• Proceedings of the Safety Management and Science Conference
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• 2012.11a
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• pp.337-342
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• 2012

국내 SW산업육성을 위해 SW융합을 통한 신시장 창출 SW산업의 글로벌 경쟁력 확보를 위한 체계적이고 전략적인 지원의 필요에 따라 본 연구에서는 국내 SW산업육성을 위한 성장유도 방향과 지원 사업분야를 도출하여 SW산업 지역동반 성장을 위한 신규 정책과제 도출에 활용하고자 하였다. 이를 위해 국내의 SW분야 지원 정책과 사업 현황을 조사, 분석하고 지원사업의 취약점을 분석하였다. 조사 및 분석을 통해 SW산업 육성을 위한 네 가지 측면의 성장 유도 방향과 10가지 지원 사업 분야를 도출하였으며 도출된 성장 유도방향 등에 대한 중요도 평가를 AHP 분석을 통해 실시하였다. 분석 결과 국가 SW정책의 상대적 중요도 평가 결과에서는 '지속적 추진체계확보'를 가장 중요한 것으로 평가되었고 10가지 사업분야에 대한 중요도 평가 결과에서는 '제품, 기술 개발 지원사업'이 가장 중요한 것으로 평가 되었으며 네 가지 성장유도방향의 중요도 평가결과에서는 '기술경쟁력 확보' 측면의 유도 방향이 가장 중요한 것으로 평가 되었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1998.07d
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• pp.1355-1357
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• 1998

TFT의 게이트 절연막으로 사용되는 절연체는 우수한 절연특성과 낮은 계면포획전하밀도($D_{it}$)를 요구한다. 이에 본 연구에서는 우수한 절연특성을 가지며, 격자상수가 Si과 유사한 $CaF_2$의 증착 특성을 연구하였다. 진공증착법을 이용하여 p형 Si(100) 기판위에 $CaF_2$의 기판온도, 두께를 변화시켜 전기적, 구조적 특성을 평가하였다. 또한 Si 기판에 방향에 따른 박막의 특성을 조사하였다. 구조적 특성분석으로부터 Si(100) 기판의 경우 $CaF_2$는 (200)방향으로 주도적인 성장을 하였으며 기판온도를 상승시킴에 따라 (220)방향으로도 성장을 하는 것으로 나타났다. 열처리 전후의 구조적 특성은 SEM을 통해서 확인 할 수 있었다. 열처리 전후의 특성 변화로부터 저온($100^{\circ}C$이하)에서는 기판과의 성장방향과 동일하였으며 고온($200^{\circ}C$이상)에서는 기판방향과는 다른 방향 성장 결과를 얻었다. 전기적 특성평가를 위하여 C-V 특성을 평가하였다. C-V 특성으로부터 Si(100) 기판의 온도가 $100^{\circ}C$, $1455\AA$ 두께로 증착한$CaF_2$ 박막의 $D_{it}$는 $1.8{\times}10^{11}cm^{-1}eV^{-1}$로 낮은 값을 가지 고 있었으며 0.1MV/cm에서 누설전류밀도가 $10^{-8}A/cm^2$ 이었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.4 no.1
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• pp.57-62
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• 1994

$YbFeCoO_4$ single crystal was grown by floating zone method. The atmospheric condition of the growth was controlled in air and the growth rate was 1~2 mm/hr. After melting the feed rod of the composition of $YbFeCoO_4$, $YbFeCoO_4$ was decomposed to $YbFeCoO_4$ and CoO phase in the initial state of the growth. The liquid composition, however, changed to the direction of the eutectic point along the liquidus line and then stopped at the point in which $YbFeCoO_4$ single crystal could be grown. The growth direction of the crystal was preferred orientation [110], perpendicular to the c-axis in the hexagonal system due to using the polycrystalline seed.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.189-189
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• 1999

초미세 전자 소자에 대한 개발에 대한 요구는 최근 들어 원자 단위의 구조물 제작에 대한 연구로까지 나아 가게 하고 있다. 좋은 물리적 성장을 가지는 양자도선(quantum wire), quantum dot와 같은 nano 단위 구조물 제작에 대한 요구는 그 가능성의 하나로 , 기울어진 vicinal) 표면위에서의 박막 성장에 대한 연구로 이어지고 있다. 기울어진 표면은 한 원자층으로 된 많은 계단들을 가지고 있는 표면이고, 이러한 계단들의 존재는 박막 성장 시 흡착 원자가 계단 끝에 부착될 확률을 증가 시켜, stepflow 성장과 같은 준 층별 성장을 만들 가능성을 높여주며, sub-ML증착에 대해서 원자가 계단면을 따라 길게 늘어선 양자도선과 같은 성장이 가능한 표면이라는 점에서 관심을 갖게 한다. 그러나 최근의 연구들에 의하면 기울어진 표면 위에서의 성장도 Schwoebel 장벽과 같은 분산 장벽의 존재로 계단과 수직인 축 방향으로 거친 모양의 island가 형성되는 Bails-Zangwill 불안정성이 나타나는 것으로 보고되고 있고, 이것은 준 층별 성장이나 양자 도선과 같은 성장을 방해하는 것으로 알려져 있다. 이러한 불안정성을 해결할 가능성으로 최근 들어 한 계단의 높이가 큰 step bunching 이 생겨난 표면위에서의 성장이 제기 되고 있으나, 아직 확인되지 않았다. 본 연구는 이러한 기울어진 표면 위에서 박막을 성장 할 때 층흐름(step flow) 성장이 가능한 역학적 동역학적 조건을 구하고자 하며, 방법으로는 KMC 시뮬레이션을 이용한다. 단원자로 구성된 계단이 있는 기울어진 표면 위에서의 homoepitaxy의 경우, 성장 양식은 계단과 계단 사이의 테라스 간격에 크게 의존한다. 테라스 간격이 좁을수록 성장은 보다 층흐름 성장에 근접한다. 그러나 다층으로 성장시킨 시뮬레이션의 결과는 일반적인 장벽 조건 아래에서는 계단의 방향과 수직인 방향으로 평평한 면에서와 동일한 크기를 가지는 island가 성장하는 것을 볼 수 있고, 이 것은 Bails-Zangwill 불안정성이다. 그러나 계단 사이의 테라스 간격이 매우 좁은 경우 5-6ML 성장 이하에서는 층흐름 성장과 동일한 성장이 이루어지나 계단을 따라서 미소한 크기의 거칠기가 나타난다. 동일한 기울어진 경사면에 대해서는 분산속도가 좋을수록 보다 계단 면을 따라 보다 큰 크기의 island가 나타난다. 분산 장벽과 같이 동역학적인 요소만으로는 완벽한 층흐름 성장은 높은 온도, 극히 낮은 분산 장벽이라는 조건 이외에는 얻기 어렵다. 그리고 층흐름 성장의 가능성으로 제시된 step bunching 일 일어난 다층 높이의 계단을 가진 면도 다층의 수만큼 계단수를 늘려주는 것과 동일한 결과가 나타나며, 이 경우도 층흐름 성장에는 근접하지만 완전한 형태의 성장은 얻기는 역시 어렵다. 따라서 원자단위의 도선이나 층흐름 성장은 계단과 계단 사이의 인력 또는 척력과 같은 역학적인 요소를 고려할 때 만이 가능할 것으로 보인다.

• Proceedings of the Korean Society of Soil and Groundwater Environment Conference
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• 1998.06a
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• pp.87-90
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• 1998

본 연구의 목적은 방향족 화합물의 생분해능이 우수한 토양 방선균을 분리하여 방선균에 의한 방향족 화합물의 생분해 기작 및 생분해 특성을 연구하는 것이다. 본 연구실에서는 phenol을 model compound로 실험한 결과, 일반 토양에서 분리한 많은 방선균들이 비록 농노의 차이를 보이기는 하지만 phenol의 생분해능을 갖고 있었다. 그러나 이들 대다수의 방선균들을 낮은 농도의 phenol에서만 일정 기간 성장을 하며, morphological differentiation 및 포자의 형성과 같은 일반적인 방선균의 성장 특성은 전혀 관찰되지 않았다. 이들 중 몇 종류의 분리된 방선균들 낮은 농도에서의 우수한 성장은 물론이고 상당히 높은 농도 (7mM)에서도 phenol을 유일한 탄소 및 에너지원으로 사용하여 성장하며 정상적인 morphological differentiation을 진행시킴이 관찰되었다. 특히 PD001로 명명된 phenol 분해능이 우수한 방선균에서는 일반적인 방선균 성장 온도 (3$0^{\circ}C$) 보다 높은 45$^{\circ}C$의 고온에서 더 빠른 성장을 보이는 고온성 방선균의 특징도 관찰되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.483-483
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• 2013

Latral Composition Modulation (LCM)으로 성장한 InP/GaP 초격자(Superlattice)의 선편광된 광발광(Photoluminescence) 특성을 저온(5 K)에서 측정하였다. LCM 기법은 z-축 방향으로 InP와 GaP를 단층 초격자(monolayer supperlattice)로 성장하는 과정에서 strain에 의해 x-y 평면으로 초격자가 형성되는 특별한 경우이다. 이렇게 성장된 LCM 초격자의 경우 In-rich 영역과 Ga-rich 영역이 교차로 성장되는 구조를 가지며 가전자대역(valence band)에서 무거운 양공과 가벼운 양공의 band mixing 이 일어나게 되어 선평광된 발광특성을 가진다. 우리는 저온 발광실험에서 In-rich 영역과 Ga-rich 영역의 재결합에 의해 나타나는 두 개의 독립된 전이 피크를 측정하였다. 이 두 피크는 [110] 방향의 편광에서 발광 강도가 최대치를 가지며 [1-10] 방향에서 최소값을 가짐을 보였다. 이때 전이 에너지의 경우 [110] 방향에서 [1-10] 방향으로 편광이 바뀔 때 Ga-rich 영역의 전이의 경우 적색편이를 나타낸 반면 In-rich 영역의 경우 청색편이를 보이는 현상을 발견하였다. 이러한 상반된 편이 현상은 서로 다른 3족 물질의 영역에 따라 격자 상수가 바뀌며 tensile strss와 compressive stress에 따른 가전자 대역의 band mixing 변화에 기인하는 것으로 여겨진다.

• The korean journal of orthodontics
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• v.26 no.5 s.58
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• pp.601-611
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• 1996

Craniofacial growth pattern is an important diagnostic data in the course of orthodontic diagnosis and treatment planning ; it also has great influence in the establishment of occlusion as well as shaping and development of face. There have been many studies to classify different craniofacial growth patterns and attempts to predict growth patterns. This study aimed to correlate craniofacial growth pattern and symphysis morphology. 120 adult patients with age from 19 to 39 (mean age : 23.1) were chosen as subjects , using lateral cephalometric films. their anterior to posterior facial height ratios were calculated. They were divided into 3 groups - clockwise growth pattern with $56\%-62\%$(36subjects), counter-clockwise growth pattern group with $65\%$-80\%$(43subjects) and normal growth pattern group with $62\%-65\%$(41subjects). Symphysis morphology and Prominence evaluation in each subject were studied and the following conclusions were drawn : 1. In comparison of symphysis morphology between the sex groups, men showed large symphysis height and prominence. 2. Concerning the symphysis morphology, the clockwise growth pattern group showed larger height, H/D ratio and actual length but smaller depth, angle, effective length and E/A ratio compared to the counter -clockwise growth pattern group. 3. Those with smaller prominance of symphysis showed clockwise growth tendency and those with larger prominance showed counter-clockwise growth tendency.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.39 no.11
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• pp.1137-1143
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• 2015

The stage II fretting fatigue crack growth and branching, i.e., the process of fretting fatigue crack growth starting in an inclined direction and then changing to the normal direction, is analyzed using the finite element method. The fretting fatigue experiment data of A7075-T6 are used in the analysis. The applicability of maximum tangential stress intensity factor, maximum tangential stress intensity factor range, and maximum crack growth rate as the crack growth direction criteria is examined. It is revealed that the stage II crack growth before and after the branching cannot be simulated with a single criterion, but can be done when different criteria are applied to the two stages of crack growth. Moreover, a method to determine the crack length at which the branching occurs is proposed.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.1
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• pp.38-44
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• 1998

RF 스퍼터링법으로 (001)Si 기판위에 AIN완충층을 성장하고, 그 위에 HVPE법으로 GaN를 성장하였다. GaN의 성장률은 103$0^{\circ}C$의 온도에서 AIN완충충의 두께가 각각 500$\AA$과 2000$\AA$ 일때 65$\mu\textrm{m}$/hr와 84$\mu\textrm{m}$/hr로서 AIN완충층의 두께가 증가함에 따라 증가하였다. AIN완충층위에서 GaN의 성장초기에는 수 $\mu\textrm{m}$크기의 결정들이 임의의 방향으로 성장된 후 성장시간이 경과함에 따라 수평방향으로의 성장에 의하여 합쳐지게 되며, c-축 방향으로 배향된 평탄한 표면을 갖는 다결정체가 성장되었다. 20K의 온도에서 측정된 광루미네센스(PL)스펙트럼에서는 3.482eV에서 자유여지자에 의한 발광과 3.7472eV에서 반치폭이 9.6meV인 도너 구속여기자 발광 및 3.27eV 부근에서의 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합과 LO포는 복제에 의한 발광이 나타났다. 그러나 2.2eV부근에서의 황색발광은 관찰되지 않았다.

• Analytical Science and Technology
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• v.23 no.2
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• pp.103-108
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• 2010

Single crystals of $ZnWO_4$ with [100], [010] and [001] directions were successfully grown by the Czochralski method. The seed crystals for the single crystal growth of $ZnWO_4$ could be induced by the crystal growth using platinum wires applied by the capillary action from the melt. The growth conditions in each direction were investigated in terms of the variations of rotation speed, pulling rate and diameter of the grown crystals. The formation of cracking in the grown crystals during the cooling process could be prevented by annealing effect. The growth directions of the grown crystals were determined using Laue back reflection. The microscopic characteristics of the grown crystals in each direction were discussed, and their physical properties were evaluated for hardness, thermal expansion coefficients and dielectric constants.