• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.148-148
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• 2003

질석(vermiculite)을 출발물질로 하여 30$0^{\circ}C$에서 4시간 열처리하여 습식분쇄하고 325mesh 이하의 입자를 선별하여 수열조건에서 양이온 계면활성제인 hexadecyl trimethylammonium bromide (C$_{16}$TABr)를 층간 삽입시켜 유기화 질석을 제조하였다. 생성물을 XRD, TGA, FT-IR 등을 이용하여 분석하였고, 합성 및 층간 삽입조건을 조사하였다. 질석에 $C_{16}$TABr를 층간 삽입을 확인하기 위하여 XRD 분석 결과 d-spacing 값이 9.6$\AA$에서 33.5$\AA$으로 증가됨을 확인하였고, 열중량 시험결과 출발물질과 비교하여 유기화 질석은 25%감량이 확인되었다. 위 결과 값으로부터 질석의 유기화 처리로 인하여 층간 간격이 확장되었음을 확인하였다. 일반적으로 층간 간격이 넓을수록 고분자가 층 사이에 보다 쉽게 삽입될 수 있으며 고분자 매트릭스 안에서 층상화합물의 분산 및 박리가 용이해진다. 따라서 본 연구 결과로부터 합성된 유기화 질석은 고분자 나노복합재로 사용 가능성을 제시하고 있다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2010.05a
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• pp.25.1-25.1
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• 2010

본 연구에서는 절연막에 삽입시킨 실리콘 나노와이어 유연소자를 제작하고 그 소자의 전기적 특성을 분석하여 유연소자로서의 적합성을 평가하였다. 최근 반도체 및 디스플레이 등이 다양한 현장에 응용되면서 유연성을 이용한 소자의 필요성이 대두되고 있다. 이러한 요구를 바탕으로 나노와이어를 유연소자에 적용시키기 위하여 삽입방법을 이용하여 field-effect transistor(FET) 소자를 제작하였다. 유연소자의 기판으로는 polyimide(PI) 및 poly(ethylene 2,6 naphtahalate)(PEN)을 사용하였고, 절연막은 poly-4-vinylphenol(PVP)을 이용하였으며 이때, 나노와이어는 무전해 식각법으로 합성한 실리콘 나노와이어를 사용하였다. 이렇게 제작된 유연소자를 휨 상태 및 삽입된 정도에 따른 전기적 특성을 비교하였고 휨 테스트를 통하여 소자의 안정성을 분석하였다. 전기적 특성은 I-V 측정을 통하여 Ion/Ioff ratio, 이동도, subthreshold swing, threshold voltage값 등을 평가하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.11a
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• pp.64.2-64.2
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• 2011

a-Si 박막 태양전지는 a-Si:H을 유리 기판 사이에 주입해 만드는 태양전지로, 뛰어난 적용성과 경제성을 지녔으나 c-Si 태양전지에 비해 낮은 변환 효율을 보이는 단점이 있다. 변환 효율을 높이기 위한 연구 방법으로는 a-Si 박막 태양전지 단일cell 제작 시 high Bandgap을 가지는 p-layer를 사용함으로 높은 Voc와 Jsc의 향상에 기여할 수 있는데, 이 때 p-layer의 defect 증가와 activation energy 증가도 동시에 일어나 변환 효율의 증가폭을 감소시킨다. 이를 보완하기 위해 본 실험에서는 p-layer에 기존의 p-a-Si:H를 사용함과 동시에 high Bandgap의 buffer layer를 p-layer와 i-layer 사이에 삽입함으로써 그 장점을 유지하고 높은 defect과 낮은 activation energy의 영향을 최소화하였다. ASA 시뮬레이션을 통해 a-Si:H보다 high Bandgap을 가지는 a-SiOx 박막을 사용하여 p-type buffer layer의 두께를 2nm, Bandgap 2.0eV, activation energy를 0.55eV로 설정하고, i-type buffer layer의 두께를 2nm, Bandgap 1.8eV로 설정하여 삽입하였을 때 박막 태양전지의 변환 효율 10.74%를 달성할 수 있었다. (Voc=904mV, Jsc=$17.48mA/cm^2$, FF=67.97).

• Journal of KIISE:Information Networking
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• v.27 no.4
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• pp.465-475
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• 2000

초고속 통신망에서의 정보 침해는 짧은 시간에 많은 데이터의 손실을 초래할 수 있기 때문에 정보보호의 필요성이 제기되고 있다. ATM 망에서의 정보보안을 위해 보안 서비스를 ATM계층과 AAL 계층에 적용시킬 수도 있고 이 계층들 사이에도 적용시킬수 있으며 보안 계층을 따로 두어 보안 서비스를 하나의 계층에서 다양하고 투명하게 적용할 수 있다. 그러나 이러한 연구들의 결과가 이론에 그치고 있고 실제로 암호 알고리즘 등의 보안 서비스를 적용한 망에서의 성능을 평가하는 부분에 대해서는 연구가 부족한 상황이다. 본 논문에서는 사용자 평면에서 데이터의 비밀성, 무결성, 데이터 원천 인증 등의 보안 서비스를 적용한 보안 계층을 구현하고 SDL이라는 모델링 툴을 이용하여 망에서의 메시지 전달 지연 시간 등을 측정한후 그 성능을 비교.분석하였다 모델링하는 세가지 종류의 망은 첫 번째는 보안 서비스가 적용되지 않은 ATM망이고 두 번째는 보안계층이 CS 부계층과 SAR 부계층 사이에 삽입된 망이며 세 번째는 보안 계층이 ATM계층과 AAL계층 사이에 삽입된 망이다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.1283_1284
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• 2009

본 연구는 에폭시-층상실리케이트 나노콤포지트 분산을 위해 여러 분산기법을 적용한 경우이다. 층상실리케이트는 층상과 층상사이로 고분자체인의 삽입으로 층과 층사이가 팽창되어 지는 특성을 갖고 있다. 층상실리케이트 나노콤포지트가 완전한 박리가 일어나게 되면 전반적인 물성의 향상이 동반 상승되는 특성을 갖고 있다. 이런 이유로 homogenizer를 이용한 분산특성실험에서는 삽입되는 정도만을 확인할수있었고, 최적 시간/속도특성을 구할수 있었다. 또한 초음파 분산법으로 나노콤포지트가 박리가 일어나는 경우 존재하였고, 그 조건에 대한 최적특성을 구할 수 있었다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.5 no.7
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• pp.1321-1325
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• 2001

In this article, piezoelectric films and their application for film bulk acoustic resonator (FBAR) devices are presented. The FBAR is composed of piezoelectric film sandwiched between top and bottom electrodes and an acoustic reflector of SiO2/W stacked multilayers. Various FBAR devices were fabricated and evaluated through simulation and measurement. The insertion loss, return loss and Q-factor were observed to be reasonably high and good. The FBAR technology seems very promising particularly for RF band filter application.

• Proceedings of the Korean Society For Composite Materials Conference
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• 1999.04a
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• pp.189.1-192
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• 1999

Mechanical characteristics of composite laminates with carbon tissue and glass scrim are evaluated in this paper. Composite laminates in USN125 group are made by inserting carbon tissue and glass scrim between layers. Consequently it was shown that mechanical characteristics of carbon fiber reinforced composite materials were improved by inserting carbon tissue.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.403-403
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• 2011

TCO/p/i/n 구조의 비정질 실리콘 박막 태양전지의 제작에 있어서 a-Si 혹은 넓은 밴드갭 물질인 SiOx, SiC 등은 window layer로 주로 사용 되어왔다. 그러나 ${\mu}c$-Si는 우수한 광학적, 전기적 특성에 불구하고 낮은 activation energy에 의한 p/i interface 에서의 band-off set에 의한 정공재결합에 의해 사용되어 지지 못했다. 이러한 재결합은 p/i interface상에 buffer layer를 삽입함으로써 개선되어 질 수 있다. 본 논문에서는 비정질 실리콘 보다 넓은 광학적 밴드갭을 가지는 a-SiOx 박막을 완충층으로 사용하여 p/i 계면에서의 재결합 감소에 대한 시뮬레이션을 수행하였다. a-SiOX 박막 내에 포함 된 산소의 양에 따라 밴드갭을 조절하여 1.8eV~2.0eV 사이의 완충층을 삽입하여 박막태양전지의 개방전압, 단락전류, 효율 등에 끼치는 영향을 ASA 시뮬레이션을 통하여 알아보았다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2001.10a
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• pp.621-625
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• 2001

In this article, piezoelectric films and their application for film bulk acoustic resonator (FBAR) devices are presented. The FBAR is composed of piezoelectric film sandwiched between top and bottom electrodes and an acoustic reflector of SiO$_2$/W slatted multilayers. Various FBAR devices were fabricated and evaluated through simulation and measurement. The insertion loss, return loss and Q-factor were observed to be reasonably high and good. The FBAR technology seems very promising particularly for RF band filter application.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.11a
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• pp.177-179
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• 2002

A1$_2$ $O_3$기판재료의 $K_{IC}$ 증가를 위한 재료설계를 시도하였다. 먼저 A1$_2$ $O_3$기판을 구성하는 A1$_2$ $O_3$다층구조물에 적절한 다공성 중간층을 삽입하는 샌드위치 구조물을 제조하였다. 제조된 A1$_2$ $O_3$구조물의 미세구조를 관찰하였고, Vickers 경도와 three-point bending test를 통해서 단일조성 구조물과 샌드위치 구조물의 경도와 인성 측정치를 비교하였다. 다공층을 삽입한 A1$_2$ $O_3$샌드위치 구조물의 Single-Edge Notched Beam이 단일 조성의 구조물에 비해 파괴강도와 인성이 향상되는 결과를 얻었다.