• 제목/요약/키워드: 산소결핍

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실험동물을 이용 산소 및 유해가스 농도에 따른 치사율 연구 (A Study on the Mortality in Oxygen and Toxic Gas Concentration According using Experimental Animals)

  • 김현영
    • 한국가스학회지
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    • 제17권4호
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    • pp.18-25
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    • 2013

  • 맨홀 또는 환기가 부족한 공간에서 작업 중 유해 가스나 산소결핍에 의한 질식 또는 급성중독에 의한 건강장해나 사망사고가 빈번히 발생되고 있다. 따라서 유해가스에 의한 급성중독이나 산소결핍에 의한 유해농도 규명과 재해발생시 원인규명 자료로 활용하고자 산소결핍과 유해가스 노출에 따른 사망농도 시험하고자 하였다. 특히 산소결핍 상황에서 유해가스의 영향에 대해서도 시험하였으며, 국내외에서 발생된 관련 각종 사고 사례 조사를 통하여 동종재해를 예방하고자 하였다. 자료를 조사한 결과 산소결핍 또는 유해가스 노출에 의한 사망 재해는 하절기(6-8월)에 전체의 50%가 발생하고, 업종은 건설업 40%, 장소는 맨홀 50%, 원인은 산소결핍이 가장 많았으며(40%), 기타 가스($H_2S$, CO, $N_2$, Ar 등) 및 환경적 요인(내부 온도, 바닥 물 익사)도 크게 작용하였다. 동물실험 결과 산소결핍에 의한 치사 산소농도는 5%수준이었으며 Dose-Response의 통계처리결과 과반수치사농도 $LC_{50}$(rat, 4hr)는 5.5%로 산출되었다. 또한 산소결핍(6%수준) 상황에서 다른 유해물질이 혼합 될 경우 미치는 치사농도 시험 결과 $H_2S$ 20 ppm에서 40%치사, CO는 600 ppm에서 20%치사, 톨루엔은 1,000 ppm에서도 사망 예가 증가하지 않았다. 즉, $H_2S$, CO 등은 치사농도에 민감하게 반응하는 유해물질로의 상승작용을 했다.

  • https://doi.org/10.7842/kigas.2013.17.4.18 인용 PDF KSCI

산소 결핍된 TiO2-δ 박막의 상온 강자성 연구 (Room-temperature Ferromagnetism in Oxygen-deficient TiO2-δ Thin Films)

  • 박영란;김광주;양우일;이상영;김철성
    • 한국자기학회지
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    • 제16권4호
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    • pp.206-210
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    • 2006

  • 산소결핍(oxygen vacancy) 들이 존재하는 아나타시(anatase) 및 루타일(rutile) 구조의 $TiO_{2-{\delta}}$ 박막들에서 강자성 현상이 상온에서 관측되었다. 시료들에 대한 XPS 측정 결과 $Ti^{3+}$ 이온의 존재가 관측되었으며 산소결핍에 의한 전하 불균형을 상쇄시키기 위하여 생성되는 것으로 해석된다. $TiO_{2-{\delta}}$ 박막에서 나타나는 상온 강자성은 $Ti^{3+}$ 이온들이 가지는 $d^1$ 스핀들의 정렬에 의한 것으로 해석 되어진다. 이와 같은 강자성 스핀 정렬은 산소결핍 자리에 속박된 전자를 중심으로 형성되는 자기 폴라론(magneticpolaron)에 의하여 나타날 수 있다.

  • https://doi.org/10.4283/JKMS.2006.16.4.206 인용 PDF KSCI

산소 결핍이 고유전 BST 박막에 미치는 영향 (Effects of Oxygen Vacancies on the Electrical Properties of High-Dielectric (Ba,Sr)TiO$_3$Thin Films)

  • 김일중;이희철
    • 전자공학회논문지D
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    • 제36D권4호
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    • pp.63-69
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    • 1999

  • 본 연구에서는 급속 열처리 온도와 분위기를 변화 시키면서 Pt/BST/Pt 커패시터의 전기적 특성 변화를 알아보고, 특성 개선에 대한 체계적인 원인을 분석하였다. 급속 열처리의 온도와 분위기에 따른 Pt/BST/Pt 커패시터의 전기적 특성 변화는 BST 박막 내의 산소 결핍과 관련이 있는 것으로 보인다. 이러한 사실을 확인하기 위하여 450℃, 20mttorr에서 산소와 산소 플라즈마 분위기에서 각각 열처리를 수행한 후 전기적 특성을 비교하였다. 산소 플라즈마에서 열처리를 수행한 BST 커패시터의 누설전류 전류밀도가 단순히 산소 분위기에서 열처리 한 시편과 비교하여 훨씬 낮았다. 또한, 산소 분위기에서 열처리를 수행한 BST 커패시터의 유전율이 약14%정도 감소한 반면, 산소 플라즈마에서 열처리를 수행한 유전율은 거의 감소가 없었다. 위의 결과는 반응성이 강한 산소 원자를 많이 포함하고 있는 산소 플라즈마가 산소 결핍을 보상하는데 있어서 매우 효과적임을 시사하고 있다. 결과적으로, BST박막 내의 산소 결핍이 BST커패시터의 누설전류 밀도와 유전율에 큰 영향을 미치고 있음을 추정할 수 있다. 그리고, 산소 플라즈마에서 열처리를 수행함으로써 유전율의 감소 없이 누설전류 밀도가 크게 개선된 BST커패시터를 얻을 수 있었다.

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