• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.11 no.1
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• pp.16-21
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• 2002

Selective epitaxial growth(SEG) of silicon were performed at low temperature under an ultraclean environment below $1000^{\circ}C$ using ultraclean $Si_2H_6$ and $H_2$ gases ambient in low pressure chemical vapor deposition(LPCVD). As a result of ultraclean processing, epitaxial Si layers with good quality were obtained for uniform and SEG wafer at temperatures range 600~$710^{\circ}C$ and an incubation period of Si deposition only on $SiO_2$ was found. Low-temperature Si selectivity deposition condition and epitaxy on Si were achieved without addition of HCl. The epitaxial layer was found to be thicker than the poly layer deposited over the oxide. Incubation period prolonged for 20~30 sec can be obtained by $O_2$addition. The surface morphologies & cross sections of the deposited films were observed with SEM, The structure of the Si films was evaluated XRD.

• Proceedings of the Korean Environmental Sciences Society Conference
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• 2007.05a
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• pp.526-529
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• 2007

본 연구에서는 일정선량(600kGy)에서 전자빔 에너지(0.7, 1, 2 MeV)를 달리하여 조사한 $Ni/g-Al_2O_3$ 촉매를 이용하여 세 가지 다른 종류의 합성가스 전환반응(메탄의 이산화탄소 개질반응, 메탄의 수증기 개질반응, 메탄의 부분산화반응)을 수행하였다. 전자빔 조사는 He 분위기, 실온에서 수행하였으며, 조사된 촉매의 표면상태 변화를 살펴보기 위하여 XRD, XPS 분석을 수행하였다. 고에너지 전자빔 처리된 $Ni/g-Al_2O_3$ 촉매의 표면 특성분석 결과 촉매 표면의 Ni종은 metallic Ni, NiO, $NiAl_2O_4$의 3가지 상태로 존재함을 알 수 있었으며, 전자빔 에너지 증가에 따라 촉매 표면의 전체적인 Ni 함량과 촉매 표면의 Ni 분산도를 나타내는 Ni/Al ratio가 증가하였다. 또한, 전자빔 에너지 증가에 따라 Ni에 결합된 산소가 더 크게 감소되어 표면에서 산소 vacancy가 증가하는 결과를 가져왔으며, 이는 결국 세 가지 Ni의 상태 중 metallic Ni과 $NiAl_2O_4$를 증가시켰다. 이러한 결과들은 메탄의 이산화탄소 개질 반응과 메탄의 수증기 개질반응에서 반응물($CH_4$, $CO_2$)의 전환율과 생성물(CO, $H_2$)의 수득율을 증가시켰으며 메탄의 부분산화반응은 반응의 특성상 메탄의 전환율은 증가하나 생성물인 CO, $H_2$는 오히려 감소하는 결과를 가져옴을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.206.1-206.1
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• 2014

최근 전자 장비의 금속 전도성 패턴 제작에 있어서 직접적인 프린트가 가능한 프린팅 기술이 기존의 복잡한 photolithography 를 대체할 기술로 주목 받고 있다. 이와 함께 금속 전도성 패턴 제작에 사용되는 고가의 전도성 물질인 Ag ink 및 paste 를 저가의 Cu ink 및 paste 로 대체하기 위한 연구가 진행되고 있다. 하지만 일반적으로 copper 는 대기 중 에서 쉽게 산화되어 높은 저항을 야기시킨다. 따라서 Cu ink 또는 paste 를 제작할 때 copper nanoparticles 을 유기 용매에 분산하여 inert atmosphere에서 합성하거나 [1] copper ink 또는 paste 를 substrate 에 프린트하여 reduction atmosphere 에서 소성시킨다 [2]. 이번 연구에서 Cu paste 를 유리 기판에 screen printing 하여 혼합가스(질소 95%, 수소 5%)와 질소 가스 분위기에서 소성하여 Cu 전극의 소성 거동과 전기적 특성을 분석하였다. 4-point probe를 통해 소성된 Cu 전극의 저항을 측정하여 전도도를 조사하였으며 Thermal Gravimetric Analysis (TGA), Fourier Transform Infrared(FTIR)를 통해 소성된 Cu 전극의 유기물 분해가 전도도에 미치는 영향을 분석하고 Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM)과 High Resolution Transmission Electron Microscopy (HRTEM)을 통해 Cu nanoparticles 의 grain growth가 전도도에 미치는 영향을 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.358-358
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• 2011

탄소원자로 구성된 2차원의 단원자 층의 그래핀은 우수한 기계적 강도, 전기전도도, 화학적 안정성 등의 특성으로 인하여 현재 기초연구 및 응용연구들이 활발하게 진행되고 있다. 일반적으로 그래핀의 물성은 그래핀의 층수, edge 형태, 구조적 defect의 양, 불순물의 양 등에 의해 좌우되는 것으로 알려져 있어, 그 원인들의 영향을 살펴보는 일은 그래핀 물성 제어의 측면에서 매우 중요하다. 한편, 그래핀을 산업적으로 이용하기 위해서는 CVD합성법이나 화학적인 박리법 등과 같은 대량의 그래핀 제조법이 요구되며, 이러한 그래핀들의 산화거동을 알아 보는 것은 향후 산화 분위기에서 사용될 그래핀 응용소자 개발에 유용한 정보가 될 것이다. 본 연구에서는 그래핀 층수에 따른 산화 거동을 연구하기 위하여, 그래핀을 산화시킨 후 Raman 분광법과 AFM 분석을 통하여 광학적, 구조적 변화를 체계적으로 분석하였다. 그래핀은 니켈박막을 촉매층으로 이용한 실리콘 웨이퍼에 메탄가스를 원료가스로 한 CVD법으로 합성하였다. 효율적인 산화처리를 위해 합성한 그래핀은 홈이 있는 기판 위에 전사하여 산화반응시 기판의 영향을 제거하였다. 산화처리는 열 산화처리 및 플라즈마 산화처리로 나누어 각각 실시하였으며, 5분간의 산화처리와 특성평가를 반복적으로 실시하였다. 한편, 층수에 따른 산화 거동을 조사하기 위해서는, 합성한 그래핀 내에 존재하는 단층영역, 수층영역, 다층영역을 지정하여 매회 동일영역을 분석함으로써 산화 거동을 분석하였다.

• Journal of Powder Materials
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• v.3 no.1
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• pp.49-56
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• 1996

The effect of$H_{2}/N_{2}$gas sintering atmosphere on the carbon content and mechanical properties during the metal injection molding process of carbonyl iron-nickel powder was studied. The carbon content of the specimen after debinding in the pure$N_{2}$atmosphere appeared 0.78 wt%. After showing the maximum value of 1.48 wt.% in the debinding atmosphere of 10%$H_{2}/N_{2}$gas mixture, the carbon content of the debinded specimen decreased gradually with increasing the$H_2$content in the$H_{2}/N_{2}$gas mixture. The carbon contents of the sintered specimen were 0.46~0.63wt% in Na gas atmosphere, while they appeared extremely low above 40%$H_{2}/N_{2}$gas atmosphere. The relative sintered density increased abruptly from 88~90% to 93~96% with the addition of Ni, while the density nearly unchanged above 2% Ni addition. The sintered density increased with increasing the fraction of$H_{2} in H_{2}/N_{2}$gas mixture. Tensile strength and hardness increased, and elongation decreased with increasing carbon and Ni content. In spite of high carbon content of 0.63 wt%, the superior elongation value of 10% was shown.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.225-225
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• 2008

ITO (Indium-tin oxide) 박막은 평판디스플레이, 유기발광소자, 박막태양전지 등 다양한 광전자소자의 투명전극으로 폭 넓게 이용되고 있다. 하지만 Si 박막태양전지의 투명전극에 요구되는 특성으로는 가시광 영역에서의 고투과율 및 고전도도 외에, 수소 플라즈마 분위기에서의 화학적 고안정성이 강하게 요구된다. 왜냐하면, 최근 Si 박막태양전지의 고효율화를 위해 미결정질 Si 박막 및 나노결정 Si 박막이 이용되고 있는데, 이러한 박막은 Si 원료가스를 고농도의 수소가스로 희석한 공정조건에서 플라즈마 CVD 증착기술을 이용하여 제조되기 때문에 투명 전극재료가 화학적으로 안정하지 않으면 계면특성의 열화로 인해 태양전지 효율이 저하되는 요인으로 작용하기 때문이다. 본 연구에서는 박막태양전지용 ITO계 투명전극의 수소 플라즈마에 대한 물리적 특성 변화를 조사하기 위하여 combinatorial sputter를 이용해 Ga 및 Zn의 도핑량을 연속적으로 변화시킨 ITO 박막을 제조하였고, $H_2$ plasma 중에 일정 시간 노출 시킨 후 박막의 물리적 특성 변화를 관찰하였다.

• Journal of the Korean Institute of Gas
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• v.7 no.1 s.18
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• pp.47-52
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• 2003

The adsorption characteristics of rert-butyl mercaptan(TBM) on base activated carbon and activated carbon impregnated with $CuCl_2$ or KI were studied. Adsorption of TBM on the surface of the KI or $CuCl_2$ impregnated activated carbon was detected by gas chromatograph equipped with a flame photometric detector. The amount of adsorption on those impregnated carbon found to be 7 or 8 times greater than on the non-impregnated activated carbon and varied according to the concentration of impregnated metal. FT-IR measurement showed that major reaction occuring on the surface of the catalytic adsorbent was dimerization of TBM into di-tert-butyl disulfide which had no stench.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.216.2-216.2
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• 2013

Nano-indenter는 팁을 박막 표면으로부터 일정 깊이까지 일정한 비율로 힘을 팁에 인가하여 그에 따른 박막의 반응을 in-situ로 확인하기 위하여 고안된 장치이며, 박막은 물론 나노 구조물까지 다양한 범위에서 기계적 특성을 분석하기 위하여 사용되고 있다. 이 연구에서는 유전체 및 확산방지막으로 사용되는 Hf을 rf magnetron sputter로 증착하였으며 이때 Ar 가스와 함께 $N_2$ 가스의 혼합 비율을 다르게 하여 HfN을 증착하였다. 질소 분압에 따라 증착된 HfN 박막은 고온중에서 질소의 영향을 확인하기 위하여 $800^{\circ}C$로 질소 분위기에서 20분간 열처리하여 이후 박막의 nano-mechanical 특성을 nanoindenter를 사용하여 확인하였고 최대 압입력을 250 ${\mu}N$으로 고정하였다. 측정결과 고온 열처리후 HfN 박막은 증착시 질소 분압이 0%에서 5%로 증가함에 따라 surface hardness는 8.6 GPa에서 8.1 GPa로 elastic modulus는 123.7 GPa에서 134 GPa로 각각 변화되는 것을 확인할 수 있었다. 특히, 질소 분압이 2.5%로 증착된 HfN 박막은 열처리후 박막 표면의 물리적 특성이 깊이 방향으로 층을 이루고 있어 nano-indenter 압입시 다수의 pop-in이 나타남을 확인하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.3
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• pp.229-233
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• 1999

DC마그네트론 스퍼터링 방식으로 $Ti/SiO_2$/Si 구조 위에 Pt(200) 박막을 배향 성장시키기 위해 증착조건(스퍼터링 가스의 종류와 압력, 기판의 온도)과 후속열처리(RTA, Furnace annealing)에 따른 Pt 박막의 전기, 결정학적 특성을 조사하였다. 실험결과, 20mTorr의 Ar+O$_2$(20%)의 혼합가스 분위기에서 기판온도를 $500^{\circ}C$로 유지하여 Pt박막을 증착하고$ 600^{\circ}C$에서 30초간 급속 열처리를 실시한 경우, 90% 이상의 결정 배항도를 갖는 Pt(200) 박막을 제작할 수 있었다. 제작된 Pt(200) 박막은 $30~40\mu$Ω.cm의 낮은 전기저항율과 우수한 열적 안정성을 나타내었으며$ 600^{\circ}C$의 고온에서 장시간 열처리를 실시하여도 전기저항율이나 우선 배향성의 변화, 박막내 미세 결함 및 열적응집현상 등이 발생되지 않았다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.27 no.2
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• pp.99-104
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• 2017

Refractories used in low-rank coal gasification reactors are usually exposed in a highly corrosive $H_2S$ gas at less than $1000^{\circ}C$, and their mechanical properties such as erosion resistance and fracture strength decline with the exposure time. However, the cause of the degradation of the mechanical properties has little reported yet. In this paper, two kinds of castable refractories with different refractoriness had been exposed in a $H_2O/N_2/H_2S$ mixed gas with high $H_2S$ content for 100 hours at $900^{\circ}C$, and the changes of microstructure, crystalline phases and erosion resistance were compared before and after the corrosion test. The weight of the refractories decreases due to the elution of silica in the specimens after the corrosion test. The capillary porosities of the samples are reduced, but the erosion resistance of the samples is fatally weakened after the corrosion test. There also are changes in constituent phases; dmitryivanovite ($CaAl_2O_4$) and amorphous silica ($SiO_2$) disappear, and gypsum ($CaSO_4{\cdot}2H_2OS$) and kaolinite ($Al_2Si_2O_5(OH)_4$) newly appear after the corrosion test. It is obvious that the phase change from dmitryivanovite that works as a binding agent in the castable refractory to gypsum is the main reason of the degradation of the erosion resistance, because the mechanical properties of gypsum are much poorer than those of dmitryivanovite.