• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.239-239
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• 2003

탄소재료의 산화반응을 설명한 대부분의 논문은 TGA(Thermo Gravimetric Analysis)를 이용한 연구이다. TGA 장치는 가열이 필요한 물질의 반응연구에 다양하게 이용되고 있는데, 온도에 대한 무게 변화를 간편하게 알 수 있다는 장점과 함께 보편적으로 편리한 Arrhenius형태의 속도식으로 해석된다. 많은 연구자들은 TGA를 이용하여 다양한 탄소재료에 대한 반응속도상수를 구하였으며, 반응기체, 반응온도 및 원료물질에 따라 다른 속도를 나타내는 실험결과를 표준화된 속도식으로 표현하고자 하는 노력이 있었다. 그러나 이런 대부분의 연구는 coal 등과 같은 탄소재료의 연소특성을 이용하려는 에너지 변환 연구가 주를 이루어 왔으며, 탄소섬유의 산화반응에 대한 표준화 식으로 해석한 보고는 거의 없는 실정이다. 이 연구에서는 내부구조가 현격하게 차이나는 다른 두 종류의 피치계 탄소섬유를 TGA를 이용하여 등온 산화반응 시켰다. 반응기체의 종류와 반응온도를 변화시켜 산화반응조건에 따른 중량변화를 관찰하였고, 여러 산화조건에서 얻어진 산화속도를 Kasaoka 등에 의해 제안된 표준화식을 이용하여 산화반응의 평균 속도상수 K와 전환율이 0.5일 때의 속도상수 $k_{f=0.5}$ 결과를 비교하여 산화 반응속도를 정량적으로 해석하고자 하였다.다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.4 no.1
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• pp.19-30
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• 1991

W/Si의 조성비가 2.6인 CVD텅스텐 실리사이드를 어닐링처리후 dry 또는 wet oxidation하여 폴리사이드 구조에서 다결정 Si내의 농도가 실리사이드의 산화반응속도에 미치는 영향을 조사하였다. 인의 농도에 관계없이 항상 실리사이드의 산화속도가 (100)Si의 그것보다 더 높았다. 저온에서 dry oxidation한 경우 인의 농도가 증가함에 따라 산화속도는 감소하였으나 고온에서 dry oxidation한 경우에는 P농도와 산화속도간에 상관관계가 별로 없었다. 한편, wet oxidation의 경우에는 모든 산화온도에서 인의 농도가 높을수록 실리사인의 산화속도가 더 낮은 것으로 나타났다.

• Korean Journal of Food Science and Technology
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• v.29 no.6
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• pp.1094-1100
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• 1997

Effects of sodium hypochlorite (NaOCl) concentration, temperature and pH on oxidation mechanism of corn starch were investigated. The rate of oxidation was dependent on the concentration of hypochlorite, pH and temperature of oxidation. The reaction was either first or second order depending on the concentration of NaOCl. At oxidant concentration of $0.75{\sim}3.0%$ active Cl/g starch, the reaction was first-order and it was second-order at $3.75{\sim}4.5%$ active Cl/g starch. The first-order rate constants were increased with increasing oxidant concentration. The rate of oxidation of starch was highest at pH 7 and decreased with increasing acidity or alkalinity of the medium. As the reaction temperature increased, the rate of oxidation was increased.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.36 no.5
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• pp.644-651
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• 1992

The kinetics of the gas phase reaction of ozone(∼0.5 torr) with sulfur trioxide was investigated in the range of 6∼12 torr pressure at 69∼150${\circ}C$. The reaction rate of ozone with sulfur trioxide was faster than the reaction rate of $O_3 in the presence of CO_2 alone. No evidence for a molecular reaction of O_3 with SO_3 was found and the faster rate is probably due to impurity (HX) from the SO_3 reactant which gives rise to a chain reaction initiated by O_3 ＋ HX → OH ＋ O_2 ＋ X and also SO_3 has a larger collision diameter, which may be attributed to the O3 thermal decomposition more feasibly. The proposed experimental law [-d(O_3)/dt] = k_a(SO_3)(O_3) ＋ k_b(O_3)^{3/2} gives a rate constant ka(M-1 s-1) = (1.55 {\pm} 0.67) {\times} 105 e-{(9.27 0{\pm}0.43)kcal/RT}.$

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1995.05a
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• pp.805-805
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• 1995

핵연료저장시설의 화재 등 극단적인 사고조건하에서 $UO_2$ 소결펠렛의 습식산화와 건식산화에 대한 연구를 수행하였다. 손상된 지르칼로이 피복관 속의 $UO_2$ 소결펠렛을 산성분위기의 습윤조건하에서 산화시킬 때의 $UO_2$ 펠렛의 산화속도는 IDR(mg/$\textrm{cm}^2$.min) = 1.55 [H$^{+}$]$^{1.21}$ 로 나타났다. 또한 습윤조건하에서 $UO_2$ 분말에 알카리 및 알카리 토금속 산화물, 그리고 백금족 및 회토류 산화물 등과 같은 불순물들이 존재할 때의 산화속도를 조사하였으며 이들에 대한 영향도 관찰하였다. 핵연료저장시설의 가상화재를 바탕으로 한 400~$700^{\circ}C$의 온도범위에서, 피복관이 씌워진 $UO_2$ 소결펠렛의 건식산화반응을 조사한 바 $UO_2$ 소결펠렛은 산화초기에 U$_4$O$_{9}$ 또는 U$_3$O$_{7}$ 등의 중간상 형성에 따른 3-4%의 부피축소에 의해 결정립계 균열이 일어나고, $600^{\circ}C$ 이하에서는 온도증가에 따라 중간상에서 U$_3$O$_{8}$ 상으로의 상변화에 의한 부피팽창으로 피복관의 변형과 함께 산화속도의 가속을 발견할 수 있었고, $600^{\circ}C$ 이상에서는 핵연료소자의 소성변형으로 인한 산화속도의 지연을 발견할 수 있었다. 또한 $UO_2$ 펠렛의 건식산화거동은 기체-고체 반응시의 전형적인 형태인 shrinking core model에 잘 적용될 것으로 판단되었다.

• KSBB Journal
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• v.16 no.6
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• pp.573-578
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• 2001

The effects of organic supplement (acetate) and dissolved oxygen concentration on the nitrification rate of wastewater were investigated in the 27.7 L pilot-scale airlift biofilm reactor with the granular activated carbon media of 0.613 mm diameter. The ammonium oxidation rate increased stepwise up to 5 kg N/㎥$.$d at the riser air velocity of 0.063 m/s, when the air velocity and the ammonium loading rate were raised alternately. The nitrite build-up was observed during the early stage of the biofilm formation, which disappeared after the reactor operation of 128 days. As increasing the organic loading rate, the organic oxidation rate increased up to 25.0 kg COD/㎥$.$d with the removal efficiency of 94% but the oxidation rates of ammonium and nitrite decreased. The oxidation rates of ammonium and nitrite increased with the dissolved oxygen concentrations. When the pure oxygen was sparged, the ammonium oxidation rate was almost five times higher than that with air at the same velocity.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.240-240
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• 2003

탄소재료의 가스화속도는 근본적으로 활성자리의 수와 관련되어 있으며, 또한 가스화속도는 활성자리 뿐 아니라 확산제한에 따라 달라진다. 대부분의 탄소재료의 활성화 초기단계는 제한된 활성자리 때문에 반응속도는 느리고, 다음 단계는 총 활성자리가 증가하여 반응속도는 급격히 증가하고, 마지막으로 활성자리가 감소하여 활성화 속도는 감소한다. 이러한 sigmoidal특성을 나타내는 활성화 단계를 기공발달과정으로 설명하면, 활성화 초기에 탄소재료 내부에 이미 존재하는 닫힌 기공이 열리고, 일단 기공이 열리면 성장하게 된다. 이렇게 기공 수가 증가하는 것 뿐 아니라 기공 직경이 증가하여 활성화 과정이 진행될수록 비 표면적 및 기공부피는 증가하는데 이런 일련의 과정을 통하여 활성자리 수는 증가하고 또는 감소한다. 이렇게 기공이 발달하는 과정은 각각의 활성화 단계에서 탄소재료의 비 표면적 측정으로 알 수 있으며, 전반적인 산화속도 변화를 측정하여 반응단계를 추정하게 된다. 대부분의 연구자들은 반응 전체의 평균 산화속도를 측정한 후 활성화 에너지를 구하여 반응조절단계로 활성화 기구를 설명한다. 이 연구에서는 활성화 과정 중에 발생하는 중량감소 단계, 즉 각각의 활성화 단계에 따라 달라지는 반응속도상수를 측정하고, 반응단계별 활성화 에너지를 비교 해석하여 피치계 탄소섬유의 기공발달에 영향을 미치는 활성화 기구를 고찰하고자 하였다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.33 no.7
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• pp.816-822
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• 1996

Dependence of graphitic structure on oxidation of carbon materials was discussed using furan resin-derived carbon with inorganic compounds such as SiC and TiO2 Oxidation of carbon was governed by active site. I. e surface area regardless of the degree of graphitization. When oxidation was considered for not unit weight but unit area graphitization was important factor for oxidation so that the degree of graphitization increased the oxidation rate was delayed. Graphite (tiO2 addition) and turbostratic graphite(SiC addition) were oxidized through the same mechanism. In carbon materials with different structure components more than 2 oxidation of each component was different and amorphous component without the influence of additives on the surface was selectively oxidized in the intial oxidation stage.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.18 no.2
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• pp.117-125
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• 1974

The catalytic reaction between carbon monoxide and oxygen was investigated in the presence of catalysts which were specially treated by applying an annealing method at different monoxide and oxygen and at reaction temperatures in the region of partial pressures of carbon $40^{\circ}C$ to $95^{\circ}C$. The oxidation rate is highest on NiO annealed at low temperature in vacuum. The data has been correlated with the first order kinetics, and the activation energies from the Arrhenius equation are found to be 4Kcal/mole in the region of the experimental temperatures. The excess oxygen in NiO obtained from the decomposition of $NiCO_3$does not cause activation at $95^{\circ}C$. But NiO catalysts annealed again in vacuum display activation even at $40^{\circ}C$. The quantity of the excess oxygen in NiO surfaces seems to be the controlling factor in determining the rates of oxidation of carbon monoxide.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.8 no.3
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• pp.395-402
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• 1997

The $SiO_2$ films were prepared by ECR(electron cyclotron resonance) plasma diffusion method, Deal-Grove model and Wolters-Zegers-van Duynhoven model were used to estimate the oxidation rate which was correlated with surface morphology for different orientation of Si(100) and Si(111). It was seen the $SiO_2$ thickness increased linearly with initial oxidation time. But oxidation rate slightly decrease with oxidation time. It was also shown that the oxidation process was controlled by the diffusion of the reactive species through the oxide layer rather than by the reaction rate at the oxide interface. The similar time dependency has been observed for thermal and plasma oxidation of silicon. From D-G model and W-Z model, the oxidation rate of Si(111) was 1.13 times greater than Si(100) because Si(111) had higher diffusion and reaction rate, these models more closely fits the experimental data. The $SiO_2$ surface roughness was found to be uniform at experimental conditions without etching although oxidation rate was increased, and to be nonuniform due to etching at experimental condition with higher microwave power and closer substrate distance.