• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.5
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• pp.383-393
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• 1998

Cadmium telluride films were grown by close-spaced sublimation(CSS) technique. The effects of various deposition parameters such as ambient pressure, source- to-substrate spacings and temperatures on the growth rate and the microstructure were investigated. The growth mode of CdTe films showed a transition as the ambient pressure changed. This transition was interpreted in terms of the diffusion limited transport and the sublimation limited transport of Cd and $Te_2$ vapors. Experimental results indicated that the transition of growth mode was related with the mean free path of gas molecules. The growth rate and the microstructure of CdTe films were affected by the source type- bulk or powder. This change was due to the temperature difference at the source surface. XRD and SEM analysis showed that the growth rate was one of the main factors to determine CdTe microstructures.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.5 no.1
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• pp.50-59
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• 1995

Abstract 6 H - SiC single crystal was grown by sublimation growth system which was self - designed and manufactured. In order that the SiC source might be decomposited and sublimed and deposited on the 6H - seed substrate grown by Acheson method, the temperature gradient, the growth parameters of growth temperature and pressure were operately adjusted. So we could get the optimum temperature gradient inside of the crucible. The graphite crucible with SiC powder and thermal shield componants were purified at the elevated temperature by means of Ar purging process and the source baking, then it distributed to reduce the amount of the impurities come from those parts. It was recognized that the optimum growth temperature of the crucible was$2300~2400^{\circ}C$ at the Ar atmospheric pressure of 200~400 torr, and at that moment the growth rate was 500~1000 $\mu\textrm{m}$. And then, the as- grown crystal was cut with the wafer form, the evaluation about the crystal was carried out by XRD, the optical microscopic observation and FT IR spectrum measurement.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.569-569
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• 2012

탄소나노튜브(carbon nanotubes)의 우수한 전기적, 물리적 특성으로 인해 트랜지스터, 태양전지, 고감도 센서, 나노 섬유, 고분자-탄소나노튜브 고기능 복합체 등 다양한 분야에서 이를 응용하려는 노력이 활발히 진행되고 있다. 흥미롭게도 탄소나노튜브는 구조적인 특성 (직경, 밀도, 벽의 수)에 따라 각기 다른 비표면적, 열 전도성, 전기 전도성, 접촉각, 전계방출 특성을 지닌다고 보고되고 있다. 따라서 다양한 분야의 응용을 위해서는 구조적인 특성 제어가 핵심적인 요소라고 할 수 있다. 본 연구에서는 열화학기상증착법(thermal chemical vapor deposition)을 이용하여 수직 정렬된 탄소나노튜브를 합성 하였다. 합성과정에서 압력의 변화가 탄소나노튜브의 밀도와 길이에 큰 영향을 미친다는 것을 확인하였고, 이러한 현상을 이해하기 위해 두 가지의 가능성을 고려하였다. 첫째는 압력의 변화에 따른 촉매의 형성 변화 가능성이며, 둘째는 탄화수소가스의 유입양의 변화에 따른 영향이다. 분석 결과, 동일한 압력에서 탄화수소가스의 부분압을 변화시켜 실험한 결과로부터 탄화수소의 유입양의 변화가 합성된 탄소나노튜브의 밀도에 큰 영향을 미치고 밀도가 높은 경우 길이가 긴 탄소나노튜브가 합성되는 것을 확인할 수 있었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.1
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• pp.1-5
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• 2001

SiC single crystals were grown in the various condition of growth pressure and temperature in the sublimation growth. We observed the growth step morphology and the shapes on the surface of as-grown crystals using an optical microscope, and characterized the co-relations among the growth parameters by adapting the Burton, Carbera and Frank theory(BCF theory)for nucleation and crystal growth.

• LP가스
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• s.69
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• pp.53-58
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• 2000

중국의 경제성장 속도가 급류를 타고 있다. 이러한 경제성장 속도에 비례해 에너지 소비도 급격하게 늘어나고 있는 추세다. 그러나 경제성장은 환경오염이라는 부작용을 함께 동반한다. 최근 중국은 자동차매연으로 인한 대기오염 등 심각한 환경오염에 처해 있으며 경제성장과 환경보고라는 두가지 압력을 받고 있다. 그 자구책의 일환으로 중국정부는 청정연료인 LPG의 보급에 가속 페달을 달았다. LPG는 단순 취사뿐 아니라 난방 수송 산업용 등 각 분야에서 수요가 늘어날 것으로 전망되고 있다. 최근 일본 도쿄에서 열린 '아시아 LP가스 세미나'에서 중국 건설부 도시건설국의 류하명, 남경시 액화석유가스공사 석성무씨가 발표한 내용을 번역, 게재한다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.28 no.4
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• pp.148-151
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• 2018

A large single crystal of AlN was grown by PVT (Physical Vapor Transport) method. The AlN crystal shaped hexagonal of the diameter of about 46 mm and the thickness of 7.6 mm was grown using 33 mm seed crystal which was grown and made by ourselves. We tried to find out repeatable growth possibility for AlN crystal growth and then to evaluate the repeatability of the growth condition of the temperature of $1950{\sim}2100^{\circ}C$ and the ambient pressure of 0.1~1 atm.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2003.02a
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• pp.145-145
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• 2003

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.08a
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• pp.240-240
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• 2007

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.14 no.1
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• pp.191-196
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• 2010

Aluminum doped zinc oxide (AZO) films have been prepared on Coming 7059 glass substrates by r.f. magnetron sputtering method. A powder target instead of a conventional sintered ceramic target was used in order to improve the utilization efficiency of the target and reduce the cost of the film deposition process. The influence of sputter pressure on the structural, electrical, and optical properties of AZO films were studied. The AZO films had hexagonal wurtzite structure with a preferred c-axis orientation, regardless of sputter pressure and target types. The crystallinity and degree of orientation was increased by increasing the sputter pressure. For higher sputtering pressures, a reduction of the resistivity was observed due to a increase on the mobility and the carrier concentration. The lowest resistivity of $6.5{\times}10^{-3}\;{\Omega}-cm$ and the average transmittance of 80% can be obtained for films deposited at 15 mTorr.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.208-208
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• 2010

본 연구에서는 투명전도성산화막으로 적용 가능한 Ga이 도핑된 ZnO(GZO)의 성장 및 후처리 과정에 따른 구조적, 전기적, 광학적 특성을 관찰하였다. GZO 박막은 상온과 $200^{\circ}C$, 50~250 mTorr (50 mTorr 단계)에서 RF 마그네트론 스퍼터법으로 증착하였다. 이와 같은 조건에서 성장 된 박막의 특성을 분석하여 최적의 온도 및 작업압력에서 RF power를 변화시켜 박막을 성장한 후 질소 및 수소를 이용한 후처리 공정을 통하여 GZO 박막을 제작, 각 조건에 따른 구조적, 전기적 및 광학적 특성 변화를 조사하였다. XRD 측정에서, 열처리 전 시료에서는 GZO (002) 상의 Bragg-Angle 위치가 호스트 물질 ZnO의 기준위치보다 낮은 각도 쪽에서 나타났으며, 이는 Ga이 Zn와 치환되지 못하고 격자 내에 침입형태로 존재함에 따른 것으로 판단된다. 열처리 이후 전반적으로 분위기 가스의 종류에 관계없이 결정성, 광투과율 및 전기적 특성이 향상되는 것이 관측되었다. 질소 분위기에서 열처리된 GZO 박막의 경우, 전반적으로 박막 증착 시 초기 작업압력의 증가에 따라 비저항이 증가하는 현상이 관측되었다. 반면, 수소 분위기에서 열처리된 박막에서는 박막 증착 초기 작업 압력이 증가함에 따라 비저항이 감소하는 경향이 관측되었다. 이러한 결과는 XPS(X-Ray Photoelectron Spectroscopy)로 분석한 결과, 질소 분위기에서 열처리된 GZO 박막은 O-H 결합이 Zn-O 결합에 비해 과도하지 않은 반면, 수소화 처리된 GZO 박막에서 Zn-O 결합에 비해 과도한 O-H 결합이 존재하기 때문으로 관측되었다. 그러한 이유는 O-H 결합이 GZO 박막 내 산소 결공($V_o$)과 밀접한 관계가 있기 때문이며, O-H 결합의 증가는 $V_o$-H 결합체의 증가를 의미하기 때문이다.