• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.106-106
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• 2009

저온에서 CNT를 Thermal CVD방법을 이용하여 성장시켰다. 균일한 밀도와 크기의 CNT성장에 큰 역할을 하는 catalyst 형성제어를 위해 분산방법 및 catalyst의 종류를 달리하였다. 반응성가스의 유량 및 온도를 제어하여 수직방향으로 CNT를 성장시켰다.

• Information and Communications Magazine
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• v.27 no.1
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• pp.4-10
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• 2009

IT 산업은 과거에도 주요한 성장 동력이었고 현재에도 경제 위기 극복을 위한 중추적 역할을 담당하고 있다. 이제 IT 산업은 자체 산업의 고도화를 통한 성장동력으로서 역할뿐만 아니라 전(全)산업과 융합을 통해 타산업의 성장을 견인하는 기반 산업의 역할, 경제 사회 문제를 해결하는 역할 등 IT산업이 수행해야할 시대적 소명은 점차 새로운 분야로 확대되고 있다. 본고에서는 다양한 시대적 요구에 따른 IT 산업의 역할을 재조명하고, 새로운 역할과 의미에 부합하는 IT산업의 정책방향을 제시하고자 한다.

• KSCE Journal of Civil and Environmental Engineering Research
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• v.11 no.1
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• pp.29-36
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• 1991

The effects of heat treatment on fatigue crack growth behavior were studied in continuously reinfored, magnesium-based composite (FP/ZE41A). Following an earlier TEM investigation, specimens were thermally aged to modify the interfacial zone between the alumina fibers and mg alloy matrix. The fatigue crack growth experiments were conducted with specimens having the fiber orientation normal to the crack growth direction(longitudinal) and also specimens with the fibers oriented parallel to the crack growth direction(transverse). A comparision of the fatigue crack growth behavior indicates that aged longitudinal specimens are more resistant to fatigue crack growth than as-fabricated longitudinal specimens. Conversely, as-fabricated transverse specimens are more resistant to fatigue crack growth than aged transverse specimens. SEM observations of fiber pullout and ductile tearing on the fatigue fracture surfaces indicate that the aging weakens the strength of the fiber/matrix interface, giving rise to the observed fatigue crack growth behavior.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.41 no.9
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• pp.677-683
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• 2004

Nd:LLM (Nd:LiLa(MoO$_4$)$_2$) single crystals for the laser host material were grown by the Czochralski method. The Nd:LLM grown single crystals cracked easily, and the reasons of cracks are generally related with phase transition, incongruent melting, chemical heterogeneity of composition, geometric thermal structures of imbalance and growth direction. We confirmed that phase transition is not observed by TG-DTA thermal analysis, and the XRD analysis revealed congruent melting in our products. It was confirmed that the volatilization of Li$_2$O composition is the important reason of chemical heterogeneity. The geometric thermal profile of the resistance furnace of our own design was controlled with a crucible height. Also, Nd:LLM crystal affected growth direction, and was the best quality in case of (101) growth direction. The distribution and effective distribution coefficient of Nd$^{3+}$ ion were accomplished by PIXE analysis.s.

• Applied Microscopy
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• v.33 no.1
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• pp.17-23
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• 2003

Indium oxide ($In_2O_3$) nanowires were successfully synthesized by a simple reaction in a wet oxidizing environment at low temperature without metal catalyst. The nanowires were characterized by an x-ray diffraction (XRD), a scanning electron microscopy (SEM) equipped with an energy dispersive spectrometry (EDS), and a transmission electron microscopy (TEM). It was shown that the $In_2O_3$ nanowires were two types of morphology, uniform nanowires and nanowires containing $In_2O_3$ nanoparticles in its stem. It was found that lengths of the nanowires were ranges of several micrometers and their diameters were around $10{\sim}250$ nm. The growth direction of the nanowires was investigated and their growth mechanism is also discussed.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.103-103
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• 1999

CeO2 는 cubic 구조의 일종인 CeF2 구조를 가지며 격자 상수가 0.541nm로 Si의 격자 상수 0.543nm와 거의 비슷하여 Si과의 부정합도가 0.35%에 불과하여 CeO2를 Si 기판 위에 에피택셜하게 성장시킬 수 있는 가능성이 크다. 따라서 SOI(Silicon-On-Insulator) 구조의 실현을 위하여 Si 기판위에 CeO2를 에피택셜하게 성장시키려는 많은 노력이 있었다. 또한 CeO2 는 열 적으로 대단히 안정된 물질로서 금속/강유전체/반도체 전계효과 트랜지스터(MFSFET : metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistor)에서 ferroelectric 박막과 Si 기판사이에 완충층으로 사용되어 강유전체의 구성 원자와 Si 원자들간의 상호 확산을 방지함으로써 경계면의 특성을 향상시기키 위해 사용된다. e-beam evaporation와 laser ablation에 의한 Si 기판 위의 CeO2 격자 성장에 관한 많은 보고서가 있다. 이 방법들은 대규모 생산 공정에서 사용하기 어려운 반면 RF-magnetron sputtering은 대규모 반도체 공정에 널리 쓰인다. Sputtering에 의한 Si 기판위의 CeO2 막의 성장에 관한 보고서의 수는 매우 적다. 이 논문에서는 Ce target을 사용한 reactive rf-magnetron sputtering에 의해 Si(100) 과 Si(111) 기판위에 성장된 CeO2 의 구조 및 전기적 특성을 보고하고자 한다. 주요한 증착 변수인 증착 power와 증착온도, Seed Layer Time이 성장막의 결정성에 미치는 영향을 XRD(X-Ray Diffractometry) 분석과 TED(Transmission Electron Diffration) 분석에 의해 연구하였고 CeO2 /Si 구조의 C-V(capacitance-voltage)특성을 분석함으로써 증차된 CeO2 막과 실리콘 기판과의 계면 특성을 연구하였다. CeO2 와 Si 사이의 계면을 TEM 측정에 의해 분석하였고, Ce와 O의 화학적 조성비를 RBS에 의해 측정하였다. Si(100) 기판위에 증착된 CeO2 는 $600^{\circ}C$ 낮은 증착률에서 seed layer를 하지 않은 조건에서 CeO2 (200) 방향으로 우선 성장하였으며, Si(111) 기판 위의 CeO2 박막은 40$0^{\circ}C$ 높은 증착률에서 seed layer를 2분이상 한 조건에서 CeO2 (111) 방향으로 우선 성장하였다. TEM 분석에서 CeO2 와 Si 기판사이에서 계면에서 얇은 SiO2층이 형성되었으며, TED 분석은 Si(100) 과 Si(111) 위에 증착한 CeO2 박막이 각각 우선 방향성을 가진 다결정임을 보여주었다. C-V 곡선에서 나타난 Hysteresis는 CeO2 박막과 Si 사이의 결함때문이라고 사료된다.

• 월간 기계설비
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• s.263
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• pp.50-57
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• 2012

저탄소 녹색성장은 세계적인 친환경 추이에 발맞추고 소비자들의 인식변화에 부응하는 신성장동력이다. 이를 잘 활용하면 기업의 경쟁력을 장기적으로 강화시킬 수 있고 새로운 기회를 가져다줄 수 있다. 녹색성장은 그야말로 기업 성장에 엄청난 영향을 끼칠 수 있는 새로운 패러다임인 것이다. 정부는 향후 에너지를 자급자족하는 건축물을 목표로 저탄소 녹색성장 정책을 추진하고 있다. 그 일환으로 건축물 에너지 목표관리제 도입, 녹색건축물 조성 지원법 등이 있다. 내년 2월 23일 시행을 앞두고 있는 '녹색 건축물 조성 지원법'은 건축물의 설계 시공 유지 관리 등 모든 분야에 영향을 미치는 법으로서, 특히 건축물의 에너지효율 개선 관련 기준을 제시할 예정이다. 이로써 고효율 설비 등 시설 투자는 물론 에너지 소비를 제어할 수 있는 기계설비의 위상과 역할이 크게 부각될 전망이다. 대한건설협회 및 한국생산성본부인증원은 지난 4월 18일 건설회관에서 '건설분야의 녹색정책과 대응방안' 컨퍼런스를 개최하고, $\bigtriangleup$저탄소 녹색성장 정책방향 $\bigtriangleup$녹색건축물 관련법 및 정책 추진방향 $\bigtriangleup$녹색건축물 조성지원법 제정에 따른 건설업의 나아갈 방향 $\bigtriangleup$녹색건축 도시조성을 위한 실천전략 $\bigtriangleup$녹색건축물제도가 건설업에 미치는 영향 등에 관해 주제발표를 했다. 본지는 '건설분야의 녹색정책과 대응방안' 컨퍼런스에서 발표된 내용을 바탕으로 '녹색건축물 조성 지원법'에 대해 자세히 알아본다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2010.05a
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• pp.59-59
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• 2010

ZnO는 II-VI 족 화합물 반도체로써 상온에서 큰 엑시톤 결합에너지 (~60 meV) 를 가지며 밴드갭이 3.37 eV인 직접 천이형 반도체로 잘 알려진 물질이다. 이러한 ZnO의 물리적 특성은 광학소자로 상용화된 GaN와 유사하기 때문에 LED나 LD등의 광 소자 재료로 주목 받고 있다. 또한 ZnO는 3족 원소 (In, Ga, Al)를 도핑 함으로써 전기적 특성 제어가 가능한 장점을 가지고 있다. 본 연구는 펄스레이저 증착법 (Pulsed Laser Deposition)을 이용하여 Si (111) 기판 위에 ZnO:In 박막을 성장 시켰으며, 도핑된 indium 양에 따른 ZnO 박막의 배향성 변화를 관찰 하였다. X-선 회절 분석법 (X-ray diffraction), 탐침형 원자현미경 (Atomic Force Microscope) 그리고 투과전자 현미경 (Transmission Electron Microscope)을 측정하였다. XRD 측정 결과 un-doped ZnO 박막은 (002) 방향으로 c-축 우선성장 하였다. 그러나 ZnO 박막내의 Indium 양이 증가 할수록 (002) 방향에서 (101), (102), (103) 등의 (101) 방향으로 성장이 변화 하였으며 5 at.% 이상에서는 (100) 방향의 성장이 관찰 되었다. TEM 측정 결과 un-doped ZnO 박막은 columnar 구조로 성장 되었으나, Indium 양이 증가할수록 column의 size가 감소하며, 5 at.% 이상에서 columnar 구조 성장이 거의 관찰되지 않는다. AFM 결과에서는 Indium 양이 증가 할수록 박막의 표면거칠기와 결정립 크기가 감소하였다.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.3 no.1
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• pp.23-30
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• 1992

a-SiC crystals were grown on the (001) plane of a-SiC seed crystals by sublimation method to find effects of pressure-reduction rate of the crystal growth furnace own the growth rate and orientstion of grown SiC crystals. Pressure-reduction rate at the initial growth stage affected the crystallinity of grown SiC crystals. In case of high pressure-reduction rate, growth rate was high and 3csic polycrystalline was grown on the seed. On the other hand, low pressure-reduction rate caused the growth rate to be slow and 6H-SiC single crystal was grown on the seed. However, even after growing SiC for 2 hours under the condition in which.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.16 no.6
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• pp.479-482
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• 2007

InN nanograins were directly grown on $0.3^{\circ}$-miscut (toward M-plane) c-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) and their growth characteristics were investigated by utilizing x-ray scattering. Depending on the various growth parameters, the formation of InN was sensitively influenced. Six samples were grown by changing HCl flow rate, the substrate temperature and Ga/In source zone temperature. All the samples were grown on unintentionally $NH_3-pretreated$ sapphire substrates. By increasing the flow rate of HCl from 10 sccm to 20 sccm, the formation of GaN grains with different orientations was observed. On the other hand, when the substrate temperature was raised from $680^{\circ}C$ to $760^{\circ}C$, the increased substrate temperature dramatically suppressed the formation of InN. A similar behavior was observed for the samples grown with different source zone temperatures. By decreasing the source zone temperature from $460^{\circ}C$ to $420^{\circ}C$, a similar behavior was observed.