용할 수 있을 뿐만 아니라 금속, 유리 기판등에 적용이 가능하다. 본 논문은 이러한 에어로졸 데포지션 기술을 이용하여 광촉매 효과가 뛰어난 $TiO_2$ 입자를 대면적 코팅에 적용가능한 초음속 노즐을 통해 분사하여 ITO기판 위에 박막을 형성하였다. $TiO_2$ 입자의 크기, 기판의 이송 속도와 왕복횟수, 공급 유량 등이 코팅면의 특성과 조성 등에 미치는 영향을 분석하였다. $TiO_2$ 박막층의 형상과 두께는 주사전자현미경(SEM)을 통해 확인하였고, X-ray diffraction (XRD)를 이용하여 코팅 입자와 박막 층의 조성을 각각 확인하였다. 에어로졸 데포지션을 이용한 $TiO_2$ 코팅층은 염료감응형 태양전지(DSSC), 자정작용(self-cleaning), 살균작용(antibacterial effect) 등의 적용분야에 적용 가능할 것으로 판단된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.97-98
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• 2007

DC magnetron sputtering법을 이용하여 다양한 $Al_2O_3:$ 함량비( 1, 2, 3 wt%)를 가진 고밀도 세라믹 타겟을 사용하여 기판온도 $RT{\sim}300^{\circ}C$에서 AZO박막을 제작하였다. $Al_2O_3:$함량 및 기판온도의 증가에 따라 AZO박막의 결정성은 향상됨을 확인할 수 있었다. 결과적으로 기판온도 $300^{\circ}C$에서 $Al_2O_3:$ 3 wt%를 함유한 AZO 타겟을 사용하여 증착한 AZO박막은 가시광 영역에서 85%이상의 높은 투과율과 $7.8{\times}10^{-4}{\Omega}cm$의 비저항 값을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2003.05a
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• pp.29-33
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• 2003

최근 이동 정보통신 분야의 발전에 따라 단말기 및 관련 부품들을 소형 경량화 하는 것이 매우 중요한 기술요소로 부각되고 있다. 이를 위해서는 기판의 배선밀도를 높이는 것과 개별 부품 또는 모듈의 크기와 무게를 줄이는 것이 절실히 필요하며, 이러한 요구에 부응하기 위해 기존의 다층 PCB 기술이나 MCM 기술에 비해 우수한 배선밀도와 양호한 전기적 특성을 갖는 저온 동시소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic) 기술이 개발, 적용되고 있다. 본 논문에서는 이러한 LTCC 기판의 소결에 있어 기존의 소결 공정인 전기로 소결 공정과 microwave를 이용한 소결 공정을 이용하여 소결 하였을 때, LTCC 기판의 수축율과 무게감소, 그에 따른 밀도변화, SEM 을 이용한 표면형상 분석을 통해 급속가열을 통한 공정시간의 단축, 낮은 에너지 소비로 인한 제조단가의 절감, 균일한 가열로 인한 소결온도의 저하 등의 장점을 갖는 microwave sintering 을 적용할 수 있는 가능성을 제시하였다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2003.07a
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• pp.362-365
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• 2003

본 논문에서는 세라믹 테잎의 적층 공정을 이용하는 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics) 공정을 이용하여 FBAR duplexer 의 패키징을 위한 다층기판을 구현하였다. 구현된 다층기판에는 stripline 구조의 전송선로를 이용한 인덕터 및 위상 천이기를 내장 시키게 되는데, 인덕터의 경우 길이 변수를 통한 인덕턴스의 변화 추이를, 위상 천이기의 경우 선 폭 변수를 통한 특성 임피던스의 변화 추이를 통해 각 개별 소자에 대한 설계·제작·측정을 하였고 추출한 데이터를 실제 회로 설계 시 적용하였다.