• Title/Summary/Keyword: 성장 메카니즘

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Analysis of the Void Growth Mechanism in Partial Frame Process (PFP성형공정의 기포성장 메카니즘에 관한 연구)

  • 안경현
    • The Korean Journal of Rheology
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    • v.9 no.2
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    • pp.60-65
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    • 1997
  • PFP성형기술은 사출성형시 수지를 금형내에 환전히 채운후 저압의 공기를 이용하여 기포를 발생시켜 수지의 체적수축분을 기포의 성장에 의해 보상해주는 기술이다. 이방법은 일반 사출성형에서 많이 발생하는 싱크마크나 휨과 같은 변형문제를 해결하여 줄수 있으며 높은 압력을 필요로하지 않는다는 잇점을 가지고 있으나 이러한 최신공정에 대한 체계적인 연구는 미흡한 실정이다. 최근에 제시된 PFP성형공정의 모델링은 기포의 성장이 수지의 체 적수축에 의한 것이라는 가정을 근거로 기포핵이 생성된 이후의 기포성장을 모사하였으며 모델링에 해석결과는 몇가지 가정에도 불구하고 실험결과를 잘 설명하였다. 본 연구에서는 모델링이 가지는 문제점을 분석하고 기포성장의 메카니즘을 보다 체계적으로 이해하기 위하 여 실험적인 방법을 적용하였다. 많은 인자들을 효과적으로 고려하기 위하여 실험계획법을 적용하였으며 이를통하여 기포핵의 생성과 기포의 성장에 공기압 등이 매우 중요한 역할을 한다는 사실을 확인하였다. 이러한 결과는 모델링과 함께 PFP공정에 대한 체계적인 이해 뿐만 아니라 금형설계 및 성형조건의 설정등의 실제적인 문제해결에도 도움이 될것으로 기 대된다.

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Crystallization Kinetics of NTO in a Batch Cooling Crystallizer (회분식 냉각 결정화기에서 NTO의 결정화 메카니즘)

  • Kim, K.J.;Kim, M.J.;Yeom, C.K.;Lee, J.M.;Choi, H.S.;Kim, H.S.;Park, B.S.
    • Applied Chemistry for Engineering
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    • v.9 no.7
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    • pp.974-978
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    • 1998
  • The kinetics of crystal growth and nucleation in dependence on the supersaturation of an aqueous solution of 3-nitro-1,2,4-triazol-5-one(NTO) were evaluated on the draft tube-baffle(DTB) crystallizer operated batchwise. The crystal growth rate is proportional to the supersaturation to the 2.9 power, and the nucleation rate to the 4.2 power. The uncleation behavior for NTO-water system in DTB crystallizer was grasped according to Mersmann's criteria. The nucleation in this crystallizer was found to act with heterogeneous nucleation and surface uncleation simultaneously. Simplified relation was derived for calculation of mean crystal size of product crystals from the batch cooling crystallizer. The obtained relation was verified by a set of experiments.

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Bi(Pb)SrCaCuO superconductor fabricated by interdiffusion of SrCaCuO and BiPbCuO double layers (SrCaCuO와 BiPbCuO 이중층의 상호확산에 의해 제조된 Bi(Pb)SrCaCuO 초전도체)

  • 최효상;이중근;정동철;한병성
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.9 no.7
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    • pp.680-689
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    • 1996
  • SrCaCuO와 BiPbCuO 화합물로 이루어진 이중층시료가 만들어 졌으며, 소결과정에서 나타나는 확산과 입자간의 상호작용으로 108K의 임계온도를 나타내었다. 이 시료는 820.deg. C에서 0-210 시간동안 소결되었다. 초전도체의 생성, 성장메카니즘과 임계온도의 관계가 연구되었으며, 최적조건은 820.deg. C에서 210시간 소결하고 SrCaCuO와 BiPbCuO의 도포비가 1:0.6인 시편에서 나타났다. 또한 이중층시료에서 가장 좋은 조성비는 S $r_{2}$C $a_{2}$C $u_{2}$ $O_{x}$와 B $i_{1.9}$P $b_{0.5}$C $u_{3}$ $O_{y}$ 이었다.다.

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Theoretical Studies on the Cationic Polymerization Mechanism of Oxetanes(II) ($BF_3$촉매하의 옥세탄 공중합에 관한 분자 궤도론적 연구)

  • Park, Jeong Hwan;Cho, Sung Dong;Park, Seong Kyu;Cheun, Young Gu
    • Journal of the Korean Chemical Society
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    • v.40 no.1
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    • pp.11-19
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    • 1996
  • The cationic polymerization of energetic substituted oxetanes which have pendant energetic group such as azido and nitrato are investigated theoretically, using semiempirical HF/3-21G, MINDO/3, MNDO and AM1 method. The stereo- and electronic structure of binary molecular complex composed of energetic substituted oxetane and boron trifluoride can be explain by molecular orbital theory. The reactivity of propagation in the copolymerization of oxetanes can be presented by the positive charge on carbon(C2) atom of oxetane and energy level of the lowest unoccupied molecular orbital(LUMO) of propagating species of oxetanes. The reactivity ratios for copolymerization of oxetanes are a random copolymer-zation which is agree with MO calculated and experimental results. The relative equlibrium concentration of cyclic oxonium and open carbenium ions is found to be a major determinant of mechanism, owing to the rapid equilibrium of these cation forms and the expectation based on calculation that in the prepolymer propagation step, SN1 mechanism will be at least as fast as that for SN2 mechanism.

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Selective Area Epitaxy of GaAs and InGaAs by Ultrahigh Vacuum Chemical vapor Deposition(UHVCVD) (Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition (UHVCVD)법에 의한 GaAs와 InGaAs 박막의 선택 에피택시)

  • 김성복
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.4 no.3
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    • pp.275-282
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    • 1995
  • III족 원료 가스로 triethylgallium(TEGa)과 trimethylindium(TMIn)을 사용하고 V족 원료 가스로 사전 열 분해하지 않은 arsine(AsH3)과 monoethylarsine(MEAs)을 사용하여 ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD)법으로 Si3N4로 패턴된 GaAs(100)기판 위에 GaAs와 InGaAsqkr막을 선택적으로 에피택시 성장을 하였다. V족 원료 가스를 사전 열 분해하지 않으므로 넓은 성장 온도 구간과 V/lll 비율에서도 선택적으로 박막이 성장되었다. 또한 선택 에피택시의 성장 메카니즘을 규명하기 위하여 다양한 filling factor(전체면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에 면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에 입사된 분자 상태의 원료 기체가 탈착된 후 표면 이동이나 가스 상태의 확산과정 없이 마스크로부터 제거되므로 패턴의 크기와 모양에 따른 성장 속도의 변화나 조성의 변화가 없을 뿐만 아니라 chemical beam epitaxy(CBE)/metalorganic molecular beam epitaxy(MOMBE)법에서 알려진 한계 성장온도 이하에서 선택 에피택시 성장이 이루어졌다.

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Growth mechanism of oxide barriers on plasma and ion-beam treated polymer substrates

  • Yun, Jeong-Heum;Lee, Seong-Hun;Jeong, Yu-Jeong;Lee, Geon-Hwan
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2009.10a
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    • pp.126-126
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    • 2009
  • 알루미나와 실리카로 대표되는 투명 산화물 박막은 폴리머 기판상의 투습 방지막으로 응용되고 있으며, 플라즈마와 이온빔을 이용한 폴리머 기판 전처리를 통해 산화물 박막의 투습 특성을 향상시켰다. 기상 증착된 산화물 박막의 성장 거동에 대한 전처리 후 폴리머 기판의 wettability와 morphology의 효과를 확인하였으며, 그 폴리머 기판상에 증착되는 산화물 박막의 성장 메카니즘을 제안하였다.

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농촌중심지의 경제기반 : 청원군의 사례연구

  • 김학훈
    • Proceedings of the KGS Conference
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    • 2003.11a
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    • pp.196-201
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    • 2003
  • 농촌 지역의 중심지는 일반적인 도시와 마찬가지로 주변 지역의 주민들을 위한 서비스 기능을 수행한다. 이러한 중심지의 기능과 배열 원리를 설명하는 중심지 이론은 중심지의 계층 구조를 밝히고, 계층에 따른 서비스 기능의 종류와 규모를 결정하며, 나아가 배후지와 시장권의 크기를 추정하는 데 많은 기여를 했다. 그러나 중심지와 외부 지역(또는 배후지)과의 교역에 의한 경제 성장과 전체적인 경제구조적 메카니즘을 설명하기 위해서는 경제기반이론이 더욱 유효하다. (중략)

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