• 제목/요약/키워드: 변색 스위치

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Polythiophene의 전기화학적 도핑과 변색 스위치에 관한 연구 (A study on the color change switch and electrochemical doping of polythiophene)

  • 구할본;김주승;김현철;김종욱
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제9권2호
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    • pp.165-173
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    • 1996
  • We prepared polythiophene and poly(3-methylthiophene) films, known as conducting polymer, by electrochemical method. Polythiophene and poly(3-methylthiophene) films were doped and undoped dopant for the studing the understanding of doping mechanism and possible application to the color change switch. We observed that the anodic, cathodic wave and absorption spectra were slightly changed during doping and undoping process in polythiophene. It shows that doping and undoping process were showed some difference by the appearance and disappearance of polaron and bi-polaron. In the relation of the peak of oxidative current density and potential sweep rate of cyclic voltammograms, the amount of dopant in polythiophene film was homogeneously increased at low scan rate. This also can be applied to the poly(3-methlythiophene).

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은 입자가 포함된 아연 인산염 유리의 광학적 성질과 광 반응성 (Optical Properties and Photosensitivity of Zinc Phosphate Glass Containing Silver Particles)

  • 최문구;임상엽;박승한
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2002년도 하계학술발표회
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    • pp.102-103
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    • 2002
  • 금속 입자들이 채워진 유리는 광 호변성 물질로써 광 저장 디스크, 광 도파로 그리고 도파로 레이저, 광 스위치 등의 다양한 응용분야에 이용될 수 있음이 여러 연구진들에 의해서 밝혀져 왔다. [1] 광 호변성이란 외부에서 입사되는 광에 의해서 유리의 색이 변색되는 현상인데 이는 유리에 함유된 물질들이 광이나 열에 의해서 변화하기 때문이다. Wood 등은 열처리와 불꽃에 의한 가열 등을 이용하여 은 입자를 작은 입자로 쪼개고. 이를 엑시머 레이저로 열처리시키면 은 입자가 분해된다는 것을 보였다. (중략)

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PL 판정을 위한 저압용 스위치의 소손 패턴 해석기법 (Analysis Method for Damage Patterns of Low Voltage Switches for PL Judgment)

  • 최충석
    • 한국화재소방학회논문지
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    • 제24권5호
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    • pp.136-141
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    • 2010
  • 본 연구에서는 옥내 조명 설비의 전원을 ON/OFF 하기 위해 사용되는 저압용 스위치의 구조 및 발열 메커니즘을 제시하고, 에너지원의 종류에 따라 스위치의 고정금구 및 가동 접점 등의 소손패턴을 제시함으로써 향후 예상되는 PL 분쟁의 판단 근거를 확보하는데 있다. 스위치에 인가된 일반 화염은 한국산업규격(KS)의 난연성 시험 방법을 적용하였다. 또한 스위치에 공급된 전류는 대전류공급장치(PCITS)를 이용하였다. 실험이 진행될 때 주위의 온도는 $22{\pm}2^{\circ}C$, 습도는 40~60%를 유지시켰다. 스위치의 발열은 배선과 클립의 접속 불량, 가동 접점의 절연 열화 및 접촉 불량 등에 의해서 생성되는 것으로 판단된다. 일반 화염에 의해 소손된 스위치는 표면이 균일하게 탄화되었으며, 화원을 제거하면 자연 소화되었다. 일반화염에 의해 탄화된 스위치를 분해한 결과 고정금구 및 가동 접점 등은 비교적 양호한 형태를 보였으나 외함, 클립 지지대, 가동 접점, 표시램프 등에서 탄화 및 변색을 확인할 수 있었다. 과전류에 의해 소손된 스위치는 배선을 연결하는 클립 및 클립 지지대 등은 소손의 흔적이 거의 없으나 고정금구, 가동 접점, 표시 램프 등은 심하게 탄화되었다. 즉 접촉 저항이 큰 부분에서 집중적으로 소손되었고 내부에서 외부로 탄화가 진행되는 패턴을 나타냈다. 따라서 소손된 스위치의 탄화 패턴 및 금속 금구류의 특성을 분석하면 최초의 에너지원 판정이 가능하다.

테라헤르츠 시간 영역 분광법을 이용한 스피로파이란의 광 퇴화 특성 연구 (A Study on the Photo-Degradation Properties of the Spiropyran Using THz-TDS)

  • 방진혁;박명환;류한철
    • 대한화학회지
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    • 제60권1호
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    • pp.28-33
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    • 2016
  • 스피로파이란은 반복적인 광 변색현상 과정에서 광 퇴화 특성을 보이는 대표적인 물질이다. 스피로파이란은 뛰어난 안정성, 빠른 응답속도, 강한 색 변화, 빛에 의한 물질의 화학적, 물리적 특성 조절이 가능하다는 점으로 광 스위치, 광 메모리, 바이오 센서 등의 다양한 분야에 적용되고 있다. 하지만 스피로파이란은 광 퇴화되며 기능이 점차 떨어지기 때문에, 광퇴화에 따른 스피로파이란의 특성 변화에 대해 자외선-가시광선 분광법, 핵 자기 공명 분광법, 라만 분광법 등을 이용한 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 스피로파이란의 광 퇴화 특성을 테라헤르츠 주파수 영역에서 테라헤르츠 시간 영역 분광법(Terahertz time-domain spectroscopy, THz-TDS)을 이용하여 측정 및 분석하였다. 반복적인 자외선 조사에 따른 스피로파이란의 광 퇴화 특성이 테라헤르츠 영역에서의 흡수량 증가로 나타남을 확인하였다. 이러한 스피로파이란의 광 퇴화 특성이 야기하는 테라헤르츠 영역 흡수량 변화 경향은 가시광선 영역 흡수량 변화 경향과 서로 반대됨을 확인할 수 있었다.