• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.363-364
• /
• 2012

기존 양자점에 대한 연구는 레이저 다이오드와 광증폭기등과 같은 광소자의 활성층에 사용되던 양자우물을 대체하기 위하여 고밀도, 고균일 양자점 성장에 관한 연구가 활발히 진행되었지만, 최근에는 양자점을 이용한 Single-photon source의 관심이 높아짐에 따라 저밀도 양자점 성장에 관한 연구가 주목 받고 있다. 본 연구에서는 수직형 저압 Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)를 이용하여 InP 기판 위에 저밀도 InAs 양자점을 성장하였다. 저밀도의 양자점을 성장하기 위하여 양자점과 덮개 층($1.1 {\mu}m$ InGaAsP)사이에 V족 원료 가스인 As만 공급하는 성장 중단 시간 (GI:Growth interruption)을 삽입하였다. 시료의 구조는 InP (100)기판위에 50 nm InGaAsP barrier, 1.5ML GaAs를 성장 후 InAs 1.9 ML를 성장하였다. 그 후 0, 1, 2, 5 분의 GI을 삽입한 후 InGaAsP 와 InP 덮개층을 성장하였다. 양자점의 밀도와 형상을 측정하기 위하여 Atomic force microscopy (AFM)을, 광학적 특성 분석을 위하여 저온 Micro Photoluminescence (${\mu}$-PL)을 측정하였다. 성장 중단 시간의 증가에 따라 InAs/InP 양자점의 높이와 넓이는 증가하고 밀도는 감소하였다. 성장 중단 시간 3분 이후에는 밀도 감소가 둔화 되었으며, 5분일 때 $3.2{\times}10^7/cm^2$의 극저밀도 InAs/InP 양자점이 성장되었다. 또한 저밀도 양자점 시료의 저온 ${\mu}$-PL을 측정하여 단일 양자점의 exciton과 bi-exciton peak가 측정되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.332-332
• /
• 2012

분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy)를 이용하여 GaAs 기판에 성장한 InAs 양자점(QDs: quantum dots)은 성장 온도, 압력, As/In의 공급비 등의 성장 조건에 따라 다른 변수(parameter)를 갖는다. 따라서 성장변수에 따라 양자점의 모양과 크기, 밀도가 달라져 균일한 양자점 형성에 어려움이 있어 많은 연구가 진행되고 있다. 예를 들면 In-interruption 법으로 성장한 양자점의 특성이 S-K mode (Stranski-Krastanov mode)로 성장한 양자점에 비해 광학적 특성이 향상되었다. 본 연구에서는 In pre-deposition (IPD) 법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 광학적 특성을 PL(photoluminescence)와 TRPL (time-resolved PL)을 이용하여 분석하였다. InAs QDs 시료들은 In과 As 공급시간을 각각 1초와 19초 (QD1), 2초와 18초 (QD2), 3초와 17초 (QD3)로 조절하여 성장하였으며, In이 공급되는 시간 동안 As shutter를 차단하여 As 공급을 중단하였다. In과 As의 차단 없이 S-K mode로 성장한 시료를 기준시료로 사용하였다 (QD0). AFM (atomic force microscope) 측정결과, In 공급시간이 1초에서 2초로 증가할 때, 양자점의 밀도와 종횡비(aspect ratio)가 증가하였고, 양자점의 균일도가 증가하였다. 그러나 QD3 시료는 QD1 시료에 비해 밀도와 종횡비, 균일도가 감소하였다. 10 K에서 PL 피크는 In 공급 시간이 증가할 때, 970 nm에서 1020 nm로 적색편이 하였고 반치폭 (FWHM: full width at half maximum)은 75 meV에서 85 meV로 증가하였다. QD2 시료의 PL 피크 에너지가 가장 낮았고, 가장 강한 PL 세기를 보였다. IPD 시간이 증가함에 따라 PL 피크에서 측정한 PL 소멸은 점차 빨라졌다. IPD 기법으로 성장한 양자점의 빠른 PL 소멸은 양자점 밀도와 종횡비 향상에 의한 파동함수 중첩의 증가와 구속 에너지 증가에 의한 것으로 설명된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.268-268
• /
• 2011

GaAs (001) 기판에 MBE를 이용하여 자발형성법으로 성장한 InAs 양자점(QDs: quantum dots)의 광학적 특성을 PL (photoluminescence)과 TRPL (time-resolved PL)을 이용하여 분석하였다. InAs 양자점 성장 동안 In 공급은 계속하면서 As 공급을 주기적으로 차단과 공급을 반복하면서 성장하였다. As 차단과 공급을 1초, 2초, 그리고 3초씩 하면서 InAs 양자점을 성장하였다. 기준시료는 In과 As 공급을 중단하지 않고 20초 동안 성장하였다. As interruption mode로 성장한 시료들의 QD density는 기준시료에 비해 증가하였으며, size distribution도 기준시료에 비해 향상되었다. 기준시료와 비교하였을 때, As interruption mode로 성장한 시료들의 PL 피크는 적색이동 (red-shift)를 보였으며, PL 세기는 2배 이상 증가하였다. PL 소멸곡선은 파장이 증가함에 따라 점차 느려지다가 PL 피크에서 가장 느린 소멸을 보인 후 다시 점차 빠르게 소멸하였다. 시료의 온도를 10 K에서 60 K까지 증가하였을 때 PL 피크 에너지는 변하지 않았으며, PL 소멸시간은 서서히 증가함을 보였다. 온도를 더 증가하였을 때 PL 피크 에너지는 적색이동 하였으며 PL 소멸시간도 빠르게 감소함을 보였다. As interruption mode로 성장한 양자점 시료의 구조적 특성 변화에 의한 광학적 특성 변화를 확인하였다.

• 한국정보처리학회논문지
• /
• 제5권9호
• /
• pp.2345-2352
• /
• 1998

최근에 개발되어 성공적으로 적용되고 있는 초기하분포 소프트웨어 신뢰성 성장 모델의 모수는 최우추정법으로 추정하기가 쉽지 않으므로주로 최소자승법으로 추정하고 있다. 본 논문에서는 먼저 기존의 최소자승법에서 사용된 최소화 기준을 비교한 다음, 새로 발견되는 결함수의 분산이 일정하지 않음을 고려한 가중최소자승법을 제안한다. 그리고 두 개의 실제 자료를 분석하여 가중최소자승법이 적합함을 보인다. 마지막으로 임의의 테스팅 시점에서 추가 시험에 의해 발견된 새로운 결함수를 예측하는 방법을 제안한다. 이 예측 방법은 테스팅을 중단하는 시점을 결정할 때 이용될 수 있을 것이다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
• /
• pp.107-108
• /
• 2007

박막형태의 소재는 일반적으로 광 전자 및 소재가 공 관련 산업에서 특수한 기능이 요구되는 부품 제조에 광범위하게 응용되고 있다. 이러한 박막 소재는 물성 면에서 벌크물질일 때의 물성과 매우 다를 수 있는 것으로알려져 있다. 박막에 스트레인이 존재하면 전자의 이동도나 밴드갭 에너지를 변화시켜 줄 수 있으며, 계면의 전위는 소자를 열화 시키는 역할을 하기도 한다. 이러한 이유로 박막 성장 시 실시간으로 스트레인을 관찰하고 이 결과를 실제 제조공정에 피드백 하여, 소자의 신뢰성을 확보하는 노력이 행해지고 있다. 구리박막의 실시간 응력거동은 F.Spaepen에 의해 보고된 초기 압축응력, 인장응력, 2차적으로 나타나는 점진성의 압축응력의 독특한 3단계 응력거동으로 나타나는 것으로 알려져 있으며, 본 실험에서는 박막증착도중 단시간 증착을 중단한 이후 재 증착을 하여 응력거동을 관찰함으로써 독특한 3단계 응력거동의 메커니즘을 알고자 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.103-103
• /
• 2000

강한 결정 방향 의존성과 낮은 항정계를 갖는 Bi4Ti3O12 강유전체 박막은 NDRO형 비휘발성 강유전체 메모리 분야에서 매우 유망한 재료이다. 이를 위해서는 실리콘 기판과의 계면조절과 실리콘 기판성에서 고품질의 강유전성 박막을 성장시키는 기술이 필수적이다. MOCVD에 의한 Bi4Ti3O12 의 증착에서는 Bi 성분의 강한 휘발 특성과 낮은 반응성으로 인하여 조성과 두께 등의 조절이 매우 어렵다. 따라서 화학기상증착의 기구를 이해하고 제어하는 기술이 양질의 박막을 얻는데 필수적이다. 본 연구에서는 유기금속 원료 TPB, TIP 과 산소를 이용하여 실리콘 기판위에 Bi4Ti3O12 강유전체 박막을 증착할 때, 증착 변수의 변화에 따른 박막의 증착 거동과 구조적, 전기적 특성을 연계하여 분석하였다. 특히 기판부착력이 낮고 휘발성이 강한 Bi의 특성으로 인한 문제를 개선하기 위하여 TIP원료를 주기적으로 공급, 중단을 반복하는 펄스주입법을 고안하여 그 효과를 살펴보았다. 실리콘 기판위에서 TiO2의 증착속도는 실험온도 영역에서 온도에 따라 변화하지 않는 전형적인 물질 전달에 의해 지배되는 양상을 나타내었다. 반면 Bi2O3 경우에는 50$0^{\circ}C$ 이상에서 급격하게 증착속도가 감소하는 특이한 경향을 나타내었으며 이는 Bi2O3의 높은 휘발성 때문일 것이다. Bi4Ti3O12 박막은 온도증가에 따라 증착속도가 증가한 후 $600^{\circ}C$ 이상에서 포화되는 경향을 보였다. 이로부터 실리콘 기판위에서의 Bi4Ti3O12 박막의 증착 모델을 제시하였다. Bi2O3에 비해 상대적으로 표면 부착력이 월등히 큰 TiO2가 우선적으로 실리콘 펴면에 형성된 후 TPB 유기금속 원료가 이 TiO2와 반응하는 과정으로 Bi4Ti3O12 박막이 증착된다. $600^{\circ}C$이상에서는 증착 변수들을 바꾸어도 물성이 변하지 않는 자기조절기능이 있음을 알 수 있었는데 이는 고온에서의 Bi2O3의 강한 휘발성 때문일 것이다. 실리콘 기판에서 층상 페로브스카이트 상은 58$0^{\circ}C$ 이상에서 형성되며, 매우 좁은 온도 변화에도 결정구조, 박막현상 및 성분이 크게 바뀌는 온도에 민감한 증착거동이 관찰되었다. 증착 모델에서 예견되는 Bi의 불리함을 개선하기 위해 펄스주입법을 실시한 경우 Bi의 성분량이 증가되었고 결정성이 향상되었다. 이로부터 펄스주입법이 박막내에 부족하기 쉬운 Bi를 보충하여 박막의 특성을 개선함을 확인하였다. Bi4Ti3O12 박막의 증착온도에 따른 누설전류 특성 측정 결과 증착온도가 감소할수록 누설전류가 감소함을 알 수 있었고 펄스주입법이 연속주입법보다 더 낮은 누설전류를 보임을 알았다. 펄스주입법의 경우 -2.5V 인가 시의 누설전류는 7.4$\times$10-8A/cm2에서 1.3$\times$10+7A/cm2의 매우 우수한 값을 가졌다. 연속 주입법에 의해 증착된 박막은 C-V 측정 결과 강유전성 이력이 나타나지 않았으나, $600^{\circ}C$ 이상에서 펄스주입법에 의해 증착된 박박은 강유전성 이력을 나타내었다.

• Clinical and Experimental Pediatrics
• /
• 제50권2호
• /
• pp.198-204
• /
• 2007

목 적: 성조숙증에서 관찰된 최근의 연구 결과를 보면 사춘기 발육이 빠른 당시에는 신장이 커보일 수 있으나 결국 최종성인신장은 감소하게 된다. 이에 사춘기를 중단시킴으로써 최종 성인신장을 증가시킬 수 있을 것이라는 기대로 성선자극호르몬 방출호르몬 효능약제를 사용하여 골성숙의 기간을 연장하고자 하였다. 또한 조기 사춘기로 인하여 최종성인신장의 예후가 불량한 소아에서 성선자극호르몬 방출호르몬 효능약제 및 성장호르몬의 병합요법 효과를 성선자극호르몬 방출호르몬 효능약제 단독 사용 시의 효과와 비교하여 각각의 성장 촉진 효과를 알아보고자 하였다. 방 법: 역연령에 비하여 골연령이 증가되어 있으며 조기 사춘기를 보이는 여아를 대상으로 GnRHa 및 성장호르몬을 단기간 투여하였다. 제 1군은 triptorelin을 단독으로 4주에 한 번씩 근육주사하였고, 제 2군은 성장호르몬을 병합하여 치료하였다. 치료 기간은 약 1년이었으며 치료 시작시와 치료 후의 두 군간의 역연령, 골연령, 역연령과 골연령의 차이, 예측성인신장, 표적키, 표적키와 예측성인신장과의 차이, 혈청 IGF-1 및 IGFBP-3치를 비교하였다. 결 과: 치료 시작시 두 군 간의 골연령, 표적키, 예측성인신장, 예측성인신장과 표적키의 차이는 없었으나 골연령과 역연령의 차이 및 역연령은 유의한 차이를 보였다. 혈청 IGF-1 및 IGFBP-3값의 차이는 없었고 평균 치료기간은 $1.06{\pm}0.93$년이었다. 치료 후의 골연령과 역연령의 차이는 전체적으로 감소하였으며 두 군간에도 유의한 차이를 보였다. 치료 후의 예측성인신장은 치료전과 비교했을 때 모두 증가하여 단기간의 치료에도 효과가 있었으며 두 군 모두 의미 있는 값을 가지나 특히 성장호르몬을 같이 사용한 2군에서 더욱 큰 차이를 보여 병합요법의 성장촉진효과를 알 수 있었다. 표적키와 예측성인신장의 차이는 전체적으로 치료전보다 의미 있는 감소를 보였으며 두 군을 비교했을때 역시 2군에서 더욱 의미 있게 감소하였다. 혈청 IGF-1과 IGFBP-3는 GnRHa 사용 후에 성장호르몬-IGF 축이 억제되어 1군에서 모두 감소하였으나 성장호르몬을 병합한 2군에서는 모두 증가하였고 이때 통계적인 의미는 없었다. 결 론: 조기 사춘기로 인하여 역연령에 비해 골연령이 증가함으로써 성인신장에 나쁜 영향을 끼치는 경우에는 단기간의 GnRHa의 사용으로 사춘기의 빠른 진행을 억제하고 골성숙의 기간을 연장시킴으로써 예측성인신장을 증가시킬 수 있다. 또한 성장호르몬 병합요법으로 예측성인신장이 표적키에 도달하는데 있어 GnRHa 만으로 성장호르몬-IGF 축이 억제된 경우보다 성장촉진 효과를 나타낸다. 그러나 이는 단기간 사용 시의 치료효과이므로 최종성인신장의 비교를 위해서는 향후 장기적인 추적관찰이 필요하다.

• 대한임상검사과학회지
• /
• 제55권4호
• /
• pp.298-305
• /
• 2023

버킷 림프종(Burkitt's lymphoma)은 B-세포에서 발생하는 비호지킨 림프종의 한 형태로, 빠른 성장과 면역계 장애와 관련된 특성으로 인해 약물이 투여되지 않으면 생존율이 감소하거나 나쁜 예후로 이어질 수 있다. Food and Drug Administration (FDA) 승인된 약물의 최적 활용, 안전한 약물을 병용하는 방법은 시간과 비용 절감을 가능하게 한다. 이 접근법은 새로운 치료법 개발을 하기 보다는 기존에 FDA 승인된 약물을 적응증이 다른 환자에게 빠르게 접근할 수 있는 가능성을 제공한다. 이 연구는 BTK를 표적으로 하는 이브루티닙(Ibrutinib)과 EGFR/HER2를 표적으로 하는 라파티닙(Lapatinib) 병용 치료 전략의 잠재력을 확인하였다. 버킷 림프종의 잘 알려진 Ramos 및 Daudi 세포주가 이 연구에 활용되어 이 병합 치료의 영향을 밝히는 역할을 하였다. 이브루티닙과 라파티닙의 병용치료가 단일 약물 대비 세포 증식을 상당히 억제하는 것을 보여주었다. 또한 병용 치료가 세포 사멸을 유도하고 S 및 G2/M 단계에서 세포주기 중단을 유발하는 것을 관찰하였다. 이 접근법은 약물 개발 일정을 간소화하는 데 그치지 않고 이미 존재하는 자원의 활용을 극대화하는 것을 의미한다.

• Clinical and Experimental Pediatrics
• /
• 제49권5호
• /
• pp.552-557
• /
• 2006

목 적 : 최근 성조숙증에서 사춘기를 중단시킴으로써 성인신장을 증가시킬 수 있으리라는 기대로 조기 사춘기로 인하여 신장에 대한 예후가 불량한 소아에서 성선자극호르몬 방출호르몬 효능약제의 시도가 이루어졌다. 이에 저자들은 조기 사춘기로 예측 성인신장이 저하된 여아에서 이 약제의 신장 증가효과를 분석하고자 하였다. 방 법 : 소아과 외래에 조기 사춘기와 예측성인신장이 저신장으로 예측되는 36명의 여아를 대상으로 GnRHa를 6개월 이상 사용한 제 1군과 6개월 미만 사용한 제 2군으로 나누어 치료 시작시와 치료 후의 역연령, 골연령, 신장 및 표준편차치, 예측성 인신장 및 표준편차치, 표적키 및 표준편차치, 혈청 IGF-1, IGFBP-3 치를 비교하였다. 결 과 : 1군의 평균 치료기간은 $1.37{\pm}0.92$년, 2군은 $0.41{\pm}0.08$년이었고, 전체적으로는 $0.89{\pm}0.81$년이었다. 치료 시작시 두군 간에 역연령, 골연령, 신장, 표적키, 예측성인신장, 혈청 IGF-1 및 IGFBP-3 치의 차이는 없었고, 마지막 추적시 두 군간에 역연령, 골연령, 신장, 예측성인신장, 혈청 IGF-1 및 IGFBP-3치의 차이도 없었다. 두 군 사이에 성장속도와 치료기간에 따른 예측성인신장의 증가분은 2군이 의미 있게 높았다. 이는 2군이 치료기간이 짧아 사춘기의 성장속도가 충분히 억제되지 않은 결과로 보인다. 치료 시작시에 비하여 마지막 추적시의 예측성인신장은 의미 있게 증가하여 단기간의 치료에도 어느 정도의 효과($3.7{\pm}3.2cm$)는 있었다. 전체 대상아에서 표적키($157.3{\pm}3.1cm$)와 치료 시작시 예측성인신장($148.5{\pm}5.8cm$) 사이에는 의미있는 차이가 있었으며, 마지막 추적시의 예측성인신장($152.2{\pm}5.9cm$) 사이에도 의미 있는 차이가 있었다. 검사 소견에서 혈청 IGF-1과 IGFBP-3는 치료 시작시에 비하여 마지막 추적시에는 의미 있게 감소하여 GnRHa의 사용으로 성장호르몬-IGF 축이 다소간 억제되는 것으로 보인다. 결 론 : 사춘기가 조기에 시작하여 골연령이 역연령에 비하여 증가되어 예측성인신장이 표적키에 못 미치는 경우에 단기간의 GnRHa의 사용으로 예측성인신장은 다소 증가하였으나 표적키에는 미치지 못함을 알 수 있었으며, 성장호르몬-IGF 축의 억제가 동반되는 점에서 GnRHa 치료시 예측성인신장이 표적키에 이르기 위해서는 성장호르몬의 동시 사용이 필요하겠다.

• Clinical and Experimental Pediatrics
• /
• 제52권12호
• /
• pp.1370-1376
• /
• 2009

목 적:성선자극호르몬 효능약제로 성조숙증을 치료하는 동안에 성선자극호르몬이 억제되고 성선 스테로이드가 감소되면 사춘기 발달동안의 골량에 좋지 않은 영향을 미칠 수가 있어, 성조숙증 혹은 조기 성성숙이 있는 여아에서 성선자극호르몬 효능약제 단독 혹은 성장호르몬과 같이 사용하여 치료하는 경우에 단기간 동안의 골밀도의 변화가 어떠한지를 알아보고자 하였다. 방 법:성장클리닉을 방문한 여아들 중 특발성 성조숙증 혹은 조기 성성숙을 보이며 역연령에 비하여 골연령이 증가되어 있는 여아 40명(역연령 $9.0{\pm}1.5$세, 골연령 $11.6{\pm}1.3$년)을 대상으로, 26명은 성선자극호르몬 효능약제 단독으로 치료하였고(Group I), 14명은 성장호르몬과 병합요법(Group II)으로 치료하였다. 치료 전후에 골연령과 골밀도를 구하고, 역연령과 골연령에 대한 골밀도를 비교하였다. 결 과:전체 환아에서 치료 전후에 역연령으로 비교한 골밀도는 정상범위에 있었으나, 골연령으로 비교해 보면 정상범위에 비하여 감소되어 있었다(P<0.05). 치료기간 동안의 골밀도의 표준편차점수는 역연령 기준으로는 변화가 없었으나, 골연령 기준으로는 의미 있는 증가를 보였다(P<0.05). 치료 전후에 성선자극호르몬 효능약제 단독 치료군의 골밀도 표준편차점수는 역연령 혹은 골연령 기준으로 변화가 없었으나, 성장호르몬 병합 치료군의 골밀도 표준편차점수는 역연령 기준에는 변화가 없었으나 골연령 기준으로는 의미 있는 증가를 보였다(P<0.05). 결 론:성선자극호르몬 방출호르몬 효능약제를 사용하는 동안 역연령에 따른 골밀도의 저하는 관찰되지 않았으나, 골연령에 따른 골밀도의 저하는 관찰되어, 투약 중단 후 성선 기능이 회복되면 골밀도의 정상화의 가능성에 대한 추적 관찰이 필요하겠다. 한편으로는 성장호르몬을 같이 치료한 경우에는 치료 경과 중 골밀도의 의미 있는 증가를 볼 수 있어 성선자극호르몬 효능약제를 사용할 때 고려해야 할 사항으로 보인다.