이 연구는 '80년대 이후 많은 변화를 보이고 있는 정보통신 산업분야의 추세를 거시적으로 분석하기 위하여 '80년 이후 발표된 산업연관표(1980년, 1983년, 1985년)를 이용해 정보통신 산업이 국민경제에서 차지하는 역할과 타산업에 미치는 효과를 실증적으로 검증하였다. 분석결과 우리나라의 산업구조는 매년 고도화 되고 있으며, 특히 1차산업이 줄어듬과 동시에 3차산업과 정보통신산업의 비중이 증가하는 선진국형의 산업구조로 변화되고 있다. 1985년 현재 정보통신산업이 차지하는 비중은 4.54%로서 산출액은 8조6,468억을 기록하고 있지만, 성장율로 보면 정보통신서비스업은 1983년 대비 34.83%, 정보기기산업은 40.43%로 전체성장율을 훨씬 앞지르는 성장을 보였다. 그리고 국내 생산활동에 의하여 창출된 부가가치도 대폭 증가하였는데 부가가치비율은 1985년 전산업 평균이 41.35%이지만 정보통신서비스업은 60.71%로서 다른 어느 산업보다도 고부가가치산업임을 보여주고 있으며, 우리나라의 산업구조개선과 정보화 사회로 옮겨가는데 커다란 견인차 역할을 하고 있음을 나타내 주고 있다.
필라멘트와 Si 기판 사이의 기전력을 20, 80, 140, 200V로 증가시키면서 EACVD에 의하여 성장된 다이아몬드 박막에 대하여 다이아몬드/Si 계면분석 및 계면강도를 측정하였다. 주사형전자현미경(SEM), 고분해능투과형전자현미경(HRTEM), 오제이전자분석기(AES)에 의해 계면상태를 분석한 결과, 기전력 증가에 따라 활성탄화수소 이온(CmHn-)에너지가 증가되어져 CmHn-이 Siso로 침투(Impringement)가 증가되고 침투된 높은 에너지의 CmHn-이 Si과 화학결합하여 생성되는 SiC층 깊이 및 농도 분포도 증가된다. 풀 시험(Pull test)에 의한 계면강도 측정 결과, SiC층 깊이 및 농도분포가 증가할수록 계면강도가 증가하였다. 관찰된 파면과 파면의 X-선 메핑 결과 및 HRTEM과 AES에 의한 분석 결과, 기전력 증가에 따라 공극율이 적고 치밀한 다이아몬드 박막이 성장된다. 그리고 생성되는 SiC층 농도 및 깊이 분포가 증가함에 따라 다이아몬드/Si 계면이 강화되고, 상대적으로 파괴는 다이아몬드/Si 계면이 아닌 SiC층이나 Si 내부에서 발생된다. 결국, 기전력을 증가하여 활성탄화수소이온의 에너지를 증가함으로써 계면강도가 우수하며 공극율이 매우 적고 치밀한 다이아몬드 박막을 성장할 수 있다.
생활하수, 공장폐수, 농경유출수에 의해 수생태계로 유입된 다양한 화학물질들은 수서곤충이나 어류와 같은 수생생물에게 나쁜 영향을 주곤 한다. 비스페놀A와 노닐페놀을 포함하는 많은 화학물질들이 내분비계 장애물질(EDCs)로 의심되고 있고, 그들은 환경속에서 서로 다른 혼합형태로 공존하기도 한다. 따라서 비스페놀A와 노닐페놀의 혼합물이 독성과 생식학적 반응에 미치는 영향을 살펴보기 위해 일본산 송사리의 수정란 치사율, 부화율 및 부화시간, 치어의 성장율 및 비텔로제닌 농도 등이 측정되었다. 수정된 지 24시간 이내의 수정란을 대조군, 양성대조군($17{\beta}-estradiol$), 그리고 서로 다른 농도의 비스페놀A와 노닐페놀의 혼합물에 부화 후 60일까지 유수식 조건하에 노출시켰다. 수정란${\sim}$치자어 단계에서는 대조군과 비교하여 실험군의 치사율 및 부화율, 부화시간에 차이가 나타나지 않았으며, 부화 후 60일간의 노출 후 성장(길이, 무게)에 있어서도 비록 양성대조군에서 낮은 성장상태를 보였지만 다른 혼합물의 실험군들과는 차이를 보이지 않았다. 한편 체내 비텔로제닌 농도는 혼합물의 농도증가에 따라 증가하였으며 수컷의 경우 최저농도의 혼합물(Treatment A)을 제외한 실험군에서 농도증가에 따라 증가하였다. 반면 양성대조군의 경우 수컷이 발견되지 않았고 암컷 체내의 비텔로제닌 농도는 최고농도의 혼합물(Treatment D) 실험군과 비슷한 경향을 보였다. 위 실험을 통해 각각의 내분비계 장애물질이 개별적으론 생식발달 및 비텔로제닌 유도에 무영향농도(NOEC)라 하더라도 혼합된 경우 영향이 나타날 수 있다는 것을 보여주었으며, 이는 수환경 내 다양한 화학물들의 혼합효과(combination effect)가 생태위해성평가를 좀더 면밀하게 하기 위해서 주의 깊게 고려되어야 한다고 제안한다.
동일연령군의 넙치 치어를 개체 크기별 4개의 group (small group, 체중 $1.3{\pm}0.23g;$ medium group, 체중 $3.1{\pm}0.45g;$ large group, 체중 $4.9{\pm}0.57g;$ ungraded group, 체중 $3.3{\pm}1.66g$)으로 나누어 8주동안 사육하면서 크기 선별이 어류의 성장, 사료효율 및 생존율에 미치는 영향을 조사하였다. 실험종료시 체중의 분포에 따른 소형 개체(체중 10 g)의 빈도는 크기 선별한 small group에 비해 ungraded group에서 매우 높게 나타났다. 실험 전기간동안의 일일성장률은 small group 및 large group에서 각각 최고치 및 최저치를 보였으며, medium group과 선별 group (small group; medium group; large group)의 pooled data는 ungraded group에 비해 높은 수치의 일일성장률을 나타내었다. (P<0.05). 사료섭취율은 ungraded group이 medium group 및 선별 group의 pooled data에 비해 높았던 반면, 사료효율에 있어서는 ungraded group이 이들에 비해 낮게 나타났다(P<0.05). 그리고 ungraded group의 생존율은 93.3%로 99.3% 이상으로 나타난 다른 실험구들에 비해 유의적으로 낮게 나타났다(P<0.05). 결론적으로 크기가 작은 넙치는 큰 넙치가 없는 곳에서 유의하게 빠른 성장과 높은 생존율을 나타내었다. 따라서 크기 선별은 넙치 치어(체중 1-5 g)의 성장과 생존율을 향상시키기 위해서 중요한 작업이 될 수 있다.
연안지역의 환경오염 및 양식용수의 이용과정에 파생될 수 있는 구리의 오염에 따른 넙치의 생존, 대사율, 사료효율 및 성장율에 미치는 구리의 영향을 검토하였다. 4개의 아치사구리 농도(50, 80, 180, 320 $\mu\textrm{g}$ L$^{-1}$)에서 6주동안 실험하였다. 실험기간 동안 넙치는 대조구에서는 실험종료시 까지 사망개체가 전혀 나타나지 않아 100%의 생존율을 나타내었다. 구리 노출농도 180 $\mu\textrm{g}$ L$^{-1}$에서는 노출 4주부터 감소하기 시작하였으며, 노출기간이 길어짐에 따라 지속적으로 감소하여 노출 6주에는 84.0%까지 감소하였다. 또한 구리 노출농도 320 $\mu\textrm{g}$L$^{-1}$에서 노출 2주부터 감소하여 노출 6주에 82.0%로 높은 두 개의 농도구에서 유의한 감소가 나타났다. 산소 소비량은 노출농도 180, 320 $\mu\textrm{g}$ L$^{-1}$에서 대조구보다 각각 27.0, 42.0%가 저하하여 유의한 감소를 나타냈다. 사료효율은 대조구가 43.6%로서 가장 높은 효율을 나타냈고, 노출농도가 320 $\mu\textrm{g}$ L$^{-1}$에서는 30.0%로서 가장 낮은 성장 상태를 보였으며, 노출농도 80 $\mu\textrm{g}$ L$^{-1}$이상에서는 대조구에 비해 유의한 감소를 나타냈다. 성장율은 대조구에서 평균 16.8%로 나타나 가장 높은 성장을 보였으며, 노출농도 320 $\mu\textrm{g}$ L$^{-1}$에서는 5.4%로서 가장 낮은 성장을 보였다. 성장률의 전체적인 양상은 노출농도가 증가할수록 성장이 떨어지는 결과를 보였으며, 사료효율과 마찬가지로 노출농도 80 $\mu\textrm{g}$ L$^{-1}$ 이상에서 유의한 감소를 나타냈다.
본 연구에서는 황복, T. obscurus의 초기발달동안 자치어의 성장과 생존에 미치는 먹이 종류와 염분별 영향을 조사하였다. 먹이별 실험에서는 Artemia공급 시기인 부화 25일의 자어를 이용해 Artemia (대조구)와 5가지의 먹이 (실지렁이, 물벼룩, 바지락육질, 배합사료, 곤쟁이)를 30일간 혼합 공급하여 실험구별 성장과 생존율을 비교하였다 염분별 실험에서는 일령 15일 자어(전장 5.8$\pm$0.4 mm: Stage I), 일령 36일 치어(전장 12.0$\pm$0.2 mm: Stage II) 및 일령 70일 치어(전장 44.5$\pm$0.7mm: Stage III)를 대상으로 4개의 염분 농도구(0, 10, 20 및 30 psu)를 설정하여 성장과 생존을 비교분석하였다. 먹이실험 결과, 성장도는 배합사료, 실지렁이, 물벼룩 공급구들이 비교적 양호하게 나타났으나, 생존율은 물벼룩 공급구가 가장 높게 나타났으며, 빠른 성장을 보였던 배합사료와 실지렁이 혼합 공급구는 오히려 낮은 생존율을 나타내었다. 염분별 실험에서는 Stage I 경우 성장에 있어 염분별 뚜렷한 차이를 찾아 볼 수 없었으나, 생존율은 10∼20 psu구에서 높게 나타났다. 또한 Stage II의 경우 성장과 생존 모두 10∼20 psu에서 양호하였으며, Stage III에서는 0∼30 psu의 모든 염분 조건에서 정상적인 성장과 생존을 나타내었다.
목 적: 본 연구는 생쥐 전핵시기 배아를 완만동결법과 유리화동결법으로 동결-융해 후 배아의 생존율과 성장률을 비교하고자 시행하였다. 연구방법: 과배란을 유도한 생쥐로부터 전핵시기 배아를 획득하여 10% SSS가 첨가된 HTF 배양액으로 약 1시간 동안 배양한 후 두 개의 전핵이 관찰되는 정상적인 형태의 배아만 선별하여 동결하였다. 동결방법으로는 1.5 M PROH에 0.1 M sucrose가 함유된 완만동결법과 40% ethylene glycol, 18% Ficoll, 0.5 M sucrose가 혼합된 EFS40 용액과 EM grid를 이용하여 이용한 유리화동결법을 실시하였다. 동결-융해 후 전핵시기 배아의 회수율, 생존을 및 부화 포배기로의 성장률과 부화율을 비교하였다. 결 과: 각각의 방법으로 동결-융해 후 24시간 동안 배양하였을 때 2-세포기까지의 성장률은 완만동결군이 59.1%이었고 유리화동결군이 77.0%로 두 군간에 유의한 차이를 보였고 (p<0.003), 48시간 동안의 배양에서도 완만동결군이 53.3%이고 유리동결군이 72.6%로 유의하게 유리화동결군에서 높은 수세포기까지의 성장률을 보였으며 (p<0.003), 72시간 배양하였을 때의 상실배로의 성장률 역시 완만동결군이 46.7%이고 유리화동결군이 67.3%로 유리화동결군에서 유의하게 높은 성장률을 보였다 (p<0.001). 융해 후 144시간 동안 배양하였을 때의 부화포배기로의 성장률은 완만동결군이 26.3%이고 유리화동결군이 43.4%로 유리화동결군에서 유의하게 높은 성장률을 보였다 (p<0.005). 결 론: 생쥐 전핵시기 배아의 동결보존에서 유리화동결법은 완만동결법 보다 시간이 단축되고 비싼 장비가 필요없어 경제적이고 간단했을 뿐 아니라 동결-응해 후 전반적으로 높은 생존율과 성장률을 나타내었다.
III-V 족 반도체 물질 중, GaN는 넓은 밴드갭을 가지고 있어 발광 다이오드나 레이저 다이오드, 트랜지스터, 스핀트로닉스 등의 응용에 유용한 물질이다 [1]. 실시간 성장 제어 및 최적화된 특정 소자 응용을 위해서는 GaN의 다양한 온도에 대한 유전율 함수 정보가 필수적이다. 편광분석법을 이용한 상온에서의 hexagonal GaN 유전율 함수는 이미 여러 연구에서 보고되었고, 80~650 K 사이의 온도 범위에 대한 언구도 수행되었다 [2,3]. 그러나, 온도변화에 대한 GaN 유전율 함수와 $E_0$ 전이점에 대한 해석은 부정확하다. 따라서 본 연구에서는 사파이어 기판 위에 분자살박막증착장치를 이용하여 c-축 방향 (0001)으로 성장 시킨 hexagonal GaN를 0.74~6.42 eV 에너지 구간에서 보다 확장된 온도 영역(26~693 K)의 유전율 함수를 편광분석법을 이용하여 측정하였다. 측정된 GaN의 유전율 함수를 회기분석법을 통한 2차 미분 표준해석법을 이용해 분석 하였고, 그 결과 $E_0$와 excitonic $E_0$ 전이점을 명확히 얻을 수 있었다. 온도가 감소함에 따라 격자상수 및 전자-포논 상호작용이 감소하여 전자 전이점이 청색천이 하고, 그 구조가 명확해 지는 결과를 얻었다. 본 연구의 결과는 GaN 유전율 함수의 온도 의존성에 대한 데이터베이스를 제공함은 물론, 실시간 모니터링과 GaN를 기반으로 하는 광소자 제작 등에 유용할 것이다.
본 연구에서는 MOCVD 반응기의 온도분포가 필름 성장률에 미치는 영향에 대해 분석하였다. 온도해석에는 반응기 벽면의 전도열전달과 기체의 대류열전달이 포함되었다. 또 서셉터와 실험에 사용된 그래파이트 평판 사이의 웨이퍼 미세 간극을 해석에 포함하여 반응기 내부의 온도를 예측하였다. 정밀한 온도해석을 통해 얻은 반응기의 온도 분포를 이용하여 GaAs와 InP의 필름성장률을 해석하였으며 그 결과 미세 틈새가 GaAs의 필름 성장률에 영향을 미치는 것을 확인하였다.
Polyester 감량폐수의 주성분인 EG,TPA분해균을 분리하여 각각 Pseudomonas sp.로 동정하여 Pseudomonas sp. EAW, Pseudomonas sp. TS2로 명명하였다. 이 두 균주의 최적 배양조건은 pH 7.5, 온도 $35^{\circ}C$ 및 질소원은 ${(NH_4)}_2SO_4$ 이며, Strain EAW의 경우 niacin과 biotin, Strain TS2의 경우 $Na_2MoO_4{\cdot}2H_2O$와 thiamine이 각 균주의 성장과 분해율에 약간씩 영향을 미치는 것으로 나타났다. Strain EAW는 접종량의 증가에 따라서 성장 및 EG의 분해시간이 현저히 감소하였으나 Strain TS2의 경우는 접종량이 증가하여도 성장 및 분해율이 큰 차이가 없었다. 또한 rich-medium에 계대배양한 각 균을 EG, T TPA액체배지에 접종하였을 때 계대배양의 회수가 증가함에 따라 Strain EAW가 Strain TS2보다 성장 및 분해율이 현저히 감소하였다. 실제 폐수에서 균들의 성장 및 분해율이 분리용 배지의 경우 보다는 약간 감소하였으며 EG, TPA 는 배양 48hr 후 $COD_{Mn}\;and\;COD_{Cr}$의 제거율은 89% 와 93%로 각각 나타났다. 회분배양시 EG,TPA의 초기농도가 25g/L 이상에서는 각 균주의 비성장속도가 감소하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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