• Title/Summary/Keyword: 산소저항성

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High crystallization of ultra-thin indium tin oxide films prepared by reactive sputtering with post-annealing (반응성 스퍼터링으로 제조한 ITO 초박막의 후 열처리에 따른 고 결정화)

  • Lee, Ho-Yun;Kim, Seo-Han;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2018.06a
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    • pp.128-128
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    • 2018
  • 최근 디스플레이 기술은 보다 가볍고, 얇고, 선명한 스마트 형태로 발전되고 있다. 특히 스마트산업의 성장으로 터치스크린패널(Touch Screen Panel, TSP)을 사용하는 기술이 다양해짐에 따라 더 높은 감도와 해상도를 달성하기 위한 핵심기술이 필요한 실정이다. TSP는 저항막 방식, 정전용량 방식, 적외선 방식, 초음파 방식 등 다양한 방식이 있다. 그 중 정전용량방식 터치 패널 (Capacitive type touch panel, CTTP)은 다른 유형에 비해 빠른 반응속도 및 멀티 터치 기능 등의 이점을 가지고 있기 때문에 연구의 초점이 되고 있다. 이를 실현하기 위해서 CTTP은 가시광영역의 높은 투과율과 낮은 비저항을 필요로 하기 때문에 박막의 초 슬림화 및 고 결정화도가 선행되어야만 한다. CTTP에 사용되는 투명전극 소재 중에서 40%의 비중을 차지하고 있는 ITO박막은 내구성과 시인성이 좋으나 생산 비용이 비싸다는 단점이 있다. 한편, 반응성 스퍼터링은 기존에 단일 소결체를 사용한 DC마그네트론 스퍼터링법보다 높은 증착률과 낮은 생산 비용으로 초박막을 만들 수 있다는 장점을 가진다. 본 실험에서는 In/Sn (2wt%) 금속 합금 타깃을 사용한 반응성 스퍼터링법을 이용하여 기판 온도 (RT 및 $140^{\circ}C$)에서 두께 30 nm의 In-Sn-O (ITO)박막을 증착하고, 대기 중 $140^{\circ}C$ 온도에서 시간에 따라 열처리한 후 박막의 물성을 관찰하였다. 증착 중 기판 가열을 하지 않은 ITO 박막의 경우, 열처리 시간이 증가함에 따라 비저항은 감소하였고, 홀 이동도는 현저하게 증가하였으며 캐리어 밀도에서는 별다른 차이가 없었다. 이를 통해 비저항의 감소는 캐리어 농도보다는 결정화를 통한 이동도의 증가와 관련 있다는 것을 확인할 수 있었다. 열처리 시간에 따른 박막의 핵 생성 및 결정 성장은 투과 전자 현미경(TEM)으로 명확하게 확인하였으며, 완전 결정화 된 박막의 grain size는 300~500 nm로 확인되었다. 기판온도 $140^{\circ}C$에서 증착한 박막의 경우, 후 열처리를 하지 않은 상태에서도 이미 결정화 된 것을 확인할 수 있었으며, 후 열처리 시에도 grain size에는 큰 변화가 없었다. 이는 증착 중에 박막의 결정화가 이미 완결된 것으로 판단된다. 또한, RT에서 증착한 박막의 경우에는 후 열처리 초기에는 산소공공등과 같은 결함들의 농도가 감소하여 투과율이 증가하였으나 완전한 결정화가 일어난 후에는 투과율이 약간 감소한 것을 확인할 수 있었다. 이는 결정화 시 박막의 표면 조도가 증가하였고 이로 인해 빛의 산란이 증가하여 투과율이 감소한 것으로 판단된다. 이러한 결과로 반응성 스퍼터링 공정으로 제조한 ITO 초박막은 후열처리에 의한 완전한 결정화를 이룰 수 있으며, 이를 통해 얻은 낮은 비저항과 높은 투과율은 고품질 TSP에 적용될 가능성을 가진다고 판단된다.

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MR Characteristics of CoO based Magnetic tunnel Junction (CoO를 절연층으로 이용한 스핀 의존성 터널링 접합에서의 자기저항 특성)

  • 정창욱;조용진;안동환;정원철;조권구;주승기
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.10 no.4
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    • pp.159-163
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    • 2000
  • MR characteristics in magnetic tunnel junction using CoO as the oxide barrier were investigated. Spin-dependent tunnel junctions were fabricated on 4$\^$o/ tilt-cut (111)Si substrates in 3-gun magnetron sputtering system. The top and bottom ferromagnetic electrodes were Ni$\_$80/Fe$\_$20/(300 $\AA$) and Co(300 $\AA$), respectively. The oxide barriers (CoO) were formed by the thermal oxidation at room temperature in an O$_2$ atmosphere and the plasma oxidation. The increase of coercive field due to antiferromagnetic-ferromagnetic coupling has been observed in O$_2$plasma-oxidized CoO based junctions at room temperature. At a sensing current of 1 mA, MR ratios of O$_2$plasma-oxidized CoO based junction and thermal-oxidized CoO based junction at room temperature were 1% and 5%, respectively. Larger MR ratios are observed in magnetic tunnel juctions with thermal oxidized CoO when sensing current more than applied 1.5 mA. At a sensing current of 1.5 mA, we have observed MR value of 28 % and specific resistance (RA=R$\times$A) value of 10.9 ㏀$\times$$^2$. When specific resistance values reached 2.28 ㏀$\times$$^2$, we have observed that MR ratios become as high as 120%.

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A study of $SnO_2$ thin films grown at the different carrier gas (수송가스 변화에 따른 $SnO_2$박막 성장 연구)

  • Oh, Seok-Kyun;Shin, Chol-Hwa;Jeong, Jin
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.11a
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    • pp.402-402
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    • 2008
  • 화학 수송법을 이용하여 양질의 $SnO_2$ 박막을 성장 시켰다. 성장 된 $SnO_2$ 박막은 수송가스 변화에 따라 양자의 크기 형태와 결정성, 박막내부의 결함과 전기 전도도, 산소결합과 광발광 등이 변화된 특징을 가졌지만 Sn과 O의 성분비는 계면부터 박막의 표면까지 화학 양론적으로 일정한 비를 가졌다. 그리고 입자의 크기와 결정성은 가스유입랑에 따라 변화 되었으며, 박막의 전기저항과 HALL 캐리어도 수송가스 따라서 변화됨이 관찰 되었고, 박막 내 $SnO_2$ 광 발광의 피크도 변화가 되었다.

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Effect of Deposition Temperature and Oxygen on the Growth of $RuO_2$ Thin Films Deposited by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (금속유기 화학증착법으로 증착시킨 $RuO_2$박막의 성장에 미치는 증착온도와 산소의 영향)

  • 신웅철;윤순길
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.34 no.3
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    • pp.241-248
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    • 1997
  • RuO2 thin films were deposited on SiO2(1000$\AA$)/Si and MgO(100) single crystal substrates at low tem-peratures by hot-wall metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD), and effects of deposition paramet-ers on the properties of the thin films were investigated. RuO2 single phase was obtained at lower de-position temperature of 25$0^{\circ}C$. RuO2 thin films deposited onto SiO2(1000$\AA$)/Si substrates showed a random orientation, and RuO2 films onto MgO(100) single crystals showed the (hk0) orientation. The crystallinity and resistivity of RuO2 thin films increased and decreased with increasing deposition temperature, respec-tively. The resistivity of RuO2 thin films decreased with decreasing the flow rate. The resistivity of the 2600$\AA$-thick RuO2 thin films deposited with O2 flow rate of 50 sccm at 35$0^{\circ}C$ was 52.7$\mu$$\Omega$-cm, and they could be applicable to bottom electrodes of high dielectric materals.

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Measurements of the Temperature Coefficient of Resistance of CVD-Grown Graphene Coated with PEI (PEI가 코팅된 CVD 그래핀의 저항 온도 계수 측정)

  • Soomook Lim;Ji Won Suk
    • Composites Research
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    • v.36 no.5
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    • pp.342-348
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    • 2023
  • There has been increasing demand for real-time monitoring of body and ambient temperatures using wearable devices. Graphene-based thermistors have been developed for high-performance flexible temperature sensors. In this study, the temperature coefficient of resistance (TCR) of monolayer graphene was controlled by coating polyethylenimine (PEI) on graphene surfaces to enhance its temperature-sensing performances. Monolayer graphene grown by chemical vapor deposition (CVD) was wet-transferred onto a target substrate. To facilitate the interfacial doping by PEI, the hydrophobic graphene surface was altered to be hydrophilic by oxygen plasma treatments while minimizing defect generation. The effect of PEI doping on graphene was confirmed using a back-gated field-effect transistor (FET). The CVD-grown monolayer graphene coated with PEI exhibited an improved TCR of -0.49(±0.03) %/K in a temperature range of 30~50℃.

Si-Wafer위에 증착된 ITO 박막의 발수특성

  • ;Baek, Cheol-Heum;Seo, Seong-Bo;Kim, Hwa-Min
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.293-293
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    • 2013
  • 최근 디스플레이산업이 발달하면서 투명전도성 물질에 대한 산업의 요구도가 높아지고 있다. ITO투명전도성 박막은 낮은 비저항과 우수한 식각특성을 가지고 있어 평면표시소자, 광소자, 터치패널 그리고 가스 센서 등 다양한 분야에 응용되고 있으며 디스플레이 소자가 소형화 되어감에 따라 박막의 다기능화가 요구되고 있다. 본 실험에서는 전기적 특성과 친, 발수특성을 동시에 가지는 다기능성 ITO 박막을 연구하였다. RIE방식으로 식각을 통하여 Poly Si-wafer 표면에 미세구조를 만든 기판과 Slide Glass기판에 RF-magnetron sputtering 방법을 이용해 ITO박막을 증착하여 비교분석 하였다. ITO박막 증착시 $100{\sim}400^{\circ}C$ 열처리와 산소를 사용하지 않고 Ar 가스만을 사용하여 실험한 후 열처리온도에 따른 전기적 특성 및 접촉각에 대하여 조사하였다. 3 uL의 Di-water를 사용하여 접촉각을 측정한 결과 $400^{\circ}C$ 열처리가 된 Poly si-wafer 위에 증착된 ITO 박막에서 초-친수 특성을 나타냈으며, 그 위에 PTFE을 증착하였을 경우 12 uL의 Di-water를 사용하여 약 $150^{\circ}$ 이상의 초-발수 특성을 나타내었다. 전기적 특성은 $5.8{\times}10^{-4}$의 비 저항을 나타내었다. 이러한 전기적 특성과 친 발수 특성을 동시에 가지는 ITO 박막은 Anti-Fogging, self-Cleaning, Solar cell 및 디스플레이소자 등 다양한 산업에 이용 가능할 것으로 생각된다.

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Study on the preparation of low loss Mn-Zn-Fe ferrite (저손실 Mn-Zn-Fe 페라이트의 제조에 관한 연구)

  • 문현욱;서강수;최희태;신용진
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.3 no.3
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    • pp.205-214
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    • 1990
  • 본 논문은 저손실 Mn-Zn-Fe 페라이트 제조에 관하여 연구한 것이다. Mn-Zn-Fe 페라이트는 16mol% Xno, 31mol% MnO 및 53mol% Fe$_{2}$O$_{3}$로 조성하였으며 0.1wt% $Na_{2}$SiO$_{3}$ 0.05wt% $Na_{2}$SiO$_{3}$ 0.1%wt% CaO 0.05% SiO$_{2}$ 및 0.05wt% SiO$_{2}$ 및 0.05wt% $Na_{2}$SiO$_{3}$ 0.1% CaO 0.05wt% $Al_{2}$O$_{3}$를 미량 첨가하였다. 그리고 하소와 분쇄과정을 거친 분말은 충진성을 높이기 위하여 과립화하였다. 소결 1250, 1300 및 1350.deg.C에서 이루어졌고, 평형 산소분압은 소오킹 시 PO$_{2}$는 6%부터 시작하여 점차 감소시켰으며 900.deg.C에서 순수한 질소 분위기로 냉각시켰다. 초투자율, 손실계수 및 고유저항 등의 자기적인 특성은 1300.deg.C에서 소결했을 경우의 것이 가장 우수하였다. 즉, 초투자율은 2*$10^{3}$~$10^{3}$의 높은 값을 얻을 수 있었으며 tan.delta./.mu.i값은 100KHz~ 400KHz의 고파수대에서 9*10$_{-6}$~21*10$_{-6}$이었으며 고유저항 값은 485~680 .OMEGA.-cm의 높은 값을 나타내어 중간주파수대의 자심재료에 적합한 페라이트임을 확인하였다.

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고온 물에서 304 와 600 합금의 입계응력부식균열(IGSCC)의 상이성과 유사성

  • 권혁상;김수정
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 1998.05a
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    • pp.22-22
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    • 1998
  • 304 는 BWR(boiling water reactor)의 reactor 구조용 재료로 사용되고 있고, 합금 600 은 PWR(pressurized water reator) 의 증기 발생기 세관으로 쓰이고 있으며 모두 약 $280{\;}^{\circ}C$ 이상 의 원자로 냉각수에 노출되어 있다. 원자로 냉각수 분위기에서 두 합금의 공통적인 특정은 입계응력부식균열(IGSCC)에 민감한것과 IGSCC가 예민화(sensitization)와 관련이 있는 것이 다. 두 합금에서 일어나는 IGSCC는 원자력발전소의 부식피해중 가장 빈도가 높고 발생시 방사능 누출로 인하여 원전의 신뢰성을 저하시키고, 가동중단으로 인한 경제적 손실을 초 래하여 지난 20 년 동안 가장 심도있게 연구된 주제다. 304 은 크롬 탄화물의 업계 석출로 언하여 예민화된경우 IGSCC 에 민감한 반면 600 은 예민화된 경우 뿐만 아니라 용체화처리된 상태에서도 IGSCC에 민감하다. 오히려 600은 용 체화처리 후 700 C에서 15~20시간 시효처리를 하여 크롬탄화물을 업계에 석출 시커었을 때 IGSCC 저항성이 향상된다. 두 합금의 IGSCC 특정 중 큰 차이는 304는 임계균열전위 ( (critical cracking potential) 이 존재하여 부식전위(corrosion potential) 가 엄계균열전위보다 낮 은 경우 IGSCC 가 일어나지 않지만 그 반대인 경우 IGSCC 에 민감하게된다. 반면에 600 은 뚜렷한 임계균열전위가 존재하지 않고 양극 분극(anodic polarization) 뿐만 아니라 음극분극 시에도 IGSCC 가 일어난다. 이련 이유로 600의 IGSCC 가구로 피막파괴-양극용해(film rupture-anodic dissolution)외에 수소취성(hydrogen embrittlement)기구도 제안되고 었다. 원전의 냉각수는 고 순도의 물이지만 수 처리 과정과 웅축기 배관의 누수로 인한 산소, $Cu^{2+},{\;}S_xO_6{\;}^{2-}(x=3~6)$ 등이 유입되어 오염되는데 이려한 오염물질들이 수 ppm정도 소량 포함된 경우 응 력부식민감도는 상당히 증가된다. 산성분위기 흑은 산소, $Cu^{2+}$, 등이 소량 포합된 산화성 분위기 그리고 sufur oxyanion 에 오염된 고온의 물에서 600 의 IGSCC 민감도는 예민화도가 증가할 수록 민감하여 304 의 IGSCC 와 매우 유사한 거동을 보인다. 본 강연에서는 304 와 600 의 고온 물에서 일어나는 IGSCC 민감도에 미치는 환경, 예민화처리, 합금원소의 영향을 고찰하고 이에 대한 최근의 연구 동향과 방식 방법을 다룬다.

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Weaning Following a 60 Minutes Spontaneous Breathing Trial (1시간 자가호흡관찰에 의한 기계적 호흡치료로부터의 이탈)

  • Park, Keon-Uk;Won, Kyoung-Sook;Koh, Young-Min;Baik, Jae-Jung;Chung, Yeon-Tae
    • Tuberculosis and Respiratory Diseases
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    • v.42 no.3
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    • pp.361-369
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    • 1995
  • Background: A number of different weaning techniques can be employed such as spontaneous breathing trial, Intermittent mandatory ventilation(IMV) or Pressure support ventilation(PSV). However, the conclusive data indicating the superiority of one technique over another have not been published. Usually, a conventional spontaneous breathing trial is undertaken by supplying humidified $O_2$ through T-shaped adaptor connected to endotracheal tube or tracheostomy tube. In Korea, T-tube trial is not popular because the high-flow oxygen system is not always available. Also, the timing of extubation is not conclusive and depends on clinical experiences. It is known that to withdraw the endotracheal tube after weaning is far better than to go through any period. The tube produces varying degrees of resistance depending on its internal diameter and the flow rates encountered. The purpose of present study is to evaluate the effectiveness of weaning and extubation following a 60 minutes spontaneous breathing trial with simple oxygen supply through the endotracheal tube. Methods: We analyzed the result of weaning and extubation following a 60 minutes spontaneous breathing trial with simple oxygen supply through the endotracheal tube in 18 subjects from June, 1993 to June, 1994. They consisted of 9 males and 9 females. The duration of mechanical ventilation was from 38 hours to 341 hours(mean: $105.9{\pm}83.4$ hours). In all cases, the cause of ventilator dependency should be identified and precipitating factors should be corrected. The weaning trial was done when the patient became alert and arterial $O_2$ tension was adequate($PaO_2$ > 55mmHg) with an inspired oxygen fraction of 40%. We conducted a careful physical examination when the patient was breathing spontaneously through the endotracheal tube. Failure of weaning trial was signaled by cyanosis, sweating, paradoxical respiration, intercostal recession. Weaning failure was defined as the need for mechanical ventilation within 48 hours. Results: In 19 weaning trials of 18 patients, successful weaning and extubation was possible in 16/19(84.2 %). During the trial of spontaneous breathing for 60 minutes through the endotracheal tube, the patients who could wean developed slight increase in respiratory rates but significant changes of arterial blood gas values were not noted. But, the patients who failed weaning trial showed the marked increase in respiratory rates without significant changes of arterial blood gas values. Conclusion: The result of present study indicates that weaning from mechanical ventilation following a 60 minutes spontaneous breathing with $O_2$ supply through the endotracheal tube is a simple and effective method. Extubation can be done at the same time of successful weaning except for endobronchial toilet or airway protection.

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The Expression of Hypoxia Inducible Factor-1 $\alpha$ by Desferrioxamine Induces Radioresistance in Mouse Hepatoma Cell Line (쥐의 간암 세포에서 Desferrioxamine에 의해 유도된 Hypoxia Inducible Factor-1 $\alpha$가 방사선 저항성을 초래함)

  • Kwon, Byung-Hyun
    • Radiation Oncology Journal
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    • v.22 no.3
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    • pp.217-224
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    • 2004
  • Purpose: It is well known that the radiosensitivity of tumor cells can be significantly reduced under hypoxic conditions. Hypoxia-inducible factor-1 $\alpha$ (HIF-1 $\alpha$) plays a pivotal role in the essential adaptive responses to hypoxia. Therefore this study investigated the relationship between HIF-1 $\alpha$ expression and radiosensitivity. M Mouse hepatoma cell line hepafcic7 and HIF-1 $\beta$-deficient mutant cell line hepa1C4 were used to analyze the role of HIF-1 a. on radiosensitivity. These cells were exposed for 6 h to desferrioxamine (DFX) before radiation. HIF-1$\alpha$. expression was examined by Western blot. Apoptosis was assessed by DNA fragmentation, propidium iodide staining, and apoptotic cell death detection ELISA kit. Radiation sensitivity was determined using MTT assay. The radiobioiogical parameters, surviving fractions at 2 Gy and 8 Gy, and mean inactivation dose (MID) from the linear-quadratic model were used to assess radiation sensitivity in the statistical analyses. Results: The expression of HIF-1 $\alpha$. was Increased, whereas apoptosis was decreased, by radiation In the presence of DFX In hepal cl c7, but not In hepal C4. The radlosensitivity of hepal C4 cells was not significantly affected by DFX treatment. The radiosensitivlty of hepal cl c7 cells was significantly decreased in the presence of DFX Conclusion: The expression of HIF-1 w by hypoxia-mimic agent DFX reduced apoptosls and radiosensitlvity in mouse hepatoma cell line hepafclc7. These results suggested that HIF-1 u could be Induced by irradiation in hypoxic ceils of tumor masses, and that this mlght Increase radioresistance in hypoxic cells.