• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.5 no.3
• /
• pp.324-332
• /
• 1995

전자빔 증착법을 사용하여 Ti과 Co를 Si(100) 단결정, 다결정 Si 및 Si$O_{2}$기판에 증착한 후 90$0^{\circ}C$에서 20초 급속 열처리하여, Co/Ti 이중박막으로부터의 실리사이드화 반응을 조사하였다. 단결정 시편의 경우 Ti의 두께를 5~6mm로 최소화함으로서 두께가 균일하고 기판과의 계면이 평탄하며 비저항이 낮고 열적 안정성이 높은 Co$Si_{2}$ 에피박막을 형성할 수 있었다. 그러나 다결정 시편에는 두께와 계면이 불균일하고 열적으로도 불안정한 다결정의 Co$Si_{2}$와 그 위에 두개의 Co-Ti-Si혼합층이 형성되었다. 한편 Si$O_{2}$ 우에 증착된 Co/Ti은 열처리를 하여도 확산하지 않고 그대로 남아 있어서, Co/Ti 이중박막의 Si$O_{2}$와의 반응성이 미약함을 보여 주었다.

• Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
• /
• 2002.11a
• /
• pp.370.1-370
• /
• 2002

A method using beamforming has been developed to measure absorption coefncient of oblique incidence. MUSIC(Multiple Signal Classification) method detects the angle of incidence and reflection. And beamforming method separates the incident and reflected wave. And spatial smoothing technique is used to reduce the coherence between the incident and reflected wave. The test material were modeled as a locally reacting surface. Numerical and experiment results are performed to verify the performance of proposed method.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
• /
• v.28A no.9
• /
• pp.671-679
• /
• 1991

In adaptive antenna, several models are known according to a prior knowledge about jammer signal. Among those, Frost model with contraint is generally used however it has the problem that convergence speed is slow and that stability is not good. To improve such problems, this paper proposes constrained NLMS algorithm using LS method. In addition, the result obtained by applying this algorithm to Duvall antenna model is compared with that of Frost model.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.9 no.1
• /
• pp.23-28
• /
• 2008

Due to the modem MEMS technologies, the electron lenses that are used in the microcolumn can have much smaller optical aberrations compared with conventional electron lenses for the bulky electron columns. Since the electron lens system have great effect on the performance of the microcolumn, it is important to study the dependence of image quality on the configuration of the electronic imaging system, among which the source-lens part is most sensitive. In this work, we investigated the electron beam characteristics according to the shapes of extractor and limiting aperture that are elements of the source-lens part. By analyzing the data obtained, we proposed the optimum configuration of the electron lens system.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2014.02a
• /
• pp.193.2-193.2
• /
• 2014

열차폐 코팅(Thermal Barrier Coating)은 주로 항공기 엔진이나 화력발전용 터빈 등의 $1300^{\circ}C$ 이상의 고온에서 사용되는 부품에 적용되어 모재(내열합금)의 손상 방지 및 에너지 효율 향상을 위해 사용되고 있다. 열차폐 코팅의 경우 Plasma Spray 공법과 EB-PVD(전자빔 물리 증착법) 공법이 가장 많이 사용되고 있다. Plasma Spray에 의한 열차폐 코팅 공정은 생산 비용이 저렴하고 수평형 적층 구조를 통한 높은 열전도율을 가지는 장점이 있으며, EB-PVD 공정은 수직형 구조의 열차폐막을 통해 내열 충격성과 내열 사이클성이 양호하다는 장점이 있다. 본 연구에서는 열 사이클의 내구성이 뛰어난EB-PVD를 이용하여 열차폐 코팅 공정연구를 진행하였다. 본 연구소에서 사용하고 있는 EB-PVD 는 종래의 장치와는 달리 70 kW급 전자총 5기가 장착 되어 있으며, 각각 시편 가열용 전자총 2기 및 피코팅용 가열 전자총 3기로 구성되어 있다. 이런 구성을 통해 다양한 종류의 열차폐 박막과 높은 결정성과 치밀도를 가지는 박막 형성할 수 있을 것이다. 본 발표에서는 EB-PVD 공정 연구결과 및 향후 실용화를 위한 개발 연구 방향에 대해서 기술하였다.

• Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
• /
• v.15 no.3
• /
• pp.330-336
• /
• 2005

Existing Bayesian update method using ultrasonic sensors only for mobile robot map building has a problem of the quality of map being degraded in the wall with irregularity, which is caused by the wide beam distribution. For improving this problem, an infrared sensors aided map building method is presented in this paper. Information of obstacle at each region in ultrasonic sensor beam is acquired using the infrared sensors and the information is used to get the confidence of ultrasonic sensor information via fuzzy inference system and genetic algorithm. Combining the resulting confidence with the result of Bayesian update method, an improve map is constructed. The proposed method showed good results in the simulations and experiments.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.6 no.8
• /
• pp.808-816
• /
• 1996

(100) Si 기판위에 전자 빔 증착법을 이용하여$ 90\AA$두께의 Ti과 $120\AA$두께의 Co를 순차적으로 증착시켰다. 그 후 질소분위기하의 $350-900^{\circ}C$온도구간에서 급속열처리함으로써 (100) Si 기판위의 Co/Ti 이중 박막의 실리사이드화 반응이 일어나게 했으며 이를 XRD, AES, TEM을 이용하여 분석하였다. $500^{\circ}C$이하의 온도에서는 Co원자들이 Ti층쪽으로 빠르게 확산하여 Si와 반응하기 이전에 Ti원자들과 상호 혼합되어 어떠한 실리사이드도 형성되지 않았다. $500^{\circ}C$에서 열처리된 시편의 고분해능전자현미경 영상을 통해 Co-Ti 혼합층과 실리콘 기판과의 계면에서 (100)Si 기판과 정합관계를 가지는 CoSi2가 형성되었음을 확인했다. $600^{\circ}C$열처리에 의해 Co-Ti-Sitka성분 실리사이드가 형성되기 시작하였으며, 형성된 삼성분 실리사이드는 Ti의 out-diffusion에 의해 $900^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 불안정하였다. Co/Ti이중 박막에 의해 형성된 CoSi2는 실리콘 기판과 평탄한 계면을 가지며 실리콘 기판에 대해 (100)우선성장방위를 가졌다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.10 no.1
• /
• pp.44-50
• /
• 2001

Metal oxide semiconductor (MOS) structures containing nanocrystals are fabricated by using rapid thermal oxidations of amorphous silicon films. The amorphous films are deposited either by electron beam deposition method or by electron beam deposition assisted by Ar ion beam during deposition. Post oxidation of e-beam deposited film results in relatively small hysteresis of capacitance-voltage (C-V) and the flat band voltage shift, $\DeltaV_{FB}$ is less than 1V indicative of the formation of low density nanocrystals in $SiO_2$ near $SiO_2$/Si interface. By contrast, we observe very large hysteresis in C-V characteristics for oxidized ion-beam assisted e-beam deposited sample. The flat band voltage shift is larger than 22V and the hysteresis becomes even broader as increasing injection times of holes at accumulation condition and electrons at inversion condition. The result indicates the formation of slow traps in $SiO_2$ near $SiO_2$/Si interface which might be related to large density nanocrystals. Roughly estimated trap density is $1{\times}10^{13}cm^{-2}$. Such a large hysteresis may be explained in terms of the activation of adatom migration by Ar ion during deposition. The activated migration may increase nucleation rate of Si nuclei in amorphous Si matrix. During post oxidation process, nuclei grow into nanocrystals. Therefore, ion beam assistance during deposition may be very feasible for MOS structure containing nanocrystals with large density which is a basic building block for single electron memory device.

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.5 no.3
• /
• pp.386-393
• /
• 1994

We have investigated output characteristics of XeCI excimer laser excited by transeverse electronbeam. We used e-beam output of 880 kV, 21 kA (70 ns, FWHM) and controlled current density of e-beam by pulsed magnetic coil (4.7 kG) which was fabricated around an e-beam diode (A-K gap is 21 mm) and laser chamber. We have obtained 35 J (4 atm) of e-beam deposition energy injected into laser media. The deposition energy was converted from an exposure area of Radcolor film and rising pressure of gas media which is measured by pressure jump method. The excited volume of $320cm^{3}$ was calculated. The maximum efficiency of 1.7% was obtained with the mixing ratio of HCllXe/Ar==0.2/ 6.3/93.5% and total pressure of 3 atm. Also laser output energy and specific energy were obtained 0.52 J and 1.7 J/I, respectively. For the analysis of experimental results we have developed computer simulation code. From the good agreements with the results of experiment and simulation we could theoretically explain the XeCI* formation channel. relaxation channel, and absorption channel of 308 nm.308 nm.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.08a
• /
• pp.405-405
• /
• 2012

에너지 갭의 크기가 큰 ZnO는 큰 여기자 결합과 높은 화학적 안정도를 가지고 있기 때문에 전자소자 및 광소자로 많이 응용되고 있다. ZnO는 광학적 및 전기적 성질의 여러 가지 장점 때문에 메모리, 나노발전기, 트랜지스터, 태양전지, 광탐지기 및 레이저와 같은 여러 분야에 많이 사용되고 있다. Zn와 쉘 구조가 비슷한 Cu 불순물은 우수한 luminescence activator이고 다양한 불순물 레벨을 만들기 때문에 전기적 및 광학적 특성을 변화하는데 좋은 도핑 물질이다. Cu가 도핑된 ZnO 나노구조를 전기화학적 증착법을 이용하여 형성하고, 형성시간의 변화에 따른 구조적 및 광학적 성질에 대한 관찰하였다. ITO 코팅된 유리 기판에 전기화학증착법을 이용하여 Cu 도핑된 ZnO를 성장하였다. Sputtering, pulsed laser vapor deposition, 화학기상증착, atomic layer epitaxy, 전자빔증발법 등으로 Cu 도핑된 ZnO 나노구조를 형성하지만 본 연구에서는 낮은 온도와 간단한 공정으로, 속도가 빠르고 가격이 낮아 경제적인 면에서 효율적인 전기 화학증착법으로 성장하였다. 반복실험을 통하여 Cu의 도핑 농도는 Zn과 Cu의 비율이 97:3이 되도록, ITO 양극과 Pt 음극의 전위차가 -0.75V로 실험조건을 고정하였고, 성장시간을 각각 5분, 10분, 20분으로 변화하였다. 주사전자현미경 사진에서 Cu 도핑된 ZnO는 성장 시간이 증가함에 따라 나노세선 형태에서 나노로드 형태로 변하였다. X-선 회절 측정결과에서 성장시간이 변화함에 따라 피크 위치의 변화를 관찰하였다. 광루미네센스 측정 결과는 Oxygen 공핍의 증가로 보이는 500~600 nm 대의 파장에서 나타난 피크의 위치가 에너지가 큰 쪽으로 증가하였다. 위 결과로부터 성장 시간에 따른 Cu 도핑된 ZnO의 구조적 및 광학적 특성변화를 관찰하였고, 이 연구 결과는 Cu 도핑된 ZnO 나노구조 기반 전자소자 및 광소자에 응용 가능성을 보여주고 있다.