• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.150-150
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• 2010

질화물 기반의 LED의 경우 c-plane 사파이어에 GaN을 성장 하는 방법이 많이 연구되어 왔다. 그러나 c-plane 위에 성장시킨 LED는 분극현상이 발생하여 양자효율의 저하와 발광파장의 적색 편이를 야기한다[1]. 이런 문제를 해결하기 위하여 a-plane (11-20), m-plane (10-10) 등의 비극성면을 갖는 GaN을 성장을 통해 분극문제를 해결하고자 하는 방법이 제안되었다 [2] 하지만, 현재 비극성 면을 갖는 고품질의 박막을 성장시키기 어렵다는 단점이 존재한다. 고품질의 박막을 성장시키는 방법으로는 ELO와 다중 버퍼층의 사용처럼 여러가지 방법이 연구되고 있다. 하지만 사파이어의 tilt와 열처리에 따른 표면 개질에 대한 연구는 많이 진행되어지고 있지 않다. 본 연구에서는 사파이어에 열처리를 통하여 표면의 특성 변화를 관찰하고 이를 이용하여 고품위 GaN 박막의 품질을 높이려 하였다. r-plane 사파이어에 유기금속화학증착법(MOCVD)을 이용하여 a-plane GaN을 성장하였다. 이 공정에서 사용한 pre-treatment는off-axis angle을 가진 기판의 표면 열처리이다A-plane GaN 성장전에 m-direction으로 off-axis angle을 가진 r-plane 사파이어 기판을 1300도로 가열한 후 각각의 다른 시간에서 열처리를 진행하였다. Off-axis angle을 가진 사파이어는 표면에 step구조를 가지고 있으며, 이 step의 width를 비롯한 표면의 morphology는 off-axis angle에 따라 달라진다. Off-axis angle을 변화시킨 사파이어를 1300도에서 1시간, 3시간, 5시간 annealing하여 표면을 AFM을 사용하여 관측한 결과 step width가 증가하고 step의 형태가 뚜렷해지며 rms-roughness가 변화한 것을 관찰할 수 있었다. 그리고 이 각각의 기판을 동일한 조건으로 a-plane GaN을 성장하여 박막의 특성을 측정하였다. 본 발표에서는 사파이어 기판의 표면 처리에 따른 비극성 GaN의 특성 변화에 대한 분석 결과를 논의할 것이다.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1997.10a
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• pp.51-55
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• 1997

이트륨 옥살레이트 결정화에 있어서 반응물의 농도, 반응 온도, 반응물의 주입속도 변화등의 반응조건(reaction condition)의 변화와 반응기 내에서의 교반속도와 같은 hydrodynamic condition의 변화가 생성된 옥살레이트 결정의 입자크기, 결정형태등에 미치는 영향을 체계적으로 관찰하였다. 그리고 agglomeration의 영향에 의한 particle의 크기변화에 있어 생성물의 과포화는 agglomerates를 결정 짓는 가장 중요한 변수이다. 또한 반응성 결정화에 의해서 얻어진 Yttrium Oxalate가 온도 변화에 따라서 Yttrium Oxide로 열분해되는 온도구간과 결정구조의 변화 및 분자 구조의 변화를 관찰하여 최종의 Yttrium Oxide가 생성되는 것을 확인하였다.

• Journal of the Korean Geographical Society
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• v.15
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• pp.57-73
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• 1977

이 글에서는 다음의 내용을 다루었다. 1. 한국도시성장단계의 시대구분, (1) 도시성장의 이론적 배경, (2) 도시성장요인의 지표변화, (3) 도시인구지표의 변화상, (4) 도시성장단계의 시대구분 2. 한국도시의 지리적 변천과정, (1) 제1시기(1789-1930), (2) 제2시기(1930-1945), (3) 제3시기(1945-1960), (4) 제4시기(1960-1975)

• Korea journal of population studies
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• v.30 no.1
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• pp.149-176
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• 2007

본 연구는 지난 30년간(1975-2004년) 한국의 경제성장과정에서 교육의 부문별(초등 중등 고등교육) 역할을 추정하는 데 주목적이 있다. 본 연구는 우선 신고전학파 Solow의 외생적 경제성장이론을 접목한 Cobb-Douglas 모형을 확장하여 1인당 경제성장 추정을 위한 내생성장모형을 제시하였다. 또한 자료 한계를 극복하기 위하여 동아시아 7개국 자료를 바탕으로 시계 및 횡단면 자료를 블록으로 구축하여 앞의 내생성장모형을 이용한 pooling방법으로 1인당 경제성장에 물적자본, 단순노동력, 인적자본, 지적자본(R&D), 초기년도의 기술수준 등의 기여분을 추정하였다. 이러한 각 생산요소의 직접적인 추정결과로부터 각 요소간(고등교육, 중등교육, 지적자본) 상호작용으로 인한 간접적인 기여분 추정을 위해 연립방정식체계를 구축하고 각 요소의 영향력을 재 추정하여 보정된 결과를 제시하였다. 1975-2004년간 한국의 경제성장 과정에 있어서 인적자본요소인 교육은 40.7%를 기여였으며 이를 다시 분해하면 중등교육이 가장 큰 87.0%, 초등교육이 6.6%, 중등교육에 간접적으로 기여한 대학교육이 -52.9%를 보였다. 물적자본이 39.6%, R&D자본이 24.1%들 보였으며 지식 정보기반사회에서 그 의미가 감소한 단순노동력은 -1.4%, 기술추격을 가능케 하는 1975년도 초기기술수준이 -3.0%의 추정결과를 보여주고 있다. 향후 정책연구 과제로는 한국미 지식기반사회에서 선진국으로 진입하기 위해서는 경제성장과정에서 대학의 역할을 제고할 필요성이 있음을 제안하고 있다. 이를 위해서는 기존 대학의 양적인 구조조정이 필요하다. 특히 대학의 질적 경쟁력을 높이기 위한 정부의 대학 지원 역할 역시 제고되어야 할 것이다. 또한 이 글은 교육시장과 노동시장을 어떠한 방법으로 연계 시키는가를 논의하고 세계시장의 급격한 기술변화와 체제변화에 따라 국내노동시장의 필요한 산업인력수요의 내용도 같은 속도의 변화를 요구하고 있음을 상기시키고 연계지원 정책을 주장하고 있다.

• Journal of Korea Port Economic Association
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• v.26 no.2
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• pp.36-48
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• 2010

This primary purpose of this study is to suggest strategy a green-logistics strategy of Gwanyang bay area. The Green growth is the new growth concept based on the low carbon and environment-friendly industry. The new paradigm on the global economy growth requests a established logistics industry to be shifted into establishing the environment-friendly green logistics system. Some findings derided from this study are follows: Frist, in order to establish a environment-friendly green growth foundation, it is necessary to attract a green industry such as solar cell, wind force, hybrid car etc. Second, a green logistics system has to be established, including a green port strategy and reducing emission of carbon.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.42-42
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• 2003

Ni/Si 기판상에 CH$_4$, H$_2$, $N_2$의 혼합기체를 사용하여 $700^{\circ}C$에서 5분 동안 MPECVD법으로 탄소나노튜브 성장시켰다. 이 과정에서 CH$_4$, H$_2$에 대한 $N_2$의 유량비를 여러 가지 값으로 변화시켜 그 성장 양상을 살펴보았다. 혼합기체 내 질소의 함량에 따라 나노튜브의 성장길이와 quality가 달라짐을 SEM과 Raman spectroscopy 측정을 통하여 확인하였다. 나노튜브의 성장 시 혼합기체 내 주입하는 질소량에 의해 나노튜브의 성장길이가 변화됨을 SEM을 통해 관찰할 수 있었고 혼합기체 내 질소의 비율이 커질수록 carbonaceous particle 등의 감소로 인한 나노 튜브의 quality가 향상됨을 Raman spectra를 통해 확인할 수 있었다. 또한 TEM과 SEM 관찰을 통해 성장된 탄소나노튜브가 대나무(bamboo) 구조를 가진 수직 배향된 다중벽 탄소나노튜브임을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.85-85
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• 2000

Stranski-Krastanow 자발형성 방법에 의한 양자점의 성장은 다른 공정에 비해 결함이 적은 반면에 크기와 위치를 조절하기 어렵다. 최근 20-off GaAs 기판을 이용한 양자점의 성장은 다른 공정과는 달리 성장조건만으로 선택적인 성장을 얻을 수 있으며 양자점의 크기가 terrace width를 벗어나지 않으므로 uniformity를 향상시킬 수 있다. 20-off GaAs 기판의 trrrace 넓이는 약 99 이지만 성장조건하에 Ga의 diffusion에 의한 step bunching 효과에 의하여 그 넓이는 변화하며 특히, 성장 두께에 따라 넓이는 증가한다. 이러한 현상을 바탕으로 20-off 기판위에 GaAs buffer 층을 1000 , 22 을 갖게 되었다. 이로써 20-off 기판을 이용할 경우,GaAs buffer 층의 두께만으로 양자점의 크기를 조절할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.264-264
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• 2010

물리증착이나 화학증착으로 제조되는 박막은 공정 조건에 따라 다양한 성장 양태를 보인다. 박막의 성장은 초기에 Seed가 형성되어 그 Seed를 바탕으로 성장하는 것으로 알려져 있으며 기판온도, 이온충돌, 박막의 두께 등에 따라 성장양태나 성장방위 등이 달라진다. 최근 나노에 대한 관심이 높아지면서 진공증착으로 제조한 박막에서도 조직의 나노화에 대한 관심이 높아지고 있으며 특히, Pore-free, Defect-free 박막의 형성을 통해 특성을 향상시키고자 하는 연구도 증가하고 있다. 본 연구에서는 Al과 Cu 같은 금속의 박막을 제조함에 있어서 공정변수가 박막의 조직이나 배향성 등에 미치는 영향을 조사하였다. 특히, 이러한 조직변화와 박막의 특성과의 상관성을 도출하고자 하였다. Al 박막에서는 이온빔의 효과와 함께 공정중에 산소 가스를 주입하거나 플라즈마 처리를 통해 성장조직의 변화를 유도하였고, Cu 박막에서는 고속 증착 조건이 피막의 조직에 미치는 영향을 조사하였다. 한편, TiN 박막의 형성에 미치는 이온빔의 효과를 조사하여 이온빔 조건과 TiN 박막의 형성과의 관계를 규명하였고 이로부터 Normalized Energy가 TiN 박막의 색상에 미치는 영향을 도출하여 Normalized Energy가 Fundamental Parameter가 될 수 있음을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.402-402
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• 2008

화학 수송법을 이용하여 양질의 $SnO_2$ 박막을 성장 시켰다. 성장 된 $SnO_2$ 박막은 수송가스 변화에 따라 양자의 크기 형태와 결정성, 박막내부의 결함과 전기 전도도, 산소결합과 광발광 등이 변화된 특징을 가졌지만 Sn과 O의 성분비는 계면부터 박막의 표면까지 화학 양론적으로 일정한 비를 가졌다. 그리고 입자의 크기와 결정성은 가스유입랑에 따라 변화 되었으며, 박막의 전기저항과 HALL 캐리어도 수송가스 따라서 변화됨이 관찰 되었고, 박막 내 $SnO_2$ 광 발광의 피크도 변화가 되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.83-83
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• 2011

본 연구에서는 p-type Si (100) 위에 분자선 에피택시 성장방법으로 ZnO 완충층이 삽입된 ZnO 박막을 성장시켰다. ZnO 완충층은 Zn 셀 셔터의 열림/닫힘을 반복하는 성장 멈춤법으로 성장되었다. Zn 셀 셔터의 열림 시간은 4분, 2분, 1분이며 닫힘 시간은 2분으로 동일하게 유지하였다. 이러한 과정은 각각 5, 10, 20회로 반복되었으며 ZnO 완충층을 성장한 후 ZnO 박막은 기존의 분자선 에피택시 방법으로 성장되었다. ZnO 박막의 구조적, 광학적 특성은 field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL)로 조사하였다. SEM 측정결과 성장 멈춤 횟수가 증가함에 따라 ZnO 박막의 표면은 섬(island) 구조에서 미로(maze) 구조로 변화하였고, XRD 측정결과 full-width at half-maximum (FWHM) 이 감소하고 결정립 크기(grain size)가 증가하였다. 그리고 PL 측정결과 성장 멈춤 횟수가 증가함에 따라 near-band-edge emission (NBE) 피크의 세기가 증가하였고 deep-level emission (DLE) 피크의 위치는 오렌지 발광에서 녹색 발광으로 청색편이(blue-shift)하였다.