• Title/Summary/Keyword: 불균일 전기장

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Improvement of Field Uniformity between Multiple Mobile Phones in a Shield Box (실드 박스 내 다수의 휴대 단말기 사이의 전기장 균일도 개선)

  • Park, Hyun Ho;Kwon, In-Soo
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.28 no.12
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    • pp.1003-1006
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    • 2017
  • In this paper, during radio-frequency performance testing in a shield box, the non-uniform electric field distribution between multiple mobile phones is examined by numerical simulation, and two ways to improve the field uniformity among mobile phones under test are proposed. The results demonstrate that the proposed methods can greatly improve the field uniformity.

고주파수 축전 결합 플라즈마에서 플라즈마 변수들이 전기장 분포에 미치는 영향에 대한 연구

  • Gang, Hyeon-Ju;Choe, U-Yeong;Jeong, Jin-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.493-493
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    • 2012
  • 평행평판 축전 결합 플라즈마는 증착이나 식각 등 많은 공정장비에서 사용된다. 이때 구동주파수를 높여주거나 리액터의 크기를 증가시킬 경우, 플라즈마 밀도가 불균일해진다. 플라즈마 밀도는 플라즈마 내 전기장 분포의 균일도와 관련이 있는 것으로 전기장 분포를 균일하게 만드는 것은 매우 중요하다. 이전 연구에서는 충돌 주파수(공정 압력)가 전기장의 분포에 미치는 영향에 대해 발표하였다 [1]. 본 연구에서는 구동 주파수, 충돌 주파수(공정 압력), 플라즈마 주파수(플라즈마 밀도)가 전기장 분포에 미치는 영향을 알아보았고, 이들의 상관관계를 분석하였다. 플라즈마 주파수(플라즈마 밀도)와 충돌 주파수(공정 압력)는 전기장 분포의 균일도에 영향을 주는 변수이지만 이 둘은 반대 영향을 미쳤다. 따라서 두 주파수가 전기장 분포에 미치는 영향이 균형을 이룰 때 균일한 전기장 분포를 얻을 수 있었다. 이 때 구동 주파수가 증가할수록 균일하게 하는 두 주파수의 영역이 줄어들어 높은 구동 주파수에서는 전기장 분포를 균일하게 하기 어려웠다. 이러한 관계를 이용하여 일정한 구동 주파수와 플라즈마 주파수에서 전기장 분포의 균일도를 10% 이내로 하기 위해 충돌 주파수를 결정할 수 있는 방정식을 구하고, 충돌 주파수와 플라즈마 주파수, 그리고 구동 주파수가 전기장 분포를 균일하게 하는 이들의 관계를 살펴 보았다.

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Improvement of the Pumping Force in the Magnetic Fluid Linear Pump by AC Pulse current (AC Pulse에 의한 Magnetic Fluid Linear Pump의 펌핑력 향상에 관한 연구)

  • SEO Kang;PARK Gwan soo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • summer
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    • pp.986-988
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    • 2004
  • 이 전에 DC Pulse 전류로 구동하는 Magnetic Fluid Linear Pump(MFLP)를 개발하였다. 개발된 MFLP는 DC Pulse 전류에 의하여 발생하는 자기장의 분포 변화가 불연속적이게 되고, 펌핑력 또한 불연속성을 가지게 된다. 불연속적 자기장의 변화와 펌핑력의 불균일성을 저감하였다. 펌핑력을 증가시키기 위하여 AC 전류를 이용하였으며, 이에 따른 펌프의 운전 특성을 파악하기 위하여 자기장의 분포와 자성유체의 형상을 해석하였다.

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DNA Separation Chips Using Asymmetrically-Switched Nonuniform Electric Fields (비대칭 교차전기장의 불균일 분포를 이용한 DNA 분리 소자)

  • Yi, So-Yeon;Cho, Young-Ho
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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    • v.33 no.3
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    • pp.265-268
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    • 2009
  • We present the experimental study to realize a DNA separation chip using asymmetrically-switched nonuniform electric fields. The DNA separation chip redistributes DNA molecules within a specific area based on the size- and field-dependent nonlinearity of DNA drift velocity. The present chip is composed of a width variable channel to distribute nonuniform electric field, a DNA loading slit and a pair of electrodes to apply electric field. We focus on the design of DNA separation chips with identifying the nonlinearity of DNA drift velocity using three different DNA molecules (11.1kbp, 15.6kbp, and 48.5kbp) in the chips. It is demonstrated that different size of DNA shows different net migration in different direction under the asymmetrically-switched nonuniform electric field.

The principle of a electrorheological polishing for a small part (ER유체를 이용한 미세연마의 원리)

  • 김욱배;이상조
    • Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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    • 2002.05a
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    • pp.968-971
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    • 2002
  • Two decisive mechanisms of the electrorhological polishing for a small part(for example, a aspherical surface in a micro lens) are explained. Firstly, non-uniform electric field generated in the polishing structure increases a shear stress of ER fluids which is maximized dramatically near the tool, therefore, substrate adjacent to the tool can be removed effectively by mixed abrasives in the ER fluid. Secondly, abrasives in a non-uniform electric field are governed by the dielectrophoretic phenomena. Abrasives move toward the tool because the field gradient is highest near the tool and then abrasives are actively holded in that area. This phenomena is observed and evaluated by the optical measurement.

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원형 이온빔 소스의 방전 이미지 분석을 통한 중성입자 밀도의 공간분포 측정

  • Im, Yu-Bong;Kim, Ho-Rak;Park, Ju-Yeong;Kim, Jong-Guk;Lee, Seung-Hun;Seon, Jong-Ho;Lee, Hae-Jun;Choe, Won-Ho
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.245.1-245.1
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    • 2014
  • 교차하는 전기장과 자기장으로 플라즈마를 방전하고, 이온 빔을 효과적으로 가속하는 원형 이온 빔 소스를 개발하였다. 방위각 방향으로 비대칭적인 중성 가스와 전자 빔의 공급으로 이온 빔 소스에서 불안정하고 불균일한 플라즈마가 방전되어, 이온 소스의 효율을 저하시킨다. 본 연구에서는 플라즈마 이미지를 이용하여 이온 소스 내부에서의 중성입자 밀도 분포를 측정하는 방법을 개발하였다. 자기장의 방향이 서로 다른 방전조건에서 얻어지는 한 쌍의 플라즈마 이미지로부터 티코노프 정형화 기법을 이용하여 방위각에 대한 중성입자의 밀도 분포를 재구성한다. 본 재구성 기법을 이용하여 얻어진 밀도 분포는 유체흐름 등가회로 모델을 바탕으로 한 수치해석을 이용하여 분석하였다. 중성입자 밀도의 공간분포는 인가 전압, 자기장의 세기 및 유량과 같은 방전조건의 변화에 크게 영향을 받지 않고, 가스 공급부의 내부 구조에 의해 결정되는 것을 확인하였다. 또한, 등가회로 모델을 이용하여 균일한 공간분포를 얻기 위한 공급부 설계를 수행하였다.

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3차원 입자 시뮬레이션을 이용한 직각 자석 구조의 마그네트론 스퍼터 장비 모델링 및 타겟 침식률 계산

  • Jang, Hyeon-U;Kim, Seong-Bong;Park, Jang-Sik;O, Ji-Yeong;Lee, Seung-Gil;Yu, Seok-Jae;Yu, Chang-Mo
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.278-278
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    • 2011
  • LCD 생산에 적용할 수 있는 대형 마그네트론 스퍼터 장비에서 공간적으로 불균일한 타겟 침식은 타겟의 사용 효율을 떨어뜨린다. 특히 직사각형의 외부 자석과 직선형태의 내부 자석 구조를 가진 마그네트론 스퍼터에서는 cross-corner 효과로 인해 국부적으로 일정 부분에 대한 상대적으로 높은 침식률이 문제가 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 국부적으로 자기장 세기를 바꾸는 시행착오를 통하여 실험적으로 문제를 해결하려는 방법이 있지만 비용 및 시간이 매우 많이 들어 전산모사를 통한 문제 해결 방법이 훨씬 유리하다. 우리는 몬테 카를로 방법에 기반한 3차원 입자 시뮬레이션을 통하여 마그네트론 스퍼터 장비를 모델링을 하였다. 직사각형의 외부와 직선형의 내부 자석 구조가 만들어 내는 정적인 공간 자기장의 분포는 OPERA3D를 이용하여 계산하였고, 플라즈마 입자들이 만들어내는 자기장에 의해 섭동영향을 받지 않는다고 가정하였다. 플라즈마 전기장 및 전하의 운동은 상호작용의 일관성이 유지되도록 계산하였다. 이온밀도의 공간분포는 내부 자석과 외부 자석 사이의 직선 부분 보다 cross-corner 효과가 일어나는 부분에서 상대적으로 더 높은 밀도분포를 보였다. 플라즈마 시뮬레이션을 통하여 얻은 타겟에 입사한 이온의 개수 및 속도에 대한 정보를 이용하여 타겟의 침식률을 계산하였다. 이러한 침식률을 계산하기 위한 시뮬레이션 기술은 산업용 대형 스퍼터 장비 연구 및 개발에 매우 효율적인 방법이 될 것이다.

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Dielectrophoresis for Control of Particle Transport: Theory, Electrode Designs and Applications (입자 이동 제어를 위한 유전영동: 이론, 전극 구조 및 응용분야)

  • Lee, Minji;Kim, Ji-Hye;Koo, Hyung-Jun
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.57 no.2
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    • pp.149-163
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    • 2019
  • Under non-uniform electric field, a directional force along the electric field gradient is applied to matter having permanent or induced dipoles. The transport of particles by the directional force is called dielectrophoresis (DEP). Since the strength and direction of the DEP force depend on parameters, such as permittivity and conductivity of particles and surrounding media, and frequency of the applied AC electric field, particle can be precisely manipulated by controlling the parameters. Moreover, unlike electrophoresis, DEP can be applied to any particles where dipole is effectively induced by electric field. Such a DEP technique has been used in various fields, ranging from microfluidic engineering to biosensor and microchip research. This paper first describes the fundamentals of DEP, and discusses representative microelectrode designs used for DEP study. Then, exemplary applications of DEP, such as separation, capture and self-assembly of particles, are introduced.

시뮬레이션을 통한 실리콘 나노선의 전기적 특성 연구

  • Go, Jae-U;Park, Seong-Ju;Lee, Seon-Hong;Baek, In-Bok;Lee, Seong-Jae;Jang, Mun-Gyu
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.408-408
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    • 2012
  • 반세기가 지나는 동안 우리는 반도체의 크기가 계속해서 작아지는 것을 경험해왔다. 반도체 디바이스들의 차원이 100 nm 이하로 작아지면서, 나노와이어나 나노튜브로 이루어진 나노 소자들은 필연적으로 양자효과[1] 같은 저차원효과가 나타나게 된다. 특히 1차원 반도체 구조에서는 전자상태 밀도의 변화에 수반되는 전자-포논의 상호작용이 감소되어 전자이동도가 증가할 것으로 예측되었고, 이러한 이동도의 증가는 그동안 나노와이어나 나노튜브의 전기 전도도 증가가 일어난 실험적 데이터를 설명하는 이론적 받침이 되었다[2]. 한편 일차원 반도체 구조 체에서는 채널의 저차원화에 따른 전기장의 불균일성이 심화되고 이로 인하여 벌크와 매우 다른 전기수송 특성이 나타날 수 있는데 이러한 점이 그동안 간과되어 왔다. 본 연구에서는 시뮬레이션을 통하여 양자효과를 배제한 정전기적인 저차원 효과만으로도 전기 전도도가 증가할 수 있음을 보이고자 한다. 우리는 푸아송 방정식과 표동-확산 방정식을 SILVACO사의 ATLAS 3D 시뮬레이터를 이용하여 풀었다. 이 시뮬레이션에 사용된 실리콘 나노와이어는 길이를 $2{\mu}m$로 고정시키고 다양한 정사각형 단면적을 가진 구조로 하였다. 여기서 정사각형의 한변을 10nm 에서 100 nm까지 변화시켰다. 실리콘 채널의 도핑농도가 $1{{\times}}1016cm-3$일 경우, 낮은 전압, 즉 < 0.5 V 이하 영역에서는 벌크와 같은 선형적인 전류-전압 특성이 나타나지만, 그 이상의 전압 영역에서는 전류-전압 그래프가 위로 휘어지며(super-linear) 전기전도도가 확연히 증가함을 알 수 있었다. 예를 들어 2 V에서는 벌크에 비하여 흐르는 전류가 2배나 더 향상되었다. 이런 비선형적인 성질은 높은 전압을 인가하였을 때 나노와이어 채널 전반에 걸쳐 charge neutrality가 깨지게 되고 전하밀도가 증가하여 전도도 증가가 일어나는 것으로 밝혀졌다. 이 결과는 기존의 나노선에서의 전기전도도 증가 현상을 설명할 수 있는 대안을 제공할 수 있다.

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Effects of Ceramic Processing on the Microstructure and Electronic Properties of Low Loss Mn-Zn Ferrite (제조 공정이 Mn-Zn 페라이트의 미세구조와 전기적 특성에 미치는 영향)

  • 박형률;김진호
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.34 no.3
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    • pp.289-295
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    • 1997
  • Effect of ceramic processing was investigated on the microstructure and electronic properties of low loss Mn-Zn ferrite. Addition of CaO and SiO2 to calcined powder rather than to raw materials mixtured resulted in finer-grained microstructure. Higher oxygen pressure during sintering caused microstructural inhomogeneity and the increase in power loss and disaccommodation factor. Relatively low power loss was found for sintering up to 130$0^{\circ}C$ from powders calcined at high temperature and milled shortly. It was caused by slow densification rate and normal grain growth up to 130$0^{\circ}C$. Calcination at low temperature and prolonged milling enhanced den-sification, which gave a fine grained microstructure and low powder loss at sintering temperture below 120$0^{\circ}C$. Sintering temperature above 125$0^{\circ}C$, however, showed abnormal grain growth.

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