• Title/Summary/Keyword: 산화저항성

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Synthesis characterization of Ni-Cr nanofibers via electrospinning method (전기방사를 통한 Ni-Cr 나노 섬유 합성 및 특성분석)

  • Lee, Jeong-Hun;Won, Mi-So;Lee, Gyu-Hwan;Choe, Seung-Mok
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2017.05a
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    • pp.168.2-168.2
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    • 2017
  • 발열체는 전기 에너지를 열 에너지로 변환시키는 전기 저항체인데, Ni-Cr계 합금이 발열 가능 온도가 범위가 크고 열 효율 및 내 산화성, 내 부식성이 우수하여 발열체로 많이 사용되고 있다. 그리고 기존의 선형 발열체의 효율성을 개선한 면상 발열체가 개발되었고, 최근 나노 기술의 발달로 나노크기의 ITO(Indium Tin Oxide) 입자나 탄소나노튜브가 코팅된 형태의 투명 면상 발열체가 개발되어 주목을 받고 있다. 투명 면상 발열체는 발열체의 형태를 거시적으로 확인할 수 없기 때문에 자동차의 전면 유리 히터 및 건축용 기능성 창호 등의 심미적 효과를 요구하는 제품에 사용될 수 있다. 본 연구에서는 PVP(Poly vinyl Pirrolidone)을 이용하여 Ni-Cr Nanofiber 제조를 위한 효율적인 전기 방사 조건을 도출한다. PVP 질량에 따라서 Ethanol과 Methanol, 물을 이용하여 viscosity와 ion conduciviy를 조절하였고, 전기방사 조건으로 bead를 최소화 하는 나노섬유를 얻었다. 이어서 Ni-Cr/PVP 용액은 Metal Precursor wt.% 조절 및 방사조건으로 100~300nm의 직경을 가진 나노 섬유를 얻을 수 있었다. 산화/환원 열처리 후 PVP와 Oxide가 제거된 Ni-Cr nanofiber를 합성하였다. Nanofiber 형상은 FE-SEM으로 측정하였으며, XRD, FT-IR 분석을 통해 제작된 나노 섬유의 구조적 특성을 확인하였다.

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Characterization of $SiO_2-R_2O_3$-RO with compositions changes of $R_2O_3$, RO on Sealant ($SiO_2-R_2O_3$-RO계에서 $R_2O_3$, RO 변화에 따른 밀봉재 특성)

  • Yang, Sang-Jin;Choi, Byung-Hyun;Lee, Mi-Jai;Lee, Hong-Lim;Yoo, Young-Sung
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.23-23
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    • 2007
  • 고체산화물연료전지(SOFC)는 연료가 갖는 화학에너지를 연소과정 없이, 공기와 $H_2$, CO, $CH_4$와 같은 환원성 가스를 공급받아 $700^{\circ}C-850^{\circ}C$에서 전기화학적 반응을 통하여 직접 전기를 얻는 방식이다. SOFC는 여러장의 단위 셀을 적층하여 스택을 구성하는데, 스택 제조시 단전지에 공급되는 산화, 환원 가스의 누출이나 흡입을 막기 위하여 밀봉재를 사용한다. 이러한 밀봉재는 완벽한 밀봉, 열에 대한 안정성, 충격에 견디는 저항성 등의 기계적인 특성 및 구성요소와의 최소한의 열팽창계수차를 가져야 한다. 따라서 본 연구에서는 $SiO_2-R_2O_3$-RO계에서 $R_2O_3$, RO의 변화에 따른 밀봉 특성 및 열팽창계수에 미치는 영향을 조사하였다.

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Characterization of ZnO thin films prepared by pulsed laser ablation method (Laser Ablation법에 의해 형성된 ZnO 박막의 특성평가)

  • 조중연;장호정;서광종
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.03a
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    • pp.103-103
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    • 2003
  • ZnO$_{1-x}$(또는 Zn$_{1+x}$O) 산화아연은 과잉의 아연(또는 oxygen vacancy)이 도우너(donor) 역할을 하는 비화학양론적 n형 산화물 반도체이다. ZnO는 높은 투과율을 가지고 온도나 주변환경에 대해 매우 안정하며, 또한 이미 상용화된 ITO (Indium tin oxide)에 비해 식각 특성이 우수하고, 수소 플라즈마에 대한 저항성이 크다는 장점 때문에 가스센서와 디스플레이용 소자 등 다양한 분야에 응용이 가능하다. ZnO 박막은 CVD, Reactive Magnetron Sputtering, Electron-beam Evaporation 등 여러 가지방법으로 제작할 수 있다. 본 연구에서는 형성된 박막의 구성성분이 타겟의 성분과 유사하고 낯은 기판온도에서도 박막이 형성되어지는 장점을 가지는 Pulsed Laser Deposition 방법을 사용하여 유리 기판위에 ZnO 박막을 형성하였다.다.

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Oxygen Reduction Mechanism and Electrode Properties of (La,Sr)$MnO_3$-YSZ Composite Cathode for Solid Oxide Fuel Cell (Part I: Oxygen Reduction Mechanism) (고체산화물 연료전지용 (La,Sr)$MnO_3$-YSZ 복합체 양극의 산소환원 반응기구 및 전극 특성 (Part I: 산소환원 반응기구))

  • 김재동;김구대;이기태
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.38 no.1
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    • pp.84-92
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    • 2001
  • (La,Sr)MnO$_3$(LSM)-YSZ 복합체 양극의 산소환원 반응기구에 대해 고찰하였다. YSZ를 첨가함에 따라 복합체 양극의 ohmic 저항이 증가하고, 분극 저항은 YSZ를 40 wt%~50 wt% 혼합하였을 때 최소값을 나타내었다. 또한 LSM-YSZ 복합체 양극의 산소환원 반응기구는 1가 산소이온의 표면확산과 산소이온전달반응에 의해서 지배됨을 알 수 있었다. 임피던스 분석 결과에 따르면 고주파수 영역에서 나타나는 반원은 산소이온전달반응으로 산소분압 의존성이 거의 없고, YSZ가 40 wt% 첨가되었을 때 최소값을 나타내었다. 중간주파수 영역에서 나타나는 반원은 1가 산소이온의 표면확산반응으로 산소분압 의존성은 약 1/4이고, YSZ가 40~50 wt% 첨가되었을 때 최소값을 나타냈다. 한편, 저주파수 영역에 나타나는 반원은 가스확산반응으로 산소분압 의존성이 1이고, 온도에 따른 의존성이 거의 없었다.

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MR Characteristics of $Al_2O_3$ Based Magnetic tunneling Junction ($Al_2O_3$를 절연층으로 이용한 스핀 의존성 터널링 접합에서의 자기저항 특성)

  • 정창욱;조용진;정원철;조권구;주승기
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.10 no.3
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    • pp.118-122
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    • 2000
  • MR characteristics of $Al_2$ $O_3$ based magnetic tunneling juction with various $Al_2$ $O_3$ thicknesses were investigated. Spin-dependent tunneling junctions, in which the tunneling barrier $Al_2$ $O_3$ is formed by depositing a 1-3 nm thick Al layer, followed by thermal oxidation at room temperature in an $O_2$atmosphere, were fabricated on 4$^{\circ}$tilt(111)Si substrate in 3-gun magnetron sputtering system. The top and bottom ferromagnetic electrodes were Ni$_{80}$Fe$_{20}$ and Co. A maximum Tunneling MR ratio of 14% was obtained in the junction of which insulating barrier thickness was 2 nm. By increasing the tunneling voltage across the junction, maximum MR ratio reduced and finally showed no MR characteristics.s.

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The sputtering vacuum deposition of indium tin oxide thin film on a-Si:H thin film (비정질실리콘 박막위에서 ITO박막의 스퍼터링 진공 증착)

  • Hur, Chang-wu
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2009.10a
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    • pp.910-912
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    • 2009
  • 투명전극은 비저항이 $1{\times}10^{-3}{\Omega}/cm$이하, 면저항이 $10^3{\Omega}/sq$이하로 전기전도성이 우수하고 380에서 780nm의 가시광선 영역에서의 투과율이 80%이상이라는 두 가지 성질을 만족시키는 박막이다. 기존의 평판디스플레이의 경우, 금속 산화물 투명전극이 진공 증착 공정을 통해 도포된 유리기판상의 각 화소를 포토리소그래피 공정으로 제조된 박막트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)로 제어함으로써 화상을 구현한다. 본 연구에서는 스퍼터링 진공 증착 장치를 이용하여 투명 도전막(ITO: Indium Tin Oxide)을 제작하고 제작된 ITO 박막의 광 및 전기 그리고 물성적 특성을 조사하여 최상의 공정 조건을 확립하였다. a-Si:H 박막위에 형성되는 ITo 박막은 a-Si:H 박막의 특성상 온도 및 스퍼터링 전력에 대한 연구가 주요 문제이다. 본 실험에서는 $In_2O_3:SnO_2$의 조성비는 90:10 wt% 인 타겟의 특성이 우수하였고, $Ar:O_2$의 분압비는 100:1 및 42:8 의 조건이 적당하였으며, 온도는 $200^{\circ}C$ 가장 우수한 특성을 얻을 수 있었다. $200^{\circ}C$ 는 비정질 실리콘의 성능에 좋은 영향을 미치는 온도이며, 알려진 것과 같이 $23^{\circ}C$ 즉 실온의 경우에 비해 막의 균질성 및 특성이 우수 한 것을 알 수 있었다. 본 연구에서 제작한 박막은 광 투과도가 90% 이상, 비저항이 $300{\mu}{\Omega}cm$ 이하의 특성을 갖게되어 이미지센서, 태양전지, 액정 텔레비젼등 빛의 통과와 전도성등 두가지 특성에 동시에 만족 될만한 성능을 가질 수 있음을 확인하였다.

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The effect of oxygen on back reflector of thin-film solar cell (박막태양전지의 후면 반사막에 산소가 미치는 영향)

  • Lee, Dong-Hyuk;Jin, Seong-Eon;Kim, Bum-Jun
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2010.06a
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    • pp.74.2-74.2
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    • 2010
  • 유리를 기판으로 하는 실리콘 박막태양전지의 경우 PIN 비정질 태양전지 뒤에 후면반사막으로 주로 Ga 또는 Al이 Doping된 후면반사막을 사용한다. 이 후면반사막의 경우 PIN층을 통과한 빛을 반사함으로써 빛의 효용성을 높이는 데 그 목적이 있다. 본 논문에서는 후면박사막으로 ZnO:Al을 사용하고 산소 부여량에 따른 투과도, 비저항 변화를 살펴보고 실제로 a-Si:H 박막태양전지를 제작하여 그 효과를 파악하였다. 이 때 산소 부여량이 많아질 경우 투과도는 높아지지만 비저항이 급격히 높아지는 문제가 있었으나 이 조건으로 a-Si:H 박막태양전지를 제작시에도 효율이 상승하였다.

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Ag, Al and Cu metal mesh films prepared by photolithography for touch screen panel (Photolithography 공정으로 제작한 touch screen panel 용 Ag, Al, Cu metal mesh film)

  • Kim, Seo-Han;Yu, Mi-Yeong;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2015.11a
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    • pp.287-288
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    • 2015
  • 최근 투명 산화물 전극 (TCO)은 LED, electronic display, solar cell, touch screen panel (TSP) 등 다양한 분야에 많이 사용되고 있다. TCO는 높은 광 투과도와 전도성으로 인해 여러 분야에 많이 사용되고 있으며, 특히 ITO (Sn-doped indium oxide)가 display 분야에 많이 적용되고 있다. 하지만, ITO는 투과도와 면저항의 반비례 관계를 가지므로 더 낮은 면저항이 요구되는 대면적 TSP 분야에 적용되기에는 많은 개선이 필요하다. 따라서, 본 연구에서는 metal mesh film의 연구를 통해 TSP 분야에 사용되는 ITO를 대체하고자 한다. 제작된 mesh film은 모두 면저항은 $15{\Omega}/{\square}$ 이하, 광 투과도 90% (@550nm) 이상을 나타내었다.

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Double Exchange Interaction in Colossal Magnetoresistance Compounds: $La_{1-\chi}X{\chi}MnO_3$ (초거대 자기저항 $La_{1-x}X_xMnO_3$ 화합물에서의 이중 교환 상호작용)

  • 유운종;이재동;민병일
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.7 no.1
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    • pp.55-67
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    • 1997
  • Double exchange interaction leads to the ferromagnetism by the direct coupling between conduction electrons and magnetic ions. The most intriguing feature of double exchange is the explicit connection of the conductivity with the magnetism, which has drawn much interest in relation to the colossal magnetoresistance (CMR) recently observed in manganese oxide compounds. In this review, we explain the basic physics of double exchange and examine the classical discussions.

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Thermal Stability of ${\alpha}-{Fe_2O_3}/Co/Cu/Co$ Spin Valve

  • Jung, Gyu-Jung;Lee, Byeong-Seon;Lee, Chan-Gyu;Lee, Gun-Hwan
    • Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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    • 2002.12a
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    • pp.154-155
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    • 2002
  • 스핀밸브형 GMR(Giant magnetoresistance) 소자는 낮은 자장범위에서 큰 자기저항변화가 생기는 높은 민감도의 소자로서, 고밀도 자기기록매체의 재생헤드 및 MRAM(Magnetoresistance Random Access Memory) 등의 실제 응용에 있어 큰 자기저항비와 열적 안정성을 가지는 재료들을 필요로 한다. NiO, a-$Fe_2O_3$, NiO/a-$Fe_2O_3$ 등과 같은 산화물의 경우, 높은 Tn(Neel temperature)을 가지므로 이를 이용한 Bottom형 스핀밸브에 대한 연구가 활발히 진행되어 왔다. (중략)

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