• Proceedings of the Korean Society of Laser Processing Conference
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• 2003.05a
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• pp.14-17
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• 2003

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.08a
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• pp.268-269
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• 2001

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1999.08a
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• pp.72-73
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• 1999

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1998.11a
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• pp.119-119
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• 1998

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.14 no.5
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• pp.215-219
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• 2004

ZnO epitaxial films have been grown on a (0001)sapphire substrate by RF magnetron sputtering. The single crystalline ZnO films were grown at the condition of growth rate of about 0.1~0.2 $\mu\textrm{m}$/hr and the substrate temperature of $600^{\circ}C$. The film thickness was about 400~500 nm. The thin film quality and micro-structure have been evaluated by XRD and TEM observation.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.4 no.1
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• pp.42-45
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• 1994

Deposition of silicon on pretreated sapphire and glass substrates has been investigated by the solution growth method at low temperatures. An average 14 $\mu\textrm{m}$ thickness of silicon was grown over a large area on sapphire substrate originally coated with a much thinner silicon layer [0.5 $\mu\textrm{m}$ (100) Si/(1102) sapphire)] at low temperatures from $380~460^{\cire}C$. Successful results were obtained from surface treated glass substrates in the temperatures range from $420~520^{\circ}C$.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.21 no.2
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• pp.218-223
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• 2004

The sapphire wafers for blue light emitting devices were manufactured by the implementation of the surface machining technology based on micro-tribology. This process has been performed by Micro-lapping process. The sapphire crystalline wafers were characterized by double crystal X-ray diffraction. The sample quality of crystalline sapphire wafer at surface has a full width at half maximum of 250 arcsec. This value at the surface sapphire wafer surfaces indicated 0.12${mu}m$ sizes. Surfaces of sapphire wafers were mechanically affected by residual stress and surface default. As a result, the value of surface roughness of sapphire wafers measured by AFM(Atom Force Microscope) was 2.1nm.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.5
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• pp.457-461
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• 1996

HVPE(hydride vapor phase epitaxy)법을 이용하여 C(0001)면의 사파이어 기판위에 GaN 박막을 성장하였다. 110$0^{\circ}C$의 온도에서 박막의 성장률은 120$\mu\textrm{m}$/hr이었고, 사파이어 기판과 GaN사이의 격자상수와 열팽창계수차로 인하여 많은 크랙이 존재하였다. 두께가 20$\mu\textrm{m}$인 GaN의 (0002)면에 대한 X-선 회절피크의 반치폭은 576초 이었다. 10K의 온도에서 측정된 광루미네센스 스펙트럼에서는 강한 강도의 속박여기자에 의한 피크(I2)와 약한 강도의 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합에 의한 피크가 나타났으며, 깊은 준위로부터의 발광은 검출되지 않았다. GaN 박막의 전기전도형은 n형 이었고, 전자이동도와 캐리어농도는 각각 72$\textrm{cm}^2$/V-sec와 6x1018cm-3이었다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.119-119
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• 2003

ZnO는 최근에 발광소자로서의 가능성 때문에 주목받고 있다. ZnO 박막의 성장에는 주로 CVD법과 스퍼터법이 사용되는데, CVD법 중 하나로서 cyclic CVD라고도 불리는 ALE법은 기존 CVD법에 비하여 증착속도는 떨어지나 박막의 표면거칠기가 매우 작고 대면적의 증착에서도 두께균일도가 상당히 우수하며 증착온도가 낮은 장점이 있다. 본 연구에서는 발광소자로서 응용이 가능한 ZnO박막을 사파이어(0001) 기판위에 ALE법으로 증착하고 후열처리가 photoluminescencey(PL) 특성에 끼치는 효과를 조사하였다. DEZn(diethylzinc)와 $H_2O$를 소스로 사용하여 사파이어 기판위에 ZnO 박막을 성장시키었고 기판온도로서 ALE window 범위인 17$0^{\circ}C$와 CVD증착 온도범위인 40$0^{\circ}C$를 설정하여 증착 시키었다. 그 후 후열처리로서 산소분위기에서 800, 900, 100$0^{\circ}C$에서 1시간 열처리를 하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07b
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• pp.989-992
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• 2004

PEMBE(plasma enhanced molecular beam epitaxy)방법으로 성장된 GaN 박막의 초기 거동현상을 실시간 X-선 산란을 이용하여 관찰하였다. 표면이 원자 계단(atomic step)을 이루고 있는 사파이어 기판 위에 성장하는 GaN 박막은 layer-by-layer 모드로 성장 후 3D 모드로 성장을 하였다. 거친 표면을 가진 사파이어 기판 위에 성장하는 GaN 박막은 성장 초기는 표면을 평평하게 만든 후, 3D 모드로 성장하였다. 플라즈마로 생성된 이온화된 질소는 표면의 에너지를 변화시켜 GaN 박막의 증착을 증진시키고, 표면의 coverage를 증가시킨다.