• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2004.04b
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• pp.142-144
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• 2004

시간의 흐름에 따라 그 위치가 빈번히 변화하는 이동 객체의 특성상 실시간으로 증가하는 이동 객체의 궤적정보를 효과적으로 관리할 수 있는 효율적인 색인 기법이 요구된다. 따라서 본 논문에서는 이동 객체의 궤적을 색인하기 위해 기존에 제안되었던 TB 트리의 성능을 개선시킬 수 있는 확장된 TB-트리(Extented TB-Tree：ETB-Tree)를 제안한다. 기존의 TB 트리는 이동 객체의 궤적 세그먼트를 삽입할 때마다 선행 세그먼트를 가지고 있는 리프 노드를 찾기 위해 루트 노드부터 리프 노드까지 순회해야만 하기 때문에 불필요한 노드 접근으로 인한 오버헤드가 발생한다 이를 위해 ETB 트리는 선행 노드를 직접적으로 접근하기 위해 이동객체의 처음 세그먼트와 마지막 세그먼트가 저장된 리프 노드를 가리키는 포인터 정보와 더불어 디스크에서의 폐이지를 가리키는 페이지 번호를 별도의 테이블에 같이 유지한다. 따라서, 저장 시 동일한 이동 객체의 선행 노드를 빨리 검색할 수 있고, 궤적 질의시 직접적으로 디스크에 접근해 해당 객체의 궤적들을 검색함으로써 검색 성능을 향상시킬 수 있다. 아울러 ETB 트리는 새로운 이동 객체의 궤적 정보가 삽입될 때마다 메모리 상의 트리뿐만 아니라 디스크에 반영함으로써 트리의 일관성을 유지한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.59-59
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• 2010

상변화 메모리 소자의 고집적화를 위한 새로운 패터닝 공정을 위하여 블락 공중합체의 자가 조립 특성을 적용한 고분자 패턴을 TiN기판 위에 적용화기 위한 연구를 진행하였다. 블락 공중합체의 자기 조립에 의한 패턴의 모양은 각 기판과 블락 공중합체간의 상호작용에 따라 sphere, cylinder, lamellar 형태의 모양을 띄게 된다. 표면처리가 안된 TiN기판 위의 PS-b-PMMA 블락 공중합체의 패턴의 형태는 cylinder와 lamellar 구조가 섞여 있는 구조로써 PS-r-PMMA 랜덤 공중합체로 기판 표면을 처리해 줄 경우 좀 더 균일한 cylinder 패턴 구조를 얻을 수 있었다. PS-r-PMMA로 기판 표면 처리 전 후의 상호 작용의 변화를 알아보기 위하여 물방울 접촉각 테스트를 하였으며 랜덤 공중합체와 블락 공중합체의 표면 처리 열처리 조건에 따른 패턴 행태의 변화를 관찰하기 위하여 모두 24,48,72시간으로 변화시켜 열처리 하였다. 최종 열처리 후 블락 공중합체의 패턴 형태의 주사 전자 현미경 관찰을 위하여 acetic acid에 60분 동안 침지시켜 PMMA를 제거 후 괄찰하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.19 no.3
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• pp.161-168
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• 2008

We propose a novel bistable nematic liquid crystal cell, which has a dual-frequency liquid crystal material and pixel-isolating polymer wall formed by an anisotropic phase separation of a mixture of liquid crystals and UV-curable pre-polymers. The proposed cell has two stable states of left- and right-handed ${\pi}$-twist. The switching between the two states is achieved by using a sequential waveform of low and high frequencies. A transmissive bistable liquid crystal display is designed, which achieves high contrast ratio by using the proposed cell and optical films.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.55-55
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• 2011

질소 등을 GST225 상변화재료에 첨가시켜 비저항을 증가시킴으로서 PCRAM의 동작 전류를 감소시킨 연구가 선행된 바 있다. 본 연구에서는 GST225와 달리 고속 동작 특성을 갖는 것으로 널리 알려진 Ge-doped SbTe (GeST) 상변화 재료에 Carbon을 첨가하여 박막 특성을 연구하여 동작 전류 감소의 가능성을 타진하였다. 실험을 위한 박막 제작을 위해 2 inch size의 GeST 및 C doped GeST (C-GeST) single target을 이용하여 RF magnetron co-sputtering 하였다. 박막은 carbon이 첨가되지 않은 GeST와 carbon 첨가량이 늘어나는 순서로 C-GeST 1, C-GeST 2, C-GeST 3로 구성된다. 이 때 제작한 박막의 composition analysis를 위해 XRF/RBS/AES가 사용되었고 제작된 박막의 기본적인 특성평가를 위해 resistivity(${\rho}$)와 crystallzation temp.(Cx), surface morphology(AFM), x-ray diffraction pattern(XRD)를 측정하였다. 실험결과 GeST, C-GeST 1, C-GeST 2, C-GeST 3 박막의 Cx는 각각 209, 225, 233, $245^{\circ}C$로 측정되어 carbon 첨가량이 증가됨에 따라 결정화 온도가 증가되는 것을 알 수 있었다. 또한 ${\rho}$도 마찬가지로 annealing 온도를 약 $320^{\circ}C$로 할 경우 ${\rho}$(as-dep)와 ${\rho}$(crystalline) 모두 0.03 / $2.61*10^{-6}$, 0.08 / $7.93*10^{-6}$, 0.09 / $11.99*10^{-6}$, 0.13 / $13.49*10^{-6}{\Omega}{\cdot}m$로 증가하였다. 증가된 ${\rho}$의 원인이 박막의 grain size의 감소라고 단언 할 수는 없으나 AFM 측정결과 grain이라고 추측되는 박막 feature들의 size가 점차 감소하는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korea Multimedia Society Conference
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• 2012.05a
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• pp.147-150
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• 2012

본 연구에서는 GIS 고도 데이터와 항공 영상 사진 정보를 이용하여 3차원 실감 지형 맵 제작 3D 에디터 개발 연구를 한다. 높이맵 방식을 이용하여 지형을 3차원화시켜 사용자에게 제공하며, 이를 위해 카메라를 기준으로 하여 보여주는 지형의 상세함을 변화시키는 상세도 레벨 설정방식으로 컴퓨터 메모리를 효율적으로 관리 할 수 있도록 하였다. 실제 지형 데이터를 이용하기 때문에 컴퓨터상에서 3차원의 실제 지형을 체험할 수 있으며 에디터 기능을 통하여 고도맵과 영상 사진만으로 간단히 실감 지도를 제작할 수 있도록 하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.11a
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• pp.103-104
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• 2006

PRAM (Phase change Random Access Memory) is one of the most promising candidates for next generation Non-volatile Memories. The Phase change material has been researched in the field of optical data storage media. However, the characteristics required in solid state memory are quite different from optical ones. In this study, the reset current and temperature profile of PRAM cells with bottom electrode were calculated by the numerical method.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.11a
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• pp.69-70
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• 2006

A detailed Investigation of cell structure and electrical characteristic in chalcogenide-based phase-change random access memory(PRAM) devices is presented. We used compound of Ge-Sb-Te material for phase-change cell. A novel bottom electrode structure and manufacture are described. We used heat radiator structure for improved reset characteristic. A resistance change measurement is performed on the test chip. From the resistance change, we could observe faster reset characteristic.

• IEMEK Journal of Embedded Systems and Applications
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• v.11 no.2
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• pp.107-116
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• 2016

Density of Phase-Change Memory (PCM) devices has been doubled through the employment of multi-level cell (MLC) technology. However, this doubled-capacity comes in the expense of severe performance degradation, as compared to the conventional single-level cell (SLC) PCM. This negative effect on the performance of the MLC PCM detracts from the potential benefits of the MLC PCM. This paper introduces an efficient way of minimizing the performance degradation while maximizing the capacity benefits of the MLC PCM. To this end, we propose a location-aware hybrid management of SLC and MLC in compressed PCM main memory systems. Our trace-driven simulations using real application workloads demonstrate that the proposed technique enhances the performance and energy consumption by 45.1% and 46.5%, respectively, on the average, over the conventional technique that only uses a MLC PCM.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2005.11a
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• pp.1503-1506
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• 2005

비디오 코딩 기술과 더불어 디지털 비디오 장치의 급속적인 발전으로 최근에 디지털 비디오 시스템에 대한 관심은 극도로 향상되어 있다. 특히, 비디오 압축 기술을 바탕으로 하고 있는 디지털 비디오 레코딩 시스템, DVR은 실제로 채널 확장에 따른 영상의 압축과 복원이 실시간으로 변화되지 않는 비(非) 대층형 압축 기술에 대한 문제점과 화면정지 시의 화질 문제, 초당 녹화 프레임 수를 높이기 위한 압축 기술의 향상과 이에 따른 화질 저하 문제를 모두 해결할 수 있는 기술이 절실히 요구되어지고 있는 가운데, 본 논문에서는 비디오 채널의 확장에 따른 기술적인 부담을 안고 실시간으로 디지털로 기록하는 동안에 캡쳐된 비디오 프레임들의 다채널의 실시간 비디오 데이터 처리에 대한 효과적인 메모리 대역폭 제어와 PCI 대역폭을 제어하는 방법을 통해 시스템 내부의 계산상의 비용을 감소시키고 시스템의 성능을 향상 시킬 수 있는 방법을 제시하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.218-219
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• 2008

In this paper, we have investigated the phase change memory device with cell structure using three-dimensional finite element analysis tool for reducing reset current. From the simulation, the reset current of PRAM with $SiO_2$ inserting layer is greatly reduced, compared with the conventional device.