• 전기의세계
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• 제25권6호
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• pp.29-30
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• 1976

종래의 고압수은램프의 결점인 광색 및 연색성을 개선한 것이며 고압수은방전등의 석영발광관내에 각종 금속할로겐화합물을 봉입한 것이 메탈하라이드램프이다. 근래의 연구결과로 발광효율의 대폭적인 향상이 이루어지고 있다. 메탈하라이드램프를 크게 나누면 양광램프, 고효율 하라이드램프, 형광 고효율 하라이드램프 등으로 된다. 메탈하라이드램프는 경질유리외관내에 석영발광관을 봉착시킨 고압방전등으로 종래의 수은램프와 외관상 근사하지만 발광물질로서 금속할로겐화합물이 봉입되어 있으므로 램프설계에 있어서는 여러가지 배료가 이루워저야 한다.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권3호
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• pp.238-244
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• 1994

보로실리케이트 유리기판과 석영기판을 사용하여 $800^{\circ}C~520^{\circ}C$의 온도 범위에서 용액 성장법에 의한 다결정 실리콘 박막의 성장에 관해 조사 하였다. 기판상에는 용애과의 젖음성을 좋게 해주기 위해 박막의 알루미늄츠오가 실리콘층이 증착되었으며, 용매로는 알루미늄과 실리콘옥사이드와의 반응에 의해서 일어난다. 결정립 크기가 수백 마이크론까지 이르는 실리콘을 얻을 수 있었으며, 석영기 판의 경우에는 보르실리 케이트 유리기판보다 강한 (111) 우선 성장 방향을 보여주고 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제33권3호
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• pp.91-96
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• 2023

석영유리 도가니(QC)의 사용 중 기포 품질을 검증하기 위하여 적절한 가속 시험 방법을 제안하였다. 실제 Czochralski(Cz) 공정에서 얻어진 폐기물 도가니의 기포 상태를 분석하고 QC 시험편을 이용하여 온도, 압력, 시간을 변화시켜 최적의 열처리 조건을 제시하였다. Cz 공정에서 생성되는 유사한 기포 크기와 밀도로 제어하기 위해서는 1450℃, 0.4 Torr 및 40시간의 열처리 조건이 적절하였다. 특히 Cz 공정에서 적용하는 압력인 10~20 Torr보다 상대적으로 낮은 압력인 0.4 Torr를 선택함으로써 기포 형성 가속시험의 시간을 단축시킬 수 있었다. 열처리 온도를 1550℃ 높일 경우, Ostwald ripening 현상으로 인하여 기포가 커지고 밀도가 급격히 낮아지며, 결정화 발생으로 적절한 가속시험 조건은 아닌 것으로 판단하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.147-147
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• 2003

탄소/탄소 복합체의 내산화 코팅을 위하여 산화티탄, 산화알루미늄, 산화이트륨 등을 포함하는 여러 가지 인산염계 유리를 제조하였다. 유리 산화물조성 몰비는 인산에 대하여 인산알루미늄을 15몰%, 30몰%, 45몰%로 하였고 산화티탄은 70몰%, 산화 이트륨은 25몰%이 되도록 코팅 액을 제조하였다. 제조 된 코팅액은 석영 도가니에서 열처리 하여 급냉 시켰으며, 급냉 시키고 다시 130$0^{\circ}C$, 1시간 동안 열처리하여 유리를 제조하였다. 제조된 유리의 열중량, 열팽창율, 열전도도를 분석하여 탄소 복합체와의 적합성을 조사하고, 내산화성 시험을 위해 탄소/탄소 복합체에 코팅액을 도포하여 산화 감량 비율을 측정하였다. 엑스선 회절분석기와 적외선 분광기를 통하여 인산염 유리의 구조분석을 실시하고 비커스 미세 경도 시험기를 이용하여 기계적 물성을 측정하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.167-167
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• 2010

Ge-Sb-Se계 칼코게나이드 유리의 Melting 조건변화에 따른 특성변화를 연구하였다. Glass melting 조건(homogenization-temperature, homogenization-time, annealing) 에 따라 제작된 칼코게나이드 유리 bulk를 FT-IR, XRD, SEM 등의 분석장비를 이용하여 특성을 분석하였다. Homogenization temperature가 높을수록 석영관 급냉 시 발생되는 mechanical stress와 내부응력차로 인해 칼코게나이드 유리 깨짐현상이 증가하였으며 조성비와 melting 조건에 따라 XRD분석에서 확인되지 않는 미소결정이 SEM 분석결과 관찰되었다. 본 연구를 통해 칼코게나이드 유리의 melting 조건에 따른 경향성을 확인할 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제8권9호
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• pp.871-875
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• 1998

사진식각 공정으로 종횡비가 매우 큰 유리 미세구조물을 제작하였다. 미세구조물의 제작에는 압축응력에 강하고 전기적 절연체인 감광성 유리를 사용하였다. 감광성 유리는 석영기판 위에 크롬이 패턴된 마스크를 사용하여 파장이 312nm인 자외선에 노광되었다. $500^{\circ}C$ 이상의 열처리공정을 거친 후 초음파 분위기에서 10%의 불산용액으로 식각함으로써 유리 미세구조물을 제작하였다. 미세구조물의 최종 형상은 감광성 유리의 두께, 마스크 패턴, 자외선 노광조건 및 식각조건에 크게 의존하였으며, 종횡비가 30이상인 스트라이프 구조의 유리 미세구조물을 제작할 수 있었다.

• 한국분말재료학회지
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• 제20권2호
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• pp.134-137
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• 2013

The quartz glasses were prepared by fumed silica powders sintering method at $1210^{\circ}C$, $1230^{\circ}C$, $1250^{\circ}C$ in air and the effect of sintering temperature on their properties were investigated. The X-ray diffraction pattern, the OH concentration, the light transmittance, the apparent porosity and the density were analyzed. The transparent quartz glass were obtained above $1230^{\circ}C$. The OH-group and macroscopic pores were removed above $1230^{\circ}C$ and highest density and light transmittance were obtained at $1250^{\circ}C$.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제6권4호
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• pp.33-38
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• 2007

Quartz glass panel was prepared by a colloidal silica through the heat-treatment only without any additives in wet-chemical method. This colloidal silica used in slurry process has the uniform distribution of particle size and lower cost. The results show that 6N as a degree of purity and the 86 percentage of violet transmittance in 1mm thickness. AFM(Atomic Force Microscopy) pattern shows that the surface roughness are less than lnm. Also, we investigated the characteristic of quartz panel according to the concentration and distribution of hydroxyl group, viscosity and thermal expansion coefficient.

• 세라미스트
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• 제22권4호
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• pp.429-451
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• 2019

Quartz glass is a key material for making semiconductor process components because of its purity, low thermal expansion, high UV transmittance and relatively low cost. Domestic quartz glass has a market worth about 500 billion won in 2018, and the market power of Japanese materials is very high. Quartz glass for semiconductor process can be divided into general process and exposure. For general process, molten quartz glass is mainly used, but synthetic quartz glass with higher purity is preferred. Synthetic quartz glass is used as the photomask for the exposure process. Recently, as semiconductors started the sub-nm process, the transition from the transmission type using ArF ultraviolet (194 nm) to the reflection type using EUV ultraviolet (13.5 nm) began. Therefore, the characteristics required for the synthetic quartz glass substrates used so far are also rapidly changing. This article summarizes the current technical trends of quartz glass and recent technical issues. Lastly, the present situation and development possibility of quartz glass technology in Korea were diagnosed.

• 한국결정성장학회지
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• 제34권4호
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• pp.131-138
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• 2024

본 연구에서는 소결된 알루미나 기판에 코팅된 35Bi₂O₃-15Al₂O₃-50SiO₂(BiAlSiO) 및 35Bi₂O₃-7.5Al₂O₃-50SiO₂-7.5AlF₃(BiAlSiOF) 유리층의 미세구조와 플라즈마 저항 특성이 소결 조건에 따라 어떻게 변화하는지를 조사하였다. 코팅된 층은 바 코팅(bar Coating) 방법을 사용하여 형성되었으며, 이후 탈지 공정을 거쳐 반구 형성 온도 전/후인 700~900℃ 범위의 온도에서 소결 되었다. 내플라즈마성은 석영유리보다 두개의 코팅 유리가 약 2~3배 더 높았으며, F를 첨가한 BiAlSiOF는 BiAlSiO보다 높은 내플라즈성을 나타냈다. 이는 불소 첨가 효과로 판단된다. 소결 온도가 700℃에서 800℃로 증가함에 따라 두 유리 모두 내플라즈마성이 향상되었으나, 900℃까지 소결 온도를 증가시키면 내플라즈마성은 다시 감소한다(즉, 식각률이 높아진다). 이러한 현상은 두 유리의 결정화 거동과 관련 깊은 것으로 판단된다. 소결 조건에 따른 내플라즈마성의 변화는 Al과 Bi-rich 상의 출현여부에 관련된 것으로 생각된다.