• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2009.06a
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• pp.32-32
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• 2009

실리콘 박막 태양전지에서 전면 투명전도막(TCO)은 태양전지의 전기, 광학적 특성을 결정하는 중요한 기능을 한다. ZnO:Al TCO는 기존에 사용되던 $SnO_2:F$와는 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 태양전지의 윈도우 층으로 사용되는 p a-SiC:H와의 일함수(work function) 차이로 인해 접촉전위(contact barrier)를 형성하게 되며 이로 인해 태양전지의 충진율(fill factor)이 $SnO_2:F$에 비해 감소하는 단점을 보인다. 본 연구에서는 ZnO:Al/p a-SiC:H 계면의 접촉전위 발생원인 및 태양전지 충진율 감소현상에 관한 정확한 원인규명을 위해 다양한 특성을 갖는 버퍼층을 삽입하여 계면특성 및 태양전지의 동작특성을 분석하고자 한다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.2
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• pp.191-196
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• 1995

Self-bonding strength developed at the interface of amorphous PEEK films is highly sensitive to the processing variables(time, temperature, and pressure) during the bonding process. In order to examine the effects of these processing variables, amorphous PEEK films were bonded at various bonding conditions and the resultant interfacial bond strengths were measured using a modified single lap-shear test. Experimental results showed that the developed self-bonding strength increases with increase in bonding temperature and is directly proportional to the bonding time raised to the 1/4 power. The applied pressure seems only to produce better wetting at the beginning stage of the bonding process. Conclusively, the self-bonding of amorphous PEEK films provides a great potential for developing excellent bond strength approaching the strength of the parent material without any adhesives in structural applications.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.6
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• pp.743-747
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• 1995

The relationship between the variation of crystallinity and the resultant self-bonding strength of PEEK was examined by using DSC in conjunction with the shear test. DSC measurement of the crystallinity produced at different bonding conditions demonstrated that even though PEEK specimens contain the same amount of crystallinity, the resultant self-bonding strength is sensitively dependent on bonding history. It also showed that all crystallization during the bending process occurs only in the healing and annealing stage and no additional crystallization occurs in the cooling stage.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.29 no.3
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• pp.155-165
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• 2016

Understanding the effect of boron content on atomic structures of boron-bearing multicomponent silicate melts is essential to reveal the atomistic origins of diverse geochemical processes involving silica-rich magmas, such as explosive volcanic eruption. The detailed atomic environments around B and Al in boron-bearing complex aluminosilicate glasses yield atomistic insights into reactivity of nuclear waste glasses in contact with aqueous solutions. We report experimental results on the effect of boron content on the atomic structures of sodium borate glasses and boron-bearing multicomponent silicate melts [malinkoite ($NaBSiO_4$)-nepheline ($NaAlSiO_4$) pseudo-binary glasses] using the high-resolution solid-state NMR ($^{11}B$ and $^{27}Al$). The $^{11}B$ MAS NMR spectra of sodium borate glasses show that three-coodrinated boron ($^{[3]}B$) increases with increasing $B_2O_3$ content. While the spectra imply that the fraction of non-ring species decreases with decreasing boron content, peak position of the species is expected to vary with Na content. Therefore, the quantitative estimation of the fractions of the ring/non-ring species remains to be explored. The $^{11}B$ MAS NMR spectra of the glasses in the malinkoite-nepheline join show that four-coordinated boron ($^{[4]}B$) increases as $X_{Ma}$ [$=NaBSiO_4/(NaBSiO_4+NaAlSiO_4)$] increases while $^{[3]}B$ decreases. $^{27}Al$ MAS NMR spectra of the multicomponent glasses confirm that four-coordinated aluminum ($^{[4]}Al$) is dominant. It is also observed that a drastic decrease in the peak widths (full-width at half-maximum, FWHM) of $^{[4]}Al$ with an addition of boron ($X_{Ma}=0.25$) in nepheline glasses. This indicates a decrease in structural and topological disorder around $^{[4]}Al$ in the glasses with increasing boron content. The quantitative atomic environments around boron of both binary and multicomponent glasses were estimated from the simulation results of $^{11}B$ MAS NMR spectra, revealing complex-nonlinear variation of boron topology with varying composition. The current results can be potentially used to account for the structural origins of the change in macroscopic properties of boron-bearing oxide melts with varying boron content.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.5
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• pp.185-189
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• 2001

Amorphous aluminium phosphate powders were synthesized as a single phase by neutralization reaction of a stoichiometric mixture of $Al_2(SO_4)_3$ and $H_3PO_4$ using the NaOH or KOH solution and subsequently by the hydrothermal precipitation method. The synthesis conditions were as follows : starting materials; $Al_2(SO_4)_3$ and $H_3PO_4$,pH ranges of neutralization reaction; between 5.6 and 6.0, temperature ranges of hydrothermal reaction; between 170 and $180^{\circ}C$,time ranges of hydrothermal reaction; between 4 and 5hs. Under such synthesis conditions, the products are obtained as amorphous aluminium phosphate powders of 0.1~0.3$\mu\textrm{m}$ in size and are Eitted to USP (United Standard Pharmacopoeia) test.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.228-228
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• 2010

pin-형 비정질 실리콘 태양전지에서 p-층은 창물질로서 전기 전도도가 크고, 빛 흡수가 작어야 한다. p층의 두께가 얇으면 i층에서 충분한 내부전위를 얻을 수 없어 개방전압이 작아진다. 반대로 p-층 두께가 두꺼워지면 p-층 자체에서 빛 흡수가 증가하고, 높은 불순물 농도(> $10^{20}/cm^3$)에 의한 표면재결합이 문제가 되어 변환효율이 감소한다. 밴드갭이 큰 물질로 창층을 만들면 짧은 파장의 입사광이 직접 i-층을 비추므로 단락전류와 곡선인자를 증가시킬 수 있다. 본 실험에서는 비정질 실리콘 증착과 박막 특성 분석을 위하여, $5cm{\times}5cm$ 크기의 eagle 2000 glass(유리)와 p형 실리콘 wafer가 사용되었다. 투과도, 흡수도, Raman, 암전도도 와 광전도도 특성 측정에 유리 기판에 증착된 박막을, 두께 측정, FTIR 측정에는 실리콘 기판에 증착된 박막이 각각 사용되었다. p형 비정질 실리콘 증착에는 $SiH_4$, $H_2$, $B_2H_6$ 가스를 사용하였고, 플라즈마 형성에는 13.56MHz의 RF 소스가 사용하였다.p층은 $SiH_4$ 가스와 $H_2$ 가스비가 1:5인 조건에서 $B_2H_6$을 도핑하여 형성하였다. $B_2H_6$가스량을 변화시키며 형성하였으며, $B_2H_6$가스량이 증가함에 따라 암전도도가 증가하였으나, 광학적 밴드갭이 감소하였다. $H_2/SiH_4$ 가스 비가 0.001일 때 밴드갭은 1.76으로 i층보다 높게 형성되었으며, 암전도도는 $10^{-7}$이었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.4 no.8
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• pp.847-854
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• 1994

An amorphous single phase and coexistent amorphous and hcp-Mg phases in Mg-Zn-Ce system were found to form in the composition ranges of 20 to 40% Zn, 0 to 10% Ce and 5 to 20% Zn, 0 to 5% Ce, respectively. A $Mg_{85}Zn_{12}Ce_{3}$ amorphous alloy containing nanoscale hcp-Mg particles was found to form either by melt spinning or by heat treatment of melt -spun ribbon. The particle size of the hcp-Mg phase can be controlled in the range of 4 to 20 nm. The mixed phase alloy prepared thus has a good bending ductility and exhibits high ultimate tensile strength($\sigma_{B}$) ranging from 670 to 930 MPa and fracture elongation($\varepsilon_{f}$) of 5.2 to 2.0%. The highest specific strength($\sigma_{B}$/density =$\sigma_{s}$)$3.6 \times 10^5N \cdot m/kg$. It should be noted that the highest values of flB, US and ？1 are considerably higher than those (690MPa,$2.5 \times 10^5N \cdot m/kg$and 2.5%) for amorphous Mg-Zn-Ce alloys. The increase of the mechanical strengths by the formation of the mixed phase structure is presumably due to a dispersion hardening of the hcp supersaturated solution which has the hardness higher than that of the amorphous phase with the same composition.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.2 no.1
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• pp.95-99
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• 1993

a-Si : H TFTs for image sensor have been fabricated and their operational characteristics have been investigated. Hydrogenated amorphous silicon nitride(a-SiN : H) films were used for the gate insulator and $n^{+}$-a-Si : H films were depostied for the source and drain contact. The thicknesses of a-SiN : H and a-Si : H films were $2000{\AA}$, respectively and the thickness of $n^{+}$-a-Si : H film was $500{\AA}$. Also the channel length and channel width of a-Si : H TFTs were $50{\mu}m$ and $1000{\mu}m$, respectively. The ON/OFF current ratio, threshold voltage, and field effect mobility of fabricated a-Si : H TFTs were $10^{5}$, 6.3 V, and $0.15cm^{2}/V{\cdot}s$, respectively.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.5 no.4
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• pp.439-445
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• 1992

최근 광자기 기록매체로 주목받고 있는 RE-TM계 비정질 박막을 T $b_{x}$ (F $e_{0.9}$ $Co_{0.1}$)$_{100-x}$ (x=14, 17, 20, 23, 27[at%])의 조성비를 갖는 모합금을 만든후 진공증착방법으로 합금박막을 제작하였다. 각시료의 조성에 따른 자기광학효과를 알아보기 위하여 80K부터 600K에서 포화자화( $M_{s}$ )와 보자력( $H_{c}$)에 대한 온도의존성과 자기이방성상수(Ku), Polar Kerr 이력곡선을 측정하였다. 또한 Curie 온도 근처에서 열처리 시간에 따른 자기 토크 곡선의 변화를 분석 함으로써 합금박막 표면의 산화정도를 정성적으로 평가할 수 있었다. 실험결과 T $b_{22.72}$(F $e_{68.78}$ $Co_{8.5}$)인 시료가 상온에서 8.4KOe의 보자력을 가졌으며 T $b_{x}$(x=23[at%])인 경우가 가장 큰 수직자기이방성을 나타냈다. Polar Kerr 이력곡선은 Tb함량 x=25~26[at%]에서 부호가 반전됨을 알 수 있었다.다.다.다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.3 no.3
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• pp.187-194
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• 1990

광자기 메모리용 재료인 비정질 TbFe 박막을 대상으로 열자기 기록시 박막에 분포하는 온도와 이때 만들어지는 bit의 크기간에 상호관련성을 조사하였다. 레이저 조사에 의해 가열된 박막의 온도분포는 유한요소법을 이용한 열전달 해석에 의해 계산하였다. 레이저 가열종료 직전 박막 면에 분포하는 온도 contour로 부터 bit 크기를 예측하였다. 여기서 bit 크기는 온도 상승에 따라 보자력이 약화되어 외부자계와 박막반자장의 합력이 역자구를 만들어 준다고 가정하여 이 경계가 되는 온도(Tcrit)로 이루어지는 등온선의 크기로부터 정하였다. 열자기 기록 실험으로부터 기록 bit의 크기(Dmeas.)을 측정하여 레이저조사조건별로 예측한 bit크기(Dpred.)와 비교하였다. 특히, 레이저 pulse시간 변화에 따른 여러온도의 등온선 contour 직경변화를 조사하여 실측한 bit크기와 비교 검토함으로써 bit형성에 미치는 온도분포의 영향을 조사하였다. 이 결과 레이저 pulse시간이 길어지거나 레이저 power가 상대적으로 작을때 실측한 bit크기가 예측된 bit크기보다 커지는 것으로 나타났으며 이는 Tcrit 온도구배가 완만해질수록 bit경계가 되는 온도가 낮아지는 것으로 해석된다.